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[行业资讯]看懂SIC碳化硅衬底研磨加工技术[ 2024-05-20 10:31 ]
碳化硅SiC衬底因其脆硬性特性再叠加大尺寸化、超薄化的放大效应,给现有的加工技术带来了巨大的挑战,被视为典型难加工材料。高效率、高质量的碳化硅衬底加工技术成了当下的研究热点。  碳化硅相较于第一、二代半导体材料具有更优良的热学、电学性能,如宽禁带、高导热、高温度稳定 性和低介电常数等,这些优势使得以碳化硅为代表的宽禁带半导体材料广泛应用于高温、高频、高功率 以及抗辐射等极端工况.作为高性能微电子和光 电子器件制造的衬底基片,碳化硅衬底加工后的表面、亚表面质量对器件的使用性能有着极为重要的影响。因
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