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[行业资讯]碳化硅衬底CMP工艺面临的挑战与解决方案[ 2025-01-23 17:18 ]: SiC CMP抛光液是一种用于对碳化硅衬底进行化学机械抛光的关键材料，通过化学腐蚀和机械磨损的协同作用，实现碳化硅衬底表面材料的去除及平坦化，从而提高晶圆衬底的表面质量，达到超光滑、无缺陷损伤的状态，满足外延应用等对衬底表面质量的严苛要求。目前碳化硅衬底CMP工艺面临的挑战与解决方案：①碳化硅硬度高：碳化硅硬度仅次于金刚石，这使得其抛光难度较大。需要研发更高效的磨料和优化抛光液配方，以提高对碳化硅的去除速率。例如，采用高硬度、高活性的磨料，并优化磨料的粒径分布和形状，同时调整化学试剂的种类和浓度，增强; http://www.jzdz-wx.com/Article/thgcdcmpgy_1.html

[应用案例]碳化硅SiC抛光工艺[ 2023-04-19 17:08 ]: 根据半导体行业工艺不同，CMP抛光液可分为介质层化学机械抛光液、阻挡层化学机械抛光液、铜化学机械抛光液、硅化学机械抛光液、钨化学机械抛光液、TSV化学机械抛光液、浅槽隔离化学机械抛光液等。 SIC CMP抛光液是半导体晶圆制造过程中所需主要材料之一，在碳化硅材料工件打磨过程中起着关键作用，抛光液的种类、颗粒分散度、粒径大小、物理化学性质及稳定性等均与抛光效果紧密相关。近年来，在人工智能、5G、数据中心等技术不断发展背景下，碳化硅衬底应用领域不断扩大、市场规模不断扩大，进而带动; http://www.jzdz-wx.com/Article/thgsicpggy_1.html

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