在单晶硅片加工工艺中，CMP化学机械抛光是决定硅片平整度、表面粗糙度、良率及电学性能的核心工序。抛光液Slurry作为抛光工艺的核心耗材，其配方体系、磨料特性、稳定性直接决定硅片最终加工品质。针对光伏硅片、通用半导体衬底、外延级高端硅片等不同场景的差异化加工需求，吉致电子打造全品类分级硅片抛光液体系，涵盖氧化铝、气相二氧化硅、胶体二氧化硅粗抛/精抛/终抛全系列产品，以精细化配方匹配不同工艺阶段，实现高效整平、低损伤抛光、超光滑镜面成型，全方位适配各层级硅片生产加工需求。

一、工艺分级设计，精准匹配全工序抛光需求

基于硅片“粗磨→粗抛→中抛→精抛”的加工逻辑，我们对抛光液产品进行梯度化细分，解决传统抛光液适配性差、效率与品质无法兼顾、表面损伤超标等行业痛点，实现工艺效率与产品良率的双向提升。

1.氧化铝研磨液｜高效整平，降本增效首选

吉致电子氧化铝去粗研磨采用高硬度α/γ相氧化铝磨料，凭借优异的机械切削性能，具备超高材料去除速率，可快速去除硅片切割、研磨工序产生的刀纹、损伤层、毛刺与凹凸缺陷，高效完成硅片初始整平作业。产品配方稳定、性价比突出，大幅降低前端粗加工生产成本。

适配场景：仅用于硅片首道去粗整平工序，适配光伏硅片、普通工业硅片前期加工。因磨料带有棱角，存在轻微微划伤风险，且易产生亚表面晶格损伤，不可用于粗抛及镜面终抛工序，开粗后需搭配二氧化硅系列抛光液进一步精修。

2.气相二氧化硅抛光液｜高性价比通用粗抛方案

吉致电子气相二氧化硅抛光液采用气相法二氧化硅磨料，相较于传统普通胶体硅抛光液，去除速率显著提升，原料成本可控，性价比高。硅片粗抛液采用碱性体系，化学腐蚀与机械研磨协同作用，可快速优化硅片基础平整度，满足中低端抛光工艺的效率要求。

适配场景：主打经济型光伏硅片粗抛加工。受限于链状团聚颗粒结构，产品分散稳定性一般，抛光后易产生轻微雾度与微缺陷，不适用于半导体高端衬底、外延片等高精度加工场景。

3.胶体二氧化硅粗抛液｜低划伤，工业级主流粗抛

作为行业通用主流粗抛产品，吉致电子胶体二氧化硅粗抛液采用高纯度球形纳米胶体二氧化硅为磨料，颗粒圆润均匀、无硬团聚、沉降率极低，完美规避氧化铝磨料易划伤的痛点。搭配优化配方与专用助剂，平衡化学腐蚀与机械磨削力度，去除速率适中，可有效消除硅片前期加工损伤层，同时保障硅片表面均匀性。

产品优势;低缺陷、易清洗、兼容性强，抛光后表面残留颗粒可通过常规清洗工艺快速去除，有效提升成片良率，广泛适配光伏硅片、通用半导体硅片的标准粗抛工序，是兼顾效率与品质的通用型解决方案。

4.胶体二氧化硅中抛液｜均衡性能，中段精密抛光核心

吉致电子胶体二氧化硅精抛液针对粗抛后的精细化打磨需求研发，选用中等粒径球形胶体硅磨料，复配精准配比的润湿剂、螯合剂、分散稳定剂，适度弱化强腐蚀性能，精准平衡材料去除速率与表面加工精度。可有效修复粗抛残留的细微纹路、局部厚度偏差，大幅优化硅片TTV整体厚度均匀性，抑制微缺陷滋生。

本品作为粗抛与终抛之间的关键过渡产品，既能保障工艺生产效率，又能为后续镜面抛光奠定优质基础，是半导体硅片中段精密抛光的核心耗材。

5.胶体二氧化硅精抛液｜超光滑低损伤，高端芯片级镜面抛光

吉致电子胶体二氧化硅精抛液面向高端半导体领域严苛标准打造，采用超细高纯球形硅溶胶，搭配低腐蚀温和配方，严控重金属杂质含量，杂质等级达到芯片级标准。抛光过程机械磨削柔和、化学腐蚀均匀，可实现亚纳米级表面粗糙度，硅片亚表面损伤层极薄、雾度极低、无微观划伤，最大程度保留硅片原生电学性能

适配场景：专注外延硅片、IC集成电路衬底、高端功率器件硅片的最终镜面抛光，是高端半导体硅片量产的核心配套产品，可满足超高精度、高稳定性的器件制备要求。

二、吉致电子产品核心优势，铸就高品质抛光工艺

1.全工序梯度适配：覆盖粗抛、中抛、精抛全流程，可根据客户产品定位，自由搭配工艺组合，适配低端光伏到高端半导体全品类硅片加工。

2.品质稳定可控：纳米磨料粒径均匀，胶体体系稳定性强，长期储存不易沉降、絮凝，批次一致性高，有效规避量产工艺波动问题。

3.工艺兼容性强：适配各类主流抛光设备、粗细抛光垫，可按需稀释使用，清洗便捷、废液处理简单，量产实用性极强。

4.定制化可调配方：可针对客户设备参数、工艺目标（平整度、粗糙度、去除速率）、硅片品类，定制专属抛光液配方，精准匹配个性化生产需求。

无锡吉致电子科技有限公司

https://www.jzdz-wx.com

联系电话：17706168670