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[吉致动态]钼衬底的应用领域及CMP抛光技术解析[ 2025-04-23 09:51 ]

钼（Mo）衬底凭借其高熔点（2623℃）、高热导率（138 W/m·K）、低热膨胀系数（4.8×10-6/K）以及优异的机械强度和耐腐蚀性，在半导体、光学、新能源、航空航天等高科技领域发挥着重要作用。吉致电子对钼衬底的主要应用场景解析其化学机械抛光（CMP）关键技术，帮助行业客户更好地选择和使用钼衬底抛光液。一、钼衬底的核心优势高温稳定性：熔点高达2623℃，适用于高温环境。优异的热管理能力：高热导率+低热膨胀系数，减少热应力。高机械强度：耐磨损、抗蠕变，适合精密器件制造。良好的导电性：适

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[吉致动态]磷化铟衬底抛光液与CMP工艺的关联[ 2025-02-07 11:33 ]

磷化铟衬底抛光液与化学机械平面研磨工艺（CMP）的关联磷化铟（InP）作为第二代半导体材料的代表，因其优异的电学、光学和热学性能，在高速电子器件、光电子器件和微波器件等领域展现出巨大的应用潜力。然而InP衬底表面的高质量加工是实现高性能器件的关键，其中化学机械平面研磨工艺（CMP）扮演着至关重要的角色。一、磷化铟衬底为什么使用CMP技术CMP是一种结合化学腐蚀和机械研磨的表面平坦化技术，通过抛光液slurry中的磨料成分与衬底表面发生化学反应，生成一层易于去除的软化层，再借助抛光垫Pad的机械作用将其去除，从而实

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[吉致动态]吉致电子--磷化铟抛光液在半导体CMP制程中的应用[ 2024-12-05 16:20 ]

无锡吉致电子科技提供的磷化铟衬底抛光液是一种专门用于半导体材料磷化铟表面处理的CMP化学机械抛光浆料。它包含特定的磨料和化学成分，能够有效去除磷化铟表面的微小缺陷和不平整，确保获得光滑、无损伤的表面。磷化铟抛光液在半导体制造过程中非常重要，它直接影响到最终器件的性能和稳定性。磷化铟衬底抛光液的选择和使用是一个复杂的过程，需要综合考虑多个因素，且在CMP抛磨使用时，需要根据磷化铟衬底的具体要求和抛光设备的特性来选择合适的InP抛光液，并严格控制抛光过程中的参数，如温度、压力和抛光时间等。首先，磷化铟CMP抛光液的成分

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[常见问题]蓝宝石衬底抛光液--纳米氧化铝抛光液/研磨液[ 2023-10-31 16:46 ]

氧化铝抛光液在LED行业的应用广泛，如蓝宝石衬底的CMP抛光，为避免大粒径磨料对工件造成划伤，通常选用粒径为50∼200nm，且粒径分布均匀的纳米α-Al2O3磨料。为了确保蓝宝石衬底能抛出均匀的镜面光泽，需要提升CMP抛光液的切削速率及平坦化效果，吉致电子科技生产的氧化铝抛光液/研磨液可专业用于蓝宝石抛光，氧化铝磨料具有分布窄，粒径小，硬度高、尺寸稳定性好，α相转晶完全，团聚小易分散等特点。吉致电子对α-Al2O3颗粒的Zeta电位，以及抛光液添加稳定剂、分散剂的种类和质量都有

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[应用案例]Sic Slurry 吉致电子碳化硅晶圆抛光液[ 2023-04-11 11:07 ]

吉致电子碳化硅精抛液，适用于Sic碳化硅晶圆衬底精密加工表面平坦化。wafer使用的Slurry具有高度抛光、低粗糙度的特点，SiC碳化硅衬底抛光液抛光后的晶圆表面无划伤、雾等缺陷，碳化硅晶片平坦度高。吉致电子研发的碳化硅抛光液稀释比高、抛光后表面易清洗，被广泛应用于半导体集成电路衬底的制造中。吉致电子SiC Slurry wafer抛光液具有很好的流动性和分散性，不易结晶、易清洗、抛光效率高等优点，可以满足碳化硅晶片的精抛加工要求，也可根据客户工艺调整做定制化硅晶圆(si wafer)

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[行业资讯]碳化硅衬底抛光液的特点[ 2022-10-25 16:59 ]

碳化硅半导体晶片的制作一般在切片后需要用CMP抛光液进行抛光，以移除表面的缺陷与损伤。碳化硅（Sic）晶片以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD法）等生成外延片，最后制成相关器件。碳化硅衬底具有碳极性面和硅极性面，因为碳面与硅面的极性不同，所以化学活性也不同，故双面cmp抛光速率具有差异。吉致电子碳化硅衬底抛光液（Sic Slurry）为电力电子器件及LED用碳化硅晶片的CMP化学机械平坦化配制的高精度抛光液。CMP抛光液大大提高了碳化硅晶圆

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吉致电子抛光材料源头厂家
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