- [行业资讯]CMP抛光液:从第一代到第三代半导体材料的精密抛光利器[ 2025-03-14 15:21 ]
- 随着半导体技术的飞速发展,化学机械抛光(CMP)工艺在集成电路制造中的地位愈发重要。CMP抛光液作为这一工艺的核心材料,不仅广泛应用于传统的第一代和第二代半导体材料,如硅(Si)和砷化镓(GaAs),更在第三代半导体材料的抛光中展现出巨大的潜力。CMP抛光液在第三代半导体材料中的应用第三代半导体材料以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石和氮化铝(AlN)为代表,具有宽禁带、高导热率、抗辐射能力强、电子饱和漂移速率大等优异特性。这些材料在高温、高频、大功率电子器件中表现突出,成为5G基站、新能
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- [常见问题]SiC碳化硅应用领域有哪些?[ 2024-04-30 18:03 ]
- 碳化硅材料主要包括单晶和陶瓷两大类,无论是作为单晶还是陶瓷,碳化硅材料目前已成为半导体、新能源汽车、光伏等三大干亿赛道的关键材料之一。例如:单晶方面:碳化硅作为目前发展最成熟的第三代半导体材料,可谓是近年来最火热的半导体材料。尤其是在“双碳”战略背景下,碳化硅被深度绑定新能源汽车、光伏、储能等节能减碳行业,万众瞩目。陶瓷方面:碳化硅凭借其优异的高温强度、高硬度、高弹性模量、高耐磨性、高导热性、耐腐蚀性等性能,近年来随着新能源汽车、半导体、光伏等行业的起飞而需求爆发,深深地渗入到这些新兴领域的
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- [常见问题]第三代半导体--碳化硅和氮化镓的区别[ 2023-11-03 17:35 ]
- 随着国家对第三代半导体材料的重视,近年来我国半导体材料市场发展迅猛,其中以碳化硅SiC与氮化镓NaG为主的材料备受关注,两者经常被拿来比较。 同为宽近带半导体的成员,碳化硅SiC与氮化镓NaG有何相同、有何不同呢?碳化硅与氮化家均属于宽禁带半导体材料,它们具有禁代宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好的特点。 随着市场对半导体器件微型化、导热性的高要求,这类材料的市场需求暴涨,适用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。 ①性能不同:高电子迁移
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- [吉致动态]第三代半导体材料--碳化硅晶圆SiC抛光液[ 2023-04-17 16:49 ]
- 随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向其物理极限,同时硅也满足不了微波射频、高效功率电子和光电子等新需求快速发展的需要,以化合物半导体材料,特别是第三代半导体为代表的半导体新材料快速崛起。 碳化硅是新型电力系统,特高压电网必需的可达万伏千安等级的唯一功率半导体材料,同时也是高铁和新能源汽车牵引、电控系统的“心脏”。从国际技术发展水平来看,碳化硅方面,8英寸衬底开始产业化,车规级功率器件是当前开发重点,多家厂商已推出大功率模组及高温封装产品,碳化硅器件正向耐受更高电压
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- [行业资讯]抛光液厂家--CMP抛光液用于几代半导体材料?[ 2023-02-17 15:50 ]
- CMP抛光液用于几代半导体材料? CMP抛光液越来越多的应用于第三代半导体材料的抛光,科研方向朝着攻克抛光液技术门槛和市场壁垒发展。CMP工艺的集成电路比例在不断增加,对CMP材料种类和用量的需求也在增加。更先进的逻辑芯片工艺可能会要求抛光新的材料,为CMP抛光材料带来了更多的增长机会。 目前,第三代半导体材料主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料。这代半导体具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力
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- [行业资讯]半导体抛光液---半导体材料有哪些?[ 2022-11-17 15:37 ]
- 半导体业内从材料端分为:第一代元素半导体材料,如硅(Si)和锗(Ge);第二代化合物半导体材料:如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;第三代宽禁带材料:如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等。 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,因为禁带宽度大于2.2eV统称为宽禁带半导体材料,在国内也称为第三代半导体材料。其中碳化硅和氮化镓是目前商业前景最明朗的半导体材料,堪称半导体产业内新一代“黄金赛道&
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