在半导体晶圆、宽禁带衬底、光学晶体的CMP化学机械精密抛光制程中，工件固定方式是决定抛光TTV（总厚度偏差）、面型平整度、良率稳定性的核心关键。传统抛光依赖石蜡粘接固定，存在工序繁琐、除蜡残留污染、适配自动化产线难度大、翘曲工件贴合性差等诸多工艺痛点。

在此背景下，CMP无蜡吸附垫（行业别称：CMP背附模板、真空吸附Template、抛光背垫板）逐步替代传统上蜡工艺，成为高端精密抛光、半导体先进制程的核心配套耗材。凭借真空负压吸附的无接触固定模式，彻底解决石蜡工艺的污染与精度短板，广泛适配各类高精度、高洁净度抛光场景。无锡吉致电子深耕CMP精密抛光耗材领域多年，聚焦不同材质衬底与复杂抛光工况，研发全系列定制化无蜡吸附垫产品，全方位覆盖半导体、光学、陶瓷基板等多领域抛光需求，助力产线耗材国产化替代与良率升级。

一、CMP无蜡吸附垫工作原理及工艺核心优势

CMP无蜡吸附垫专属适配抛光机抛光头（Carrier），核心依托材料内部**互通式微孔结构**实现全域真空导通。设备启动负压后，吸附垫可形成均匀吸附力，紧密贴合固定晶圆、各类衬底工件，全程无需石蜡、胶水等粘接介质，是替代传统粘接工艺的新型精密固定方案。

相较于传统上蜡工艺，无蜡吸附垫的工艺优势极具竞争力，完美适配高端精密抛光的严苛要求：

①杜绝污染，提升制程洁净度：省去上蜡、高温除蜡、溶剂清洗等多道工序，从根源规避有机残留、溶剂污染问题，满足半导体先进制程、光学器件的高洁净生产标准。

②适配自动化，提效降本：支持全自动抛光产线连续作业，无需人工涂蜡、对位清理，大幅缩短生产节拍，降低人工与耗材成本，适配规模化量产需求。

③柔性适配，优化抛光精度：依托基材弹性与微孔缓冲结构，可自适应修正工件轻微翘曲、形变问题，保障工件抛光全域压力均匀，有效降低TTV数值，提升面型平整度一致性。

④耐用性强，工艺稳定性高：耐酸碱CMP浆料腐蚀、耐反复负压吸附，使用寿命远优于传统粘接辅料，减少制程换料频次，稳定产线工艺参数。

行业三类核心抛光耗材精准区分（避免选型混淆）

CMP制程中三类垫材功能差异极大，是选型核心依据，多数工艺误区均源于耗材混淆：

· CMP无蜡吸附垫（Template/背附模板）：安装于抛光头内侧、工件背面，核心功能是真空固定工件、均匀分摊抛光压力，无研磨作用。

· CMP抛光垫：铺设于设备转盘（Platen）表面，直接与工件正面接触，依靠磨料浆料完成研磨、平整加工，根据工序不同大致分为研磨垫和精抛垫。

· 缓冲垫：贴合在抛光垫底部，仅起到弹性缓冲、微调全域平整度的作用，无真空吸附结构，不具备工件固定能力。

二、吉致电子CMP无蜡吸附垫主流材质及适配工况

针对不同工件硬度、翘曲度、尺寸规格、抛光精度要求，吉致电子针对性研发四大材质系列吸附垫，覆盖从常规量产到超高精度、超薄脆性工件的全场景抛光需求，杜绝单一材质适配性差导致的良率波动。

1.多孔PU发泡吸附垫（行业主流量产款）

采用高密度开孔聚氨酯材质，微孔分布均匀，真空导通稳定不泄压，基材弹性、硬度可定制化调节，是通用性最强的核心品类。根据压缩率分为三大型号，精准匹配不同工艺场景：

低压缩款：基材刚性强、形变量极小，可最大程度保留工件原始平整度，专为薄型、低形变、高精度衬底抛光设计。

中压缩款：平衡刚性与弹性，工艺容错率高、抛光均匀性稳定，适配绝大多数常规晶圆、基板量产抛光场景，是量产首选型号。

高压缩款：回弹缓冲性能优异，可有效吸收、修正工件翘曲形变，专门适配Bow/Warp翘曲度偏大的衬底材料，解决形变工件抛光厚薄不均问题。

2.多层复合结构吸附垫

采用“表层多孔吸附层+中层高强度支撑层+PET稳定背基层”三层复合结构，彻底解决传统单层垫易拉伸、易变形、尺寸偏移的问题。整体尺寸稳定性极强、平整度高，优先适配8/12寸大尺寸晶圆、大规格基板的精密抛光，可长期维持稳定的真空吸附效果，适配高精度量产制程。

3.纤维织物型吸附垫

表层采用细腻绒面多孔织物结构，质地柔软、触感温润，无硬质颗粒，不会划伤超薄、高脆性工件表面。兼具透气吸附与缓冲防护双重特性，主要用于光学玻璃、精密掩膜板、超薄晶体等易损工件的抛光加工，有效保护工件表层精度。

4.防静电导电吸附垫

在改性PU基材中均匀添加导电填料，形成稳定导电通路，可快速释放抛光过程中产生的静电，杜绝静电积聚击穿风险。专为掩膜版、敏感薄膜、精密光学元器件等静电敏感型工件设计，适配高精密、高灵敏度CMP抛光制程。

三、全品类适配工件与应用场景

吉致电子CMP无蜡吸附垫兼容性极强，可覆盖半导体、光电子、功率器件、陶瓷封装等多领域精密衬底抛光加工，支持标准规格与异形定制：

半导体硅片：8寸、12寸大尺寸硅片单面精密CMP抛光

宽禁带功率衬底：SiC碳化硅、GaN氮化镓、蓝宝石等高硬度、高精密衬底抛光

光学晶体与器件：铌酸锂、钽酸锂、硫系玻璃、精密光学玻璃、掩膜板空白基板抛光

陶瓷封装基板：AMB、DPC、DBC各类陶瓷覆铜板平面抛光加工

异形定制工件：异形光学结构件、小型芯片、特种衬底，支持按工件轮廓精准开孔、成型定制

四、CMP无蜡吸附垫核心选型参数（精准选型关键）

吸附垫选型直接决定抛光良率与工艺稳定性，核心参考五大关键参数，可根据实际工况个性化定制，适配不同设备与工艺标准：

厚度规格：常规厚度区间0.65～1.3mm，主流通用规格包含0.6mm、0.8mm、1.1mm、1.3mm，支持非标厚度定制，适配不同抛光头装配精度。

压缩率（核心工艺指标）：5%低压缩（高刚性）、8%中压缩（通用平衡型）、20%～35%高压缩（高缓冲型），依据工件翘曲度、面型精度要求匹配选型。

孔隙结构：精准调控开孔率、微孔孔径，平衡真空吸附稳定性与浆料渗透性能，避免微孔堵塞、吸附泄压、浆料残留等问题。

基材性能：严格把控基材硬度、回弹韧性、耐腐蚀性能，可长期耐受酸碱CMP浆料浸泡、反复负压作业，不易老化、变形、破损。

背胶工艺：采用专用耐水、耐化学腐蚀背胶，浸泡不脱层、高温作业不脱落，抛光完成后无残胶残留，杜绝二次污染。

五、吉致电子JEEZ无蜡吸附垫产品系列优势

无锡吉致电子自主研发的JEEZ无蜡吸附垫，涵盖JZ-LM、JZ-DM、JZ-LG、JZ-DG四大核心系列，厚度覆盖0.65～1.3mm，压缩率区间5%～35%，全面覆盖高低精度、大小尺寸、常规/异形工件抛光场景。

全系产品可完美替代进口高端CMP Template耗材，高度适配市面主流CMP抛光设备，装配兼容性强、工艺稳定性高。依托自主材料配方与精密成型工艺，有效帮助半导体、光学制造企业实现CMP耗材国产化替代，大幅降低采购成本，同时稳定优化工件TTV、平整度与量产良率。除此之外，品牌可提供抛光垫、阻尼垫等全套CMP配套耗材，实现一站式耗材配套服务。

总结

CMP无蜡吸附垫属于CMP精密抛光制程中“隐性核心耗材”，虽不直接参与研磨，但对工件平整度、良率、洁净度起到决定性作用，是高端精密抛光产线升级、自动化量产、国产化替代的关键配套。无锡吉致电子凭借成熟的材料研发与工艺落地经验，针对不同行业、不同工件的抛光痛点，提供定制化无蜡吸附垫解决方案，助力国内精密制造产业提质、增效、降本，推动CMP耗材全面国产化升级。

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