化学机械抛光技术初是用于获得高质量的玻璃表面，如军用望眼镜等，它是通过软磨硬的原理进行抛光，在CMP中，通常是被抛光晶体下压在抛光垫上与其进行相反的旋转，而含有磨料和化学反应物的抛光液在晶片和抛光垫之间流动，实现晶片表面层的钝化和去除，在他们的化学反应下形成精细的表面。但是CMP会受到很多技术影响，比如对不同抛光的材质，化学作用和机械作用对材料去除和表面平整的关系大不相同，比如在典型的二氧化硅抛光中，机械的相互作用起主导作用，而金属材料的抛光中，即使没有机械的相互作用，酸性的抛光液也可以溶解金属表面层，体现出这是化学作用主导的抛光过程。

抛光液所含的化学剂和晶片表面互相作用，然后磨粒冲击晶片表面获得机械切除。化学作用在难于被磨损的金属CMP尤为重要，在金属抛光的抛光液中可以包含强的刻蚀剂和氧化剂，对金属产生强冲击和溶解，另外抛光液中还可以包含钝化剂以保护表层，比如在铜的抛光中，刻蚀和钝化的联合作用可以形成效率的平整表面。

抛光液对CMP过程有重要作用。在抛光中,其所含的化学物质与晶片表面或亚表面相互作用形成软化层或者弱键,或者对晶片表面产生钝化反应从而使得材料可以以光滑和均匀的方式被切除,其所含的固体(纳米)颗粒对软化或弱键表面的磨损形成精表面。事实上,在CMP中,重要的相互作用就是表层膜的形成与切除(如晶片金属涂层的氧化与切除)、切除材料从表面带走等。

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