在光通信、射频通讯、光电传感的高端制造赛道里，钽酸锂（LT）、铌酸锂（LN）晶圆衬底绝对是核心刚需基材。凭借出色的压电、光电、声光性能，它被广泛用于光通信调制器、SAW滤波器、红外光学器件、高频通讯元件等核心产品中。

但做过LT/LN晶圆精密加工的同行都清楚，这类硬脆晶体的CMP抛光，一直是量产环节的痛点难点。

不同于普通硅片抛光，LT、LN晶体硬度高、材质脆、晶格特殊，在产线高压、高转速的高效CMP工况下，很容易出现三大问题：研磨速率慢、基板平坦度差、抛光后表面颗粒残留多。

更头疼的是，颗粒残留超标就必须增加RCA清洗工序，不仅拖慢生产节奏、增加耗材成本，反复清洗还可能损伤基板表层，直接拉低产品良品率。

针对行业普遍存在的这些量产痛点，吉致电子研发并推出出了JZ-4904 LT/LN晶圆抛光专用双组分抛光液，专门适配高压高速的严苛CMP工况，兼顾加工效率、镜面精度与表面洁净度，适配铌酸锂/钽酸锂晶圆与复合衬底的规模化精密抛光。JZ-4904双组分抛光液的核心优势，就是适配量产级严苛工况，高速高压下依旧稳定输出高精度抛光效果。

吉致电子CMP抛光液 JZ-4904四大性能优势，解决LT/LN抛光核心痛点

1.双组分定制配方，精准匹配LT/LN晶体特性

市面上通用抛光液大多采用单一配方，无法适配LT、LN特殊的晶格结构和理化属性，容易出现研磨不均、亚表面损伤、微划痕等问题。

JZ-4904依托大量晶体抛光实验数据优化双组分复合体系，精准平衡化学腐蚀与机械研磨的协同作用。既能快速去除基板表面的机械损伤层，又能有效抑制磨料团聚、表层划伤，最大程度保留晶体基板的完整性，批次稳定性远优于传统单组分产品，完全适配工业化连续量产。

2.高压高速工况拉满，效率、平整度双提升

这是这款抛光液最核心的量产优势。针对产线主流高压、高转速CMP工艺，JZ-4904优化了纳米磨料粒径分布与表面活性体系，在高强度加工工况下，依旧能维持超高且稳定的材料去除速率。

简单来说：同样的工艺参数，抛光耗时更短；同样的加工时长，平整度精度更高。

抛光后LT/LN基板面内一致性极佳，表面粗糙度达到纳米级，彻底解决高速抛光带来的塌边、凹凸不平、厚薄偏差等问题，完全满足高端光电器件、高频通讯元件的超高精度基材要求。

3.全场景兼容，单晶、复合衬底通用

很多抛光液只能适配单一基板类型，企业需要储备多款耗材，不仅增加采购和管理成本，还会频繁调试工艺参数，影响生产稳定性。

JZ-4904打破场景局限，同时适配LT/LN单基板、LT/LN复合衬底的精密抛光。无论是基础的单晶镜面抛光，还是高难度的复合结构衬底平坦化加工，都能输出均匀、稳定的抛光效果，适配光电晶体芯片、压电晶片、光学窗口片等多品类产品生产，帮助企业简化耗材体系、优化生产流程、提升设备利用率。

4.超低颗粒残留，可省去后续RCA清洗工序

对于LT/LN基板而言，表面洁净度直接决定后续镀膜、光刻、键合工艺的成功率，是器件良品率的核心关键。

JZ-4904通过专属表面改性与防残留配方设计，从根源上减少磨料吸附和杂质残留，CMP抛光完成后，基板表面颗粒数量极低，洁净度远超行业通用标准。

基于这一特性，工件抛光后无需额外进行RCA清洗，在保障超高良品率的前提下，大幅精简生产工序、减少清洗耗材消耗、缩短生产周期，有效降低量产综合成本，是大规模批量生产的优质选择。

适用场景

目前JZ-4904已广泛应用于铌酸锂、钽酸锂晶体基板的精密CMP抛光，覆盖光通信调制器、射频滤波器、声表面波谐振器、航空航天光学器件、高频通讯元器件等高端制造领域，是解决LT/LN基板高效、高精度、高洁净度抛光难题的专用解决方案。