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[吉致动态]先进半导体制造中的CMP Slurry：铜/钨/碳化硅抛光液技术与国产化进展[ 2025-04-22 16:26 ]: 化学机械平坦化（CMP）工艺是半导体制造中的核心技术，其通过化学与机械协同作用实现纳米级表面精度，对集成电路性能至关重要。以下从技术、市场及国产化角度进行专业分析：一、CMP工艺核心要素抛光液（Slurry）化学组分：氧化剂（如H2O2用于Cu CMP）、磨料（纳米SiO2/Al2O3）、pH调节剂及缓蚀剂，需针对材料特性（如Cu/W/SiC）定制配方。关键参数：材料去除率（MRR）、选择比（Selectivity）、表面粗糙度（Ra＜0.5nm）及缺陷控制（如划痕≤30nm）。吉致电子优势：25年技术积累可; http://www.jzdz-wx.com/Article/article-75841644231_1.html

[常见问题]半导体铜CMP抛光液：铜互连工艺的核心材料[ 2025-02-25 14:44 ]: 半导体铜化学机械抛光液（Copper CMP Slurry）是用于半导体制造过程中铜互连层化学机械抛光（CMP）的关键材料。随着半导体技术的发展，铜CU因其低电阻率和高抗电迁移性能，取代铝成为主流互连材料。铜CMP抛光液在铜互连工艺中起到至关重要的作用，确保铜层平整化并实现多层互连结构，CU CMP Slurry通过化学腐蚀与机械研磨的结合，实现铜层的高精度平整化和表面质量控制。。一、Copper CMP Slurry铜CMP抛光液的组成：主要磨料颗粒（Abrasive Particles）有二氧化硅（; http://www.jzdz-wx.com/Article/bdttcmppgy_1.html

[行业资讯]吉致电子 Cu CMP研磨工艺的三个步骤[ 2024-07-31 15:40 ]: Cu CMP研磨工艺通常包括三步。第一步：用来磨掉晶圆表面的大部分金属。第二步：通过降低研磨速率的方法精磨与阻挡层接触的金属,并通过终点侦测技术（Endpoint）使研磨停在阻挡层上。第三步：磨掉阻挡层以及少量的介质氧化物,并用大量的去离子水（DIW）清洗研磨垫和晶圆。Cu CMP研磨工艺中第一和第二步的研磨液通常是酸性的,使之对阻挡层和介质层具有高的选择性,而第三步的研磨液通常是偏碱性,对不同材料具有不同的选择性。这两种研磨液（金属研磨液/介质研磨液）都应该含有H2O2、抗腐蚀的BTA（三唑甲基苯）以及其他添加物; http://www.jzdz-wx.com/Article/jzdzcucmpy_1.html

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