蓝宝石抛光液--抛光磨料粒径、浓度及流速的影响
蓝宝石抛光液磨料粒径、浓度及流速的影响
研究表明,在其它条件相同情况下, 随着蓝宝石抛光浆料浓度的增大, 抛光速率增大。对于粒径为80nm的研磨料: 蓝宝石抛光液的质量分数为10% 时, CMP去除速率为572.2nm /m in;
而随着质量分数增大至15%时,CMP去除速率增大至598.8nm/min; 质量分数继续增大至20% 时, CMP去除速率则增大至643.3nm/min。

这主要是因为蓝宝石抛光液浓度的增大, 使得抛光过程中参与机械磨削的粒子数增多, 相应的有效粒子数也增多, 粒径一定的情况下, 有效粒子数的增多增强了机械磨削作用力, 进而提高了蓝宝石衬底抛光速率, 研究还表明, 在CMP过程中适当增加浆料浓度, 有利于抛光表面的平整度, 即浓度越高, 平整度越好。
本文由无锡吉致电子科技原创,版权归无锡吉致电子科技,未经允许,不得转载,转载需附出处及原文链接。http://www.jzdz-wx.com/
无锡吉致电子科技有限公司
联系电话:17706168670
邮编:214000
地址:江苏省无锡市新吴区行创四路19-2
相关资讯
最新产品
同类文章排行
- 超硬材料精密抛光:吉致电子CMP金刚石研磨液
- CMP工艺在LED外延芯片制造中的优势及吉致电子CMP抛光耗材方案
- 吉致电子小科普:什么是硫系玻璃以及应用领域有哪些
- 吉致电子:CZT碲锌镉晶体CMP抛光崩边防控解决方案
- 吉致电子2026马年春节放假通知
- 不锈钢平面件CMP抛光液抛光垫选型指南
- 从硅基到第三代半导体:吉致电子CMP抛光液技术演进与全材料覆盖解决方案
- 蓝宝石衬底研磨抛光工艺与耗材方案|吉致电子CMP厂家
- 阻尼布抛光垫和聚氨酯抛光垫哪个好?
- 半导体CMP耗材G804W抛光垫国产替代认准吉致电子
最新资讯文章
您的浏览历史






