- [吉致动态]碳化硅衬底需要CMP吗[ 2024-01-30 17:17 ]
- 碳化硅衬底需要CMP吗？需要碳化硅SIC晶圆生产的最终过程为化学机械研磨平面步骤---简称“CMP”。CMP工艺旨在制备用于外延生长的衬底表面，同时使晶圆表面平坦化达到理想的粗糙度。 化学机械抛光步骤一般使用化学研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸渍毡型研磨片来实现的。碳化硅晶圆置于研磨片上，通过夹具或真空吸附垫将单面固定。被磨抛的晶圆载体暴露于研磨浆的化学反应及物理摩擦中，仅从晶圆表面去除几微米。 吉致电子研发用于SIC衬底研磨抛光的CMP研磨液/抛光液，以及研
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http://www.jzdz-wx.com/Article/thgcdxycmp_1.html
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