半导体业内从材料端分为：第一代元素半导体材料，如硅（Si）和锗(Ge)；第二代化合物半导体材料：如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；第三代宽禁带材料：如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等。都要经过CMP抛光工艺，用半导体抛光液和抛光垫结合抛磨。

  碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，因为禁带宽度大于2.2eV统称为宽禁带半导体材料，在国内也称为第三代半导体材料。其中碳化硅和氮化镓是目前商业前景最明朗的半导体材料，堪称半导体产业内新一代“黄金赛道”。

  碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料，碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8倍；电子饱和漂移速率为硅的2倍。种种特性意味着碳化硅特别适于制造耐高温、耐高压，耐大电流的高频大功率的器件。

  吉致电子半导体抛光液系列针对电力电子器件及LED用的碳化硅晶片，提供CMP化学机械平坦化配制的碳化硅晶圆抛光液Sic Slurry。CMP抛光液大大提高了碳化硅晶圆表面去除率和平坦化性能，提供了非常好的表面光洁度，专为满足Sic晶圆基片C面、单晶硅、多晶硅从研磨到 CMP工艺各阶段的规格而设计。可定制硅晶圆工件 CMP 系统的优化解决方案，以提供较低的成本投入。

  吉致电子CMP抛光液的种类:

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