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[吉致动态]吉致电子手机取卡针抛光液[ 2023-03-17 17:34 ]

吉致电子手机液态金属抛光液，手机取卡针抛光液，研磨抛光浆料为粗抛、中抛、精抛浆料悬浮性好，特点是不易沉淀、不结晶、不腐蚀机台，易于清洗。适用于3C电子产品，手机电子元器件、液态金属、喇叭网听筒/手机音量键、碳素钢抛光液可以迅速去除CNC刀纹、底纹等，抛光后无划伤、橘皮、坑点、针眼等缺陷不含重金属以及有害物质、环保无危害，可接触皮肤。产品运用抛光液中的CMP化学机械作用，提高抛光速率改善抛光表面的质量颗粒粒径分布适中，最大程度提升抛光速率的同时降低微划伤的概率颗粒分散性好，有

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[常见问题]吉致电子抛光液--CMP抛光工艺在半导体行业的应用[ 2023-02-09 13:14 ]

CMP化学机械抛光应用于各种集成电路及半导体行业等减薄与平坦化抛光，吉致电子抛光液在半导体行业的应用，主要为STI CMP、Oxide CMP、ILD CMP、IMD CMP提供抛光浆料与耗材。 CMP一般包括三道抛光工序，包括CMP抛光液、抛光垫、抛光蜡、陶瓷片等。抛光研磨工序根据工件参数要求，需要调整不同的抛光压力、抛光液组分、pH值、抛光垫材质、结构及硬度等。CMP抛光液和CMP抛光垫是CMP工艺的核心要素，直接影响工件表面的抛光质量。在半导体行业CMP环节之中，也存在

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[常见问题]蓝宝石抛光液--抛光磨料粒径、浓度及流速的影响[ 2022-12-08 11:33 ]

蓝宝石抛光液磨料粒径、浓度及流速的影响研究表明，在其它条件相同情况下, 随着蓝宝石抛光浆料浓度的增大, 抛光速率增大。对于粒径为80nm的研磨料: 蓝宝石抛光液的质量分数为10% 时, CMP去除速率为572.2nm /m in; 而随着质量分数增大至15%时,CMP去除速率增大至598.8nm/min; 质量分数继续增大至20% 时, CMP去除速率则增大至643.3nm/min。这主要是因为蓝宝石抛光液浓度的增大, 使得抛光过程中参与机械磨削的粒子数增多, 相应的有效粒子数也增多, 粒径一定的情况下,

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[吉致动态]吉致电子Slurry抛光浆料--阻挡层抛光液[ 2022-11-11 13:26 ]

目前，超大规模集成电路芯片的集成度已经达到了数十亿个元件，特征尺寸已经达到了纳米级，这就需要微电子技术中的数百道工序，尤其是多层布线、衬底、介质等必须通过CMP化学机械技术，抛光液和抛光垫磨抛达到平坦化。VLSI布线正从传统的铝布线工艺向铜布线工艺转变。铜材质具有快速迁移的特性，容易通过介质层扩散，导致相邻铜线之间漏电，进而导致器件特性失效。一般在沉积铜之前，在介质衬底上沉积扩散阻挡层，工业上已经广泛使用的阻挡层材料是tan/ta。化学抛光(CMP)技术slurry抛光浆料

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[常见问题]吉致电子硅溶胶抛光液的适用范围[ 2022-08-19 15:44 ]

硅溶胶抛光液又称氧化硅抛光液，通过离子交换法和水解法制备不同粒径的稳定硅溶胶，经过钝化添加化学助剂和特殊工艺配制成的二氧化硅抛光浆料，广泛应用于集成电路半导体、特殊材料、金属工件、脆硬镜面的抛光。吉致电子25年CMP抛光液生产厂家，可根据客户不同工艺要求定制调整抛光浆料。氧化硅抛光液主要适用范围:1.可用于玻璃陶瓷的表面抛光。2.用于硅片和IC加工的粗抛和精抛，适用于大规模集成电路多层膜的平坦化。3.用于半导体元件的加工，如晶圆后道CMP清洗、光导摄像管、多晶化模块、平板显示器、微电机系统等。4.广泛应用于CMP化

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[吉致动态]镜面抛光液---氧化硅抛光液在抛光中的作用[ 2022-08-12 14:17 ]

镜面抛光液的主要材料是纳米二氧化硅磨料，制备成的液体浆料也称为硅溶胶抛光液。二氧化硅抛光液主要适用于抛光蓝宝石衬底、硅片、半导体、精密电子工件、晶体等产品。二氧化硅抛光浆料主要利用硅胶离子的高速抛光来达到表面处理的效果。二氧化硅是用纳米技术制成的。根据工件抛磨要求，可制备出不同切削力的产品达到镜面抛光。粒度控制可以有效减少电子工件上的污垢，使用纳米级硅胶颗粒加工工件，不会损伤工件，同时还能达到理想效果氧化硅抛光液需要配合精抛垫使用，精抛垫的主要成分是聚氨酯，聚氨酯的众多孔隙可以将抛光液均匀地粘在其表面，与工件一起研

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吉致电子抛光材料源头厂家
25年专注CMP抛光材料研发与生产

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