蓝宝石抛光液--抛光磨料粒径、浓度及流速的影响
蓝宝石抛光液磨料粒径、浓度及流速的影响
研究表明,在其它条件相同情况下, 随着蓝宝石抛光浆料浓度的增大, 抛光速率增大。对于粒径为80nm的研磨料: 蓝宝石抛光液的质量分数为10% 时, CMP去除速率为572.2nm /m in;
而随着质量分数增大至15%时,CMP去除速率增大至598.8nm/min; 质量分数继续增大至20% 时, CMP去除速率则增大至643.3nm/min。
这主要是因为蓝宝石抛光液浓度的增大, 使得抛光过程中参与机械磨削的粒子数增多, 相应的有效粒子数也增多, 粒径一定的情况下, 有效粒子数的增多增强了机械磨削作用力, 进而提高了蓝宝石衬底抛光速率, 研究还表明, 在CMP过程中适当增加浆料浓度, 有利于抛光表面的平整度, 即浓度越高, 平整度越好。
本文由无锡吉致电子科技原创,版权归无锡吉致电子科技,未经允许,不得转载,转载需附出处及原文链接。http://www.jzdz-wx.com/
无锡吉致电子科技有限公司
联系电话:17706168670
邮编:214000
地址:江苏省无锡市新吴区行创四路19-2
相关资讯
最新产品
同类文章排行
- 第三代半导体--碳化硅和氮化镓的区别
- 蓝宝石衬底抛光液--纳米氧化铝抛光液/研磨液
- 半导体抛光中铜抛光液和钨抛光液的区别
- 打磨碳化硅需要哪种抛光垫?
- 二氧化硅抛光液与硅溶胶抛光液有啥不同
- 碳化硅Sic衬底加工流程有哪些
- 半导体抛光---硅片抛光垫怎么选
- 蓝宝石抛光用什么抛光液
- 钨钢用什么研磨液和抛光液
- CMP常用化学抛光液有哪些
最新资讯文章
您的浏览历史
