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[吉致动态]抛光“芯”程,毫厘必争:一文读懂硅片CMP化学机械研磨抛光工艺[ 2026-08-26 16:10 ]
一片薄如蝉翼的硅晶圆,如何承载上百亿颗晶体管,同时保持镜面般平整?这背后,离不开被誉为半导体制造“灵魂工艺”的关键技术——CMP化学机械研磨抛光。一、CMP化学机械抛光:让芯片“立”起来的隐形功臣CMP(Chemical Mechanical Polishing,化学机械研磨抛光)是集成电路制造中实现晶圆表面全局平坦化的核心工艺。它通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用,去除晶圆表面多余材料,让每一层电路都“踩”在同一水平面上
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[行业资讯]半导体晶圆CMP化学机械研磨抛光的原因[ 2024-06-24 17:19 ]
 什么是CMP化学机械研磨抛光?CMP(Chemical Mechanical Polishing)其实为化学与机械研磨(C&MP)的意思,化学作用与机械作用平等。目前CMP已成为半导体制程主流,其重要的原因主要有二:①为了缩小芯片面积,因此采用集成度高、细线化的多层金属互连线(七层以上),因线宽极细,且需多层堆叠,故光刻制程即为一关键步骤。若晶圆表面凹凸不平,平坦度差,则会影响光刻精确度,因此需以CMP达成晶圆上金属层间之全面平坦化(Global Planarization)。②为了降低元件之电
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[吉致动态]CMP抛光液---纳米氧化铈抛光液的优点[ 2023-03-03 09:15 ]
  通常化学机械研磨抛光工艺使用的CMP抛光液有金刚石抛光液、氧化硅抛光液、氧化铝抛光液及氧化铈抛光液(又称稀土抛光液)。  纳米氧化铈为水性液体是吉致电子采用先进的分散工艺,将纳米氧化铈粉体分散在水相介质中,形成高度分散化、均匀化和稳定化的纳米氧化铈水性悬浮液。1.在抛光材料应用中,纳米CeO2抛光液相对硅溶胶,具有抛光划伤少、抛光速度快、易清洗良品率高等优势,且PH中性,使用寿命长、对抛光表面污染小,不易风干。2.在抛光军用红外激光硅片、异型硅、超薄硅片方面上,尤其是抛光超薄硅片,纳米氧化铈
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