- [行业资讯]吉致电子化学抗性无蜡吸附垫:半导体晶圆抛光专属解决方案[ 2025-07-10 16:53 ]
- 在精密半导体制造领域,抛光工艺的洁净度与稳定性直接决定晶圆品质。吉致电子凭借对材料科学与工艺参数的深度理解,推出化学抗性无蜡吸附垫,以独家定制化设计打破传统模板局限,为碳化硅SiC晶圆及高锰酸钾(KMnO4)基浆料等严苛环境提供高耐久、超洁净的抛光背附解决方案。一,精准匹配:从工艺需求到定制化设计每一款抛光背附板的性能都需与客户的生产场景深度契合。化学抗性吸附垫的设计流程始于全面调研——从工件特性、浆料化学性质(pH值、腐蚀性)到设备参数(压力、温度),吉致电子通过定制化图纸,精准适配材料厚
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- [行业资讯]吉致电子无蜡吸附垫革新晶圆制造工艺:零残留·高平坦·更稳定[ 2025-06-19 17:02 ]
- 在半导体晶圆抛光领域传统蜡模装夹工艺存在效率低、良率受限等痛点,而半导体真空吸附垫Template技术的创新和使用正在推动行业变革。吉致电子通过定制化半导体晶圆抛光的CMP(化学机械平坦化)无蜡吸附垫、真空吸附板设计,可为半导体领域客户提升生产效率。吉致电子真空吸附垫/CMP抛光模版通过「无蜡革命」,为硅片、晶圆、SiC、蓝宝石衬底、光学玻璃等材料提供高精度抛光解决方案。传统蜡粘工艺的核心痛点效率瓶颈蜡模需加热/冷却固化,单次装夹耗时30分钟以上,影响产能。残留蜡清洗工序复杂,增加非生产
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- [行业资讯]半导体CMP--碳化硅衬底无蜡吸附垫的特点[ 2025-01-16 16:42 ]
- 碳化硅SiC衬底在CMP研磨抛光工艺中使用吉致无蜡吸附垫的好处主要体现在以下几个方面:①稳定性与吸附力真空吸附原理优势:利用真空吸附,可在吸附垫与衬底间形成强大负压,使衬底与吸附垫紧密贴合。如在化学机械抛光(CMP)中,能让晶圆衬底在高速旋转和研磨压力下保持原位,避免位移和晃动,确保抛光均匀性。②降低破片率:吉致电子半导体无蜡吸附垫强而稳定的吸附力可均匀分散外力,防止局部受力过大。在超薄晶圆或大尺寸晶圆抛光时,能有效避免因吸附不稳导致的晶圆破裂,提高生产效益。③简化工艺流程无需除蜡环节:传统吸附垫常需涂蜡辅助吸附,
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- [常见问题]半导体晶圆抛光垫的类型有哪些[ 2025-01-10 14:59 ]
- 一、CMP抛光垫概述CMP抛光垫是半导体晶圆制造中不可或缺的工具之一,主要用于半导体晶圆的抛光和平整处理。这些抛光垫CMP Pad采用优质材料制作,展现出卓越的耐磨性和平坦度,确保晶圆在抛光过程中得到妥善保护,不受损害。根据不同的材质和硬度需求,抛光垫可分为多种类型。二、各种自粘式CMP抛光垫的种类和特点1. 聚氨酯(PU)抛光垫聚氨酯(PU)抛光垫是抛光垫中的一种常见类型,其硬度较低,展现出良好的柔软性和弹性,特别适用于需要柔软抛光垫的场合。它的抛光效果出色,使用寿命较长,但价格相对较高。2. 聚酯(PET)抛光
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- [行业资讯]金刚石悬浮液在半导体领域的应用[ 2024-11-26 16:03 ]
- 金刚石悬浮液(CMP研磨液)在半导体集成电路领域的应用:适用于半导体晶圆抛光液CMP加工,蓝宝石衬底、碳化硅晶圆、氮化镓、磷化铟等半导体晶片。 金刚石悬浮液在半导体晶圆的CMP研磨抛光中发挥着重要作用。以蓝宝石衬底为例,蓝宝石材质硬度较高,传统的研磨液难以达到理想的抛光效果,而金刚石悬浮液因其高硬度、高韧性的金刚石颗粒,能够快速去除蓝宝石衬底表面的材料,同时保证加工表面的光洁度。对于碳化硅SiC和氮化镓、磷化铟等半导体晶片,金刚石悬浮液同样表
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- [行业资讯]吉致电子---磷化铟InP晶圆抛光液的市场现状[ 2024-10-25 11:44 ]
- 目前,全球磷化铟(InP)晶圆市场的cmp抛光耗材主要由少数国外厂商主导。这些国外厂商凭借先进的技术和丰富的经验,在产品质量和性能方面具有显著优势。例如Fujimi Incorporated、Ferro (UWiZ Technology) 等企业在全球半导体slurry抛光液市场中具有较高的知名度和占有率。 相比之下,国内企业的磷化铟(InP)晶圆抛光液研发起步较晚,但近年来随着国内半导体的快速发展,国产cmp抛光耗材也大量进入市场,国内厂家也在不断加大研发投入,努力提升抛光液、抛光垫产品
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- [常见问题]CMP抛光液---半导体抛光液种类有哪些[ 2024-08-09 09:01 ]
- 半导体抛光液种类有哪些?CMP抛光液在集成电路领域的应用远不止晶圆抛光,半导体使用的CMP制程包括氧化层(Oxide CMP)、多晶硅(Poly CMP)、金属层(Metal CMP)。就抛光工艺而言,不同制程的产品需要不同的抛光流程,28nm制程需要12~13次CMP,进入10nm制程后CMP次数将翻倍,达到25~30次。STI CMP Slurry---浅沟槽隔离平坦化 STI浅沟槽隔离技术是用氧化物隔开各个门电路,使各门电路之间互不导通,STI CMP工艺的目标是去除填充在浅沟槽中的
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- [应用案例]Sic Slurry 吉致电子碳化硅晶圆抛光液[ 2023-04-11 11:07 ]
- 吉致电子碳化硅精抛液,适用于Sic碳化硅晶圆衬底精密加工表面平坦化。wafer使用的Slurry具有高度抛光、低粗糙度的特点,SiC碳化硅衬底抛光液抛光后的晶圆表面无划伤、雾等缺陷,碳化硅晶片平坦度高。吉致电子研发的碳化硅抛光液稀释比高、抛光后表面易清洗,被广泛应用于半导体集成电路衬底的制造中。 吉致电子SiC Slurry wafer抛光液具有很好的流动性和分散性,不易结晶、易清洗、抛光效率高等优点,可以满足碳化硅晶片的精抛加工要求,也可根据客户工艺调整做定制化硅晶圆(si wafer)
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- [行业资讯]碳化硅衬底CMP抛磨工艺流程[ 2022-10-26 14:32 ]
- 碳化硅衬底CMP化学机械抛光工艺需要用到吉致电子CMP抛光液和抛光垫,抛磨工艺一般分为3道流程:双面抛磨、粗抛、精抛。下面来看看吉致电子小编碳化硅晶圆抛光工艺介绍和抛光产品推荐吧。碳化硅衬底双面研磨:一般使用双面铸铁盘配合吉致电子金刚石研磨液或者碳化硅晶圆研磨液进行加工;主要目的是去除线切损伤层以及改善晶片的平坦度。碳化硅衬底粗抛工艺:针对碳化硅衬底加工采用专门的碳化硅晶圆抛光液配合粗抛垫。既可以达到传统工艺中较高的的抛光速率(与精磨基本相当)又可以达到传统工艺中粗抛后的表面光洁度。碳化硅衬底精抛工艺:SIC晶圆精
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