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高硬度蓝宝石CMP加工:材料特性与抛光液选型参考

文章出处:责任编辑:人气:-发表时间:2026-08-13 15:11【

蓝宝石(单晶Al2O3)莫氏硬度高达9,具备优异透光性、耐高温与化学稳定性,是LED外延衬底、光学窗口、光电传感器的重要基材。由于材质硬度高、晶体存在各向异性(A向、C向、M向)传统研磨易产生微划痕与亚表面损伤;CMP化学机械抛光成为实现蓝宝石原子级超光滑表面的核心工艺,而抛光液配方体系,直接决定去除速率、表面粗糙度与成品良率。

蓝宝石工件量产抛光普遍采用粗抛—中抛—精抛3道阶梯式工艺,不同工序对应差异化抛光液体系,主要分为纳米氧化铝体系、胶体二氧化硅体系两大方向。

一、蓝宝石CMP主流抛光液体系特点

1.纳米氧化铝抛光液|粗抛/中抛工序

碱性氧化铝抛光液体系利用机械研磨协同表面水合反应,拥有突出的材料去除速率,适合切片后蓝宝石衬底粗抛、中抛制程。

优势:磨料硬度与蓝宝石匹配,量产MRR稳定,有效快速消除前道加工损伤层;

粒径区间丰富,可根据工艺灵活调配;循环使用性能良好,有效压缩整体加工工时。

注意事项:需严格管控大颗粒杂质,搭配持续搅拌防止沉降,多用于前段去除工序,不建议直接用于最终镜面精抛。

2.二氧化硅(硅溶胶)抛光液|终道精抛工序

球形纳米胶体二氧化硅是蓝宝石外延级衬底收尾抛光首选方案。

优势:颗粒形貌圆润、无尖锐棱角,大幅降低表面划痕风险,亚表面损伤极低;金属离子杂质可控,抛光后衬底易清洗,能够实现纳米级超低粗糙度,满足GaN外延生长严苛要求。

局限:机械切削能力偏弱,材料去除速率较低,仅适用于最终精抛工序。

吉致电子二氧化硅抛光液 硅溶胶抛光液

行业主流成熟量产工艺组合:氧化铝粗抛→硅溶胶终精抛

二、优质蓝宝石CMP抛光液5大指标

一套适配量产的抛光液,需要平衡多项关键指标:

①窄粒径分布,严控超大颗粒,从源头规避划痕缺陷;

②优异悬浮稳定性,长时间循环供液不易团聚分层;

③低金属杂质含量,适配外延级洁净生产要求;

④适配主流聚氨酯抛光垫,与量产抛光设备兼容性强;

⑤兼顾高效去除速率与低亚表面损伤,适配C面、A面不同晶向蓝宝石加工。

三、蓝宝石CMP抛光液品牌方案推荐

目前市场抛光液分为进口高端产品与国产化成熟方案两大类。进口品牌工艺积淀深厚,但交付周期长、采购成本偏高;随着国产电子化学品技术突破,本土供应商凭借快速定制、就近技术服务、高性价比优势,成为国内蓝宝石厂商优先选择。

吉致电子——蓝宝石CMP抛光全套方案供应商吉致电子深耕硬脆晶体CMP耗材研发与量产,推出蓝宝石专用系列抛光液,覆盖粗抛纳米氧化铝抛光液、终抛电子级碱性硅溶胶抛光液,适配6/8英寸LED蓝宝石衬底、光学蓝宝石窗口片量产产线。 

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