吉致资讯第4期：化学机械抛光中抛光液流动的微性分析

CMP抛光中抛光液其流动速度有什么影响呢，今天就讲解下抛光液流动性的影响。

现代芯片制造领域中有两个相互矛盾的趋势：被加工件的尺寸越来越大，而所需的加工精度要求却越来越高，比如下一代集成电路中的晶片要求直径大于300mm而表面粗糙度和波纹度要小于几个埃，下一代磁盘也要求表面划痕深度≤1nm,粗糙度≤0.1nm.这样，有必要对材料进行分子去除.

抛光液其所含的化学物质与晶片表面或亚表面相互作用形成软化层或者弱键,或者对晶片表面产生钝化反应从而使得材料可以以光滑和均匀的方式被切除,其所含的固体(纳米)颗粒对软化或弱键表面的磨损形成精表面.

事实上,在CMP中,重要的相互作用就是表层膜的形成与切除(如晶片金属涂层的氧化与切除),切除材料从表面带走等等,所以对抛光液流动规律的了解将有助于理解CMP的机理.

抛光液的流变性能对去除率和抛光质量有重要作用.大多数的抛光液都含有固体粒子,如胶体氧化硅抛光液,可达到高的平整度.这样改变了其流变性能.从物理上讲,微流体是指这样一类流体:它由刚性、随机取向粒子(或者为球体)构成,粒子悬浮于粘性介质中,而粒子本身的变形可忽略不计.由于SiO2粒子通常以球形存在,用微流体来表征这种流体是一个较好的选择.

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