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[行业资讯]半导体晶圆CMP化学机械研磨抛光的原因[ 2024-06-24 17:19 ]: 什么是CMP化学机械研磨抛光？CMP（Chemical Mechanical Polishing）其实为化学与机械研磨（C&MP）的意思，化学作用与机械作用平等。目前CMP已成为半导体制程主流，其重要的原因主要有二：①为了缩小芯片面积，因此采用集成度高、细线化的多层金属互连线（七层以上），因线宽极细，且需多层堆叠，故光刻制程即为一关键步骤。若晶圆表面凹凸不平，平坦度差，则会影响光刻精确度，因此需以CMP达成晶圆上金属层间之全面平坦化（Global Planarization）。②为了降低元件之电; http://www.jzdz-wx.com/Article/bdtjycmphx_1.html

[常见问题]吉致电子--衬底与晶圆CMP磨抛工艺的区别[ 2024-05-29 15:44 ]: 在半导体制造过程中，衬底和晶圆是两个常见的术语。它们扮演着重要的角色，但在定义、结构和用途上存在一些差异和区别。衬底---作为基础层的材料，承载着芯片和器件。它通常是一个硅片或其他材料的薄片，作为承载芯片和电子器件的基础。衬底可以看作是半导体器件的“地基”。衬底的CMP磨抛工艺主要关注其表面的平整度、清洁度和粗糙度，确保后续工艺如外延生长、薄膜沉积等能够顺利进行。晶圆---则是从衬底中切割出来的圆形硅片，作为半导体芯片的主要基板。晶圆的CMP磨抛工艺; http://www.jzdz-wx.com/Article/jzdzcdyjyc_1.html

[常见问题]吉致电子---氧化铈研磨液在半导体CMP制程中的作用[ 2023-02-10 13:09 ]: 粒径30-50nm的球形氧化铈研磨液用于半导体芯片制程：应用于芯片制程中氧化硅薄膜、集成电路STI(浅沟槽隔离层)CMP STI目前已成为器件之间隔离的关键技术，目前已取代LOCOS(硅的局部氧化)技术。其主要步骤包括在纯硅片上刻蚀浅沟槽、进行二氧化硅沉积、后用CMP技术进行表面平坦化。目前的研究表明采用纳米氧化铈作为CMP磨料，在抛光效率及效果上均优于其他产品。纳米氧化铈抛光液在硅晶圆CMP平坦化的效果优异粒径小于100nm的球形氧化铈抛光液用于单晶硅片表面C; http://www.jzdz-wx.com/Article/jzdzyhsymy_1.html

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