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[常见问题]第三代半导体--碳化硅和氮化镓的区别[ 2023-11-03 17:35 ]: 随着国家对第三代半导体材料的重视，近年来我国半导体材料市场发展迅猛，其中以碳化硅SiC与氮化镓NaG为主的材料备受关注，两者经常被拿来比较。同为宽近带半导体的成员，碳化硅SiC与氮化镓NaG有何相同、有何不同呢？碳化硅与氮化家均属于宽禁带半导体材料，它们具有禁代宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好的特点。随着市场对半导体器件微型化、导热性的高要求，这类材料的市场需求暴涨，适用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。 ①性能不同：高电子迁移; http://www.jzdz-wx.com/Article/dsdbdtthgh_1.html

[吉致动态]第三代半导体材料--碳化硅晶圆SiC抛光液[ 2023-04-17 16:49 ]: 随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向其物理极限，同时硅也满足不了微波射频、高效功率电子和光电子等新需求快速发展的需要，以化合物半导体材料，特别是第三代半导体为代表的半导体新材料快速崛起。碳化硅是新型电力系统，特高压电网必需的可达万伏千安等级的唯一功率半导体材料，同时也是高铁和新能源汽车牵引、电控系统的“心脏”。从国际技术发展水平来看，碳化硅方面，8英寸衬底开始产业化，车规级功率器件是当前开发重点，多家厂商已推出大功率模组及高温封装产品，碳化硅器件正向耐受更高电压; http://www.jzdz-wx.com/Article/dsdbdtclth_1.html

[行业资讯]抛光液厂家--CMP抛光液用于几代半导体材料？[ 2023-02-17 15:50 ]: CMP抛光液用于几代半导体材料？ CMP抛光液越来越多的应用于第三代半导体材料的抛光，科研方向朝着攻克抛光液技术门槛和市场壁垒发展。CMP工艺的集成电路比例在不断增加，对CMP材料种类和用量的需求也在增加。更先进的逻辑芯片工艺可能会要求抛光新的材料，为CMP抛光材料带来了更多的增长机会。目前，第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。这代半导体具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力; http://www.jzdz-wx.com/Article/pgycjcmppg_1.html

[行业资讯]半导体抛光液---半导体材料有哪些？[ 2022-11-17 15:37 ]: 半导体业内从材料端分为：第一代元素半导体材料，如硅（Si）和锗(Ge)；第二代化合物半导体材料：如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；第三代宽禁带材料：如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等。碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，因为禁带宽度大于2.2eV统称为宽禁带半导体材料，在国内也称为第三代半导体材料。其中碳化硅和氮化镓是目前商业前景最明朗的半导体材料，堪称半导体产业内新一代“黄金赛道&; http://www.jzdz-wx.com/Article/bdtpgybdtc_1.html

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