- [常见问题]什么是SIC碳化硅衬底的常规双面磨工艺[ 2024-03-07 17:22 ]
- 碳化硅SIC研磨工艺是去除切割过程中造成碳化硅晶片的表面刀纹以及表面损伤层，修复切割产生的变形。由于SiC的高硬度的特性，CM{研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。碳化硅衬底常规的CMP研磨工艺一般分为粗磨和精磨。SiC衬底常规双面磨工艺双面磨工艺又称DMP工艺，是目前大部分国内碳化硅衬底厂商规模化生产的工艺方案，对碳化硅进行双面研磨(粗磨/精磨)达到一定的表面平整度和光洁度。①粗磨：采用铸铁盘+单晶金刚石研磨液双面研磨的方式该工艺可以有效的去除线割产生的损伤层，修复面型，
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http://www.jzdz-wx.com/Article/smssicthgc_1.html
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