化学机械平坦化（CMP）工艺是半导体制造中的核心技术，其通过化学与机械协同作用实现纳米级表面精度，对集成电路性能至关重要。以下从技术、市场及国产化角度进行专业分析：

一、CMP工艺核心要素

1. 抛光液（Slurry）

• 化学组分：氧化剂（如H₂O₂用于Cu CMP）、磨料（纳米SiO₂/Al₂O₃）、pH调节剂及缓蚀剂，需针对材料特性（如Cu/W/SiC）定制配方。

• 关键参数：材料去除率（MRR）、选择比（Selectivity）、表面粗糙度（Ra＜0.5nm）及缺陷控制（如划痕≤30nm）。

• 吉致电子优势：25年技术积累可提供SiC晶片（硬度高，需高选择性研磨液）和钼（易氧化，需缓蚀配方）等特殊材料解决方案。

2. 抛光垫（Pad）

• 多孔聚氨酯材料，硬度/孔隙率影响平坦化效率。需与Slurry协同优化，如硬垫（IC1000）配高活性抛光液提升MRR。

3. 工艺控制

• 终点检测（如光学干涉法）确保厚度精度（±5nm）；清洗步骤减少残留颗粒（缺陷密度＜0.1/cm²）。

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二、细分工艺应用

三、国产化突破路径 ：CMP抛光液/CMP抛光垫国产替代

1. 技术壁垒

• 高端Slurry市场被Cabot、杜邦垄断（市占＞70%），核心专利涉及纳米磨料分散稳定性及金属络合剂配方。

2. 吉致电子积极研发生产国产替代化CMP耗材

• 定制化开发：与晶圆、芯片厂家、高校研究所等联合开发，从技术突破、产业链协同、市场策略等多维度推进

• 磨料自主化，材料创新，配方优化。（抛光垫PAD suba800/环球IC1000/LP66国产替代产品技术成熟稳定）
  

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