什么是SIC碳化硅衬底的常规双面磨工艺
碳化硅SIC研磨工艺是去除切割过程中造成碳化硅晶片的表面刀纹以及表面损伤层,修复切割产生的变形。由于SiC的高硬度的特性,CMP研磨过程中必须使用高硬度的磨料(如碳化硼或金刚石粉)研磨SiC切片的晶体表面。碳化硅衬底常规的CMP研磨工艺一般分为粗磨和精磨。
SiC衬底常规双面磨工艺
双面磨工艺又称DMP工艺,是大部分国内碳化硅衬底厂商规模化生产的工艺方案,对碳化硅进行双面研磨(粗磨/精磨)达到一定的表面平整度和光洁度。
该工艺可以有效的去除线割产生的损伤层,修复面型,降低TTV,Bow,Warp,去除速率稳定,一般能达到0.8-1.2um/min的去除率。但该工艺加工后的晶片表面是亚光面, 粗糙度较大,一般在50nm左右,对后工序的去除要求较高。
②精磨:采用聚氨酯发泡Pad+多晶金刚石研磨液双面研磨的方式该工艺加工后的碳化硅晶圆表面粗糙度低,能达到Ra<3nm,这更有利于碳化硅衬底片后工序的抛光。
随着双面磨工艺发展,又改良出新的研磨工艺--- 团聚金刚石双面研磨工艺,该工艺良率高,成本更低,精磨损伤层更低,更有利于抛光,再后续的文章中吉致电子小编会介绍团聚金刚石双面研磨工艺的具体工序和特点。
本文由无锡吉致电子科技原创,版权归无锡吉致电子科技,未经允许,不得转载,转载需附出处及原文链接。http://www.jzdz-wx.com/
无锡吉致电子科技有限公司
联系电话:17706168670
邮编:214000
地址:江苏省无锡市新吴区新吴区新荣路6号
下一篇:已经是最后一篇了上一篇:CMP制程中抛光垫的作用有哪些?
相关资讯
最新产品
同类文章排行
- 什么是SIC碳化硅衬底的常规双面磨工艺
- CMP制程中抛光垫的作用有哪些?
- CMP化学机械抛光在半导体领域的重要作用
- 第三代半导体--碳化硅和氮化镓的区别
- 蓝宝石衬底抛光液--纳米氧化铝抛光液/研磨液
- 半导体抛光中铜抛光液和钨抛光液的区别
- 打磨碳化硅需要哪种抛光垫?
- 二氧化硅抛光液与硅溶胶抛光液有啥不同
- 碳化硅Sic衬底加工流程有哪些
- 半导体抛光---硅片抛光垫怎么选