- [常见问题]磷化铟抛光液:高精度低缺陷晶圆平坦化首选[ 2025-11-04 10:22 ]
- 在半导体制造领域,磷化铟(InP)衬底因其优异的电子和光学特性,成为光通信、毫米波雷达、量子通信等高端应用的核心材料。然而,InP衬底的化学机械抛光(CMP)工艺对抛光液的要求极为严苛,需要兼顾高效抛光速率、表面质量、工艺稳定性等多重因素。吉致电子针对这一需求,推出了专为磷化铟衬底设计的CMP抛光液,其核心优势体现在以下几个方面:1.高效抛光速率与表面质量的完美平衡粗抛阶段:采用较大粒径(如5-10μm)的氧化铝磨料,可快速去除表面余量,抛光速率可达数μm/h,显著提升生产效率。精抛阶段:切换至小粒径(如50-10
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- [吉致动态]吉致电子--磷化铟抛光液在半导体CMP制程中的应用[ 2024-12-05 16:20 ]
- 无锡吉致电子科技提供的磷化铟衬底抛光液是一种专门用于半导体材料磷化铟表面处理的CMP化学机械抛光浆料。它包含特定的磨料和化学成分,能够有效去除磷化铟表面的微小缺陷和不平整,确保获得光滑、无损伤的表面。磷化铟抛光液在半导体制造过程中非常重要,它直接影响到最终器件的性能和稳定性。磷化铟衬底抛光液的选择和使用是一个复杂的过程,需要综合考虑多个因素,且在CMP抛磨使用时,需要根据磷化铟衬底的具体要求和抛光设备的特性来选择合适的InP抛光液,并严格控制抛光过程中的参数,如温度、压力和抛光时间等。首先,磷化铟CMP抛光液的成分
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- [吉致动态]半导体衬底抛光工艺---磷化铟InP抛光液[ 2023-10-31 17:20 ]
- 抛光是晶片表面加工的最后一道工序,目的是降低表面粗糙度,获得无损伤的平坦化表面。对于磷化铟INP材料,目前主要采用 CMP化学机械平面研磨工艺来进行抛光。使用吉致电子磷化铟抛光液,可达到理想的表面粗糙度。磷化铟INP作为半导体衬底,需要经过单晶生长、切片、外圆倒角、研磨、抛光及清洗等工艺过程。由于磷化铟硬度小、质地软脆,在锯切及研磨加工工艺中,晶片表面容易产生表面/亚表面损伤层,需要通过最终的CMP抛光工艺去除表面/亚表面损伤、减少位错密度并降低表面粗糙度。 吉致电子磷化铟抛光液采用氧化铝
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