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[常见问题]碳化硅SiC衬底CMP抛光液抛光垫[ 2025-10-15 14:55 ]: 一、碳化硅CMP工艺：精密制造的“表面革命”碳化硅（SiC）以其优异的耐高温、高击穿场强特性，成为半导体功率器件、新能源汽车电子等高端领域的核心材料。而化学机械抛光（CMP）作为实现碳化硅衬底原子级光滑表面的关键工艺，其核心效能直接由抛光液与抛光垫两大耗材决定。吉致电子深耕CMP材料领域多年，针对碳化硅衬底抛光的4道核心制程，打造了全系列适配的抛光液Slurry与抛光垫Pad产品，实现“高效去除”与“超精表面”的完美平衡。二、碳化硅抛光液：化学; http://www.jzdz-wx.com/Article/article-97761509101_1.html

[吉致动态]磷化铟衬底抛光液与CMP工艺的关联[ 2025-02-07 11:33 ]: 磷化铟衬底抛光液与化学机械平面研磨工艺（CMP）的关联磷化铟（InP）作为第二代半导体材料的代表，因其优异的电学、光学和热学性能，在高速电子器件、光电子器件和微波器件等领域展现出巨大的应用潜力。然而InP衬底表面的高质量加工是实现高性能器件的关键，其中化学机械平面研磨工艺（CMP）扮演着至关重要的角色。一、磷化铟衬底为什么使用CMP技术CMP是一种结合化学腐蚀和机械研磨的表面平坦化技术，通过抛光液slurry中的磨料成分与衬底表面发生化学反应，生成一层易于去除的软化层，再借助抛光垫Pad的机械作用将其去除，从而实; http://www.jzdz-wx.com/Article/lhycdpgyyc_1.html

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