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[吉致动态]碳化硅抛光垫选型指南：4道工序如何匹配CMP解决方案？[ 2025-05-02 09:00 ]: 在碳化硅衬底的研磨和抛光工艺中，抛光垫的选择需根据工序特性（粗磨、精磨、粗抛、精抛）匹配不同性能的抛光垫。以下是关键要点及吉致电子产品的适配方案：碳化硅抛光垫选型要点一、碳化硅衬底粗磨阶段需求：高材料去除率、强耐磨性。推荐：高硬度复合无纺布抛光垫JZ-1020，压纹/开槽设计增强研磨液流动性，避免碎屑堆积。二、碳化硅衬底精磨阶段需求：平衡表面平整度与中等去除率。推荐：中硬度抛光垫，特殊纤维结构提升表面一致性，减少亚表面损伤。碳化硅SiC衬底研磨垫（JZ-1020粗磨/精磨）三、碳化硅衬底粗抛阶段需求：过渡到低表面; http://www.jzdz-wx.com/Article/thgpgdxxzn_1.html

[行业资讯]吉致电子SiC碳化硅研磨垫国产替代[ 2024-12-31 14:03 ]: 在碳化硅抛光垫/研磨垫（SiC CMP Pad）市场中，高端领域呈现出寡头垄断的格局。其中，杜邦Suba800系列产品被广泛采用，同时也有部分客户选择杜邦的Suba600和Suba400系列，以及Supreme Series和Politex系列等产品。此外，日本厂商Fujibo也在市场中扮演着关键角色，其主打产品包括G804W、728NX和FPK66等型号。在竞争激烈的半导体集成电路市场中，除了上述提到的几款CMP抛光垫产品外，国内一些新兴企业也在不断研发创新，试图打破现有的市场格局，为; http://www.jzdz-wx.com/Article/jzdzsicthg_1.html

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