半导体CMP工艺抛光液---STI浅槽隔离抛光液slurry的应用:

浅槽隔离（shallow trench isolation），简称STI。是在衬底上制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺，通常用于亚0.25um工艺以下，利用掩模完成选择性氧化，主要绝缘材料是淀积SiO?，浅槽隔离主要分为三个部分：槽刻蚀，氧化硅填充，氧化硅平坦化。

一，槽刻蚀

1,隔离氧化硅生成：氧化硅用于保护有源区在去掉氮化硅时免受化学污染

2,氮化硅(Si₃N₄)淀积：氮化硅是坚硬的掩模材料，有助于保护STI氧化硅淀积过程中保护有源区；在化学机械抛光(CMP)中充当阻挡材料

3,浅槽刻蚀：用氟基和氯基气体离子刻蚀

二，氧化硅（SiO₂）填充

1,沟槽衬垫氧化硅：高温生长一层150A的氧化硅

2,浅槽CVD氧化物填充：淀积氧化硅

三，氧化硅平坦化

  吉致电子STI Slurry浅槽隔离抛光液适用于集成电路、半导体工件当中的铜互连工艺制程中铜的去除和平坦化。具有高的铜去除速率，碟型凹陷可调，低缺陷等特性。可应用于逻辑芯片以及3D NAND和DRAM芯片等量产使用。清除集成电路中铜抛光后表面的抛光颗粒和化学物残留，以防铜表面腐蚀，降低表面缺陷。

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