吉致电子这次合作的客户为国内某碳化硅功率衬底头部企业，主营4寸导电型SiC衬底量产加工，产品专供新能源汽车主逆变器、800V快充模块等车规级功率器件晶圆制造。企业产线扩产阶段，受传统进口耗材与蜡粘固定工艺制约，抛光效率、衬底良率及表面品质难以满足车载外延高标准，亟需国产化DMP/CMP一体化耗材方案实现工艺升级与供应链自主可控。

客户核心工艺痛点

1. 抛光效率低、表面缺陷严重
碳化硅莫氏硬度高达9级，普通通用抛光液材料去除速率不足，单面抛光周期长；抛光后衬底表面微划痕、晶格损伤多，无法满足车规外延片粗糙度标准，大量衬底返工报废。

2. 蜡粘固定工艺引发批量良率损失
行业传统蜡粘贴合方案在抛光升温过程中产生明显热应力，衬底受力分布不均，加工后出现翘曲、边缘崩边、厚度均匀性差等问题，衬底报废率居高不下，推高单片生产成本。

3. 高端耗材长期依赖海外，供应链风险突出
SiC专用研磨、抛光液及配套抛光垫核心耗材长期被国外厂商垄断，采购周期长、定价高昂，供货稳定性无法匹配国内新能源车企快速扩产需求。

吉致电子碳化硅抛光定制化全流程配套解决方案

吉致电子针对客户4寸SiC衬底全制程打磨抛光需求，推出研磨液+抛光液+专用抛光垫+无蜡吸附垫一体化成套方案，覆盖粗磨、精磨、粗抛、精抛四道完整工序，搭配Template无蜡吸附垫彻底替代传统蜡粘工艺：

1. 粗磨工序：JZ-8003碳化硅粗磨液+JZ-1020研磨垫
快速去除切片带来的深损伤层，稳定提升基础去除速率，大幅缩短后端抛光负荷。

2. 精磨工序：JZ-8001碳化硅精磨液+JZ-1020研磨垫
均匀修整衬底平整度，降低表面粗损伤，为超精密抛光奠定基础。

3. 粗抛工序：JZ-8010专用粗抛液+JZ-2020粗抛垫
快速削减表面起伏，平衡去除效率与表层损伤，减少划痕产生。

4. 精抛工序：JZ-8020精抛液+JZ-326高端精抛垫
实现低损伤超光滑表面加工，精准匹配车载外延严苛粗糙度指标。
配套工艺升级：全线替换Template无蜡吸附垫，取消高温蜡粘固定，从根源消除热应力对衬底形态的破坏。

项目落地实测成效

1. 加工效率大幅翻倍
整套耗材方案显著提升SiC材料去除速率，衬底单面抛光总时长直接缩短50%，产线单片产能提升，适配客户扩产增产节奏。

2. 衬底良率显著改善
无蜡吸附垫工艺彻底规避热应力缺陷，衬底翘曲、崩边问题得到根治，边缘报废率大幅下降，单片加工综合成本有效降低。

3. 表面品质达标车规级外延标准
衬底精抛后整体表面粗糙度Ra稳定＜0.1nm，最优表面质量可达0.06nm；精抛阶段稳定去除速率0.25μm/H，无明显微划痕、亚表面损伤，完全满足新能源汽车功率器件外延生长准入要求。

4. 实现核心耗材国产化自主替代
整套SiC研磨抛光耗材均为吉致电子自研自产，全面替代进口产品，打破海外厂商长期技术垄断，缩短供货周期，消除供应链断供风险。

方案价值与应用延伸

本方案已批量应用于客户新能源汽车主逆变器、车载快充模块SiC晶圆产线。吉致电子以“降本、提效、升良”为核心目标，持续迭代DMP/CMP全系列耗材配方与抛光垫结构。吉致电子面向国内第三代半导体衬底制造企业，可提供4/6寸全尺寸SiC导电/半绝缘衬底一站式磨抛耗材解决方案，助力新能源功率半导体产业链实现关键耗材自主可控，加速国产碳化硅器件规模化上车。

无锡吉致电子科技有限公司

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