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[吉致动态]碳化硅抛光垫选型指南：4道工序如何匹配CMP解决方案？[ 2025-05-02 09:00 ]

在碳化硅衬底的研磨和抛光工艺中，抛光垫的选择需根据工序特性（粗磨、精磨、粗抛、精抛）匹配不同性能的抛光垫。以下是关键要点及吉致电子产品的适配方案：碳化硅抛光垫选型要点一、碳化硅衬底粗磨阶段需求：高材料去除率、强耐磨性。推荐：高硬度复合无纺布抛光垫JZ-1020，压纹/开槽设计增强研磨液流动性，避免碎屑堆积。二、碳化硅衬底精磨阶段需求：平衡表面平整度与中等去除率。推荐：中硬度抛光垫，特殊纤维结构提升表面一致性，减少亚表面损伤。碳化硅SiC衬底研磨垫（JZ-1020粗磨/精磨）三、碳化硅衬底粗抛阶段需求：过渡到低表面

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[行业资讯]先进半导体制造中的CMP Slurry：铜/钨/碳化硅抛光液技术与国产化进展[ 2025-04-22 16:26 ]

化学机械平坦化（CMP）工艺是半导体制造中的核心技术，其通过化学与机械协同作用实现纳米级表面精度，对集成电路性能至关重要。以下从技术、市场及国产化角度进行专业分析：一、CMP工艺核心要素抛光液（Slurry）化学组分：氧化剂（如H2O2用于Cu CMP）、磨料（纳米SiO2/Al2O3）、pH调节剂及缓蚀剂，需针对材料特性（如Cu/W/SiC）定制配方。关键参数：材料去除率（MRR）、选择比（Selectivity）、表面粗糙度（Ra＜0.5nm）及缺陷控制（如划痕≤30nm）。吉致电子优势：25年技术积累可

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[行业资讯]吉致电子SiC碳化硅研磨垫国产替代[ 2024-12-31 14:03 ]

在碳化硅抛光垫/研磨垫（SiC CMP Pad）市场中，高端领域呈现出寡头垄断的格局。其中，杜邦Suba800系列产品被广泛采用，同时也有部分客户选择杜邦的Suba600和Suba400系列，以及Supreme Series和Politex系列等产品。此外，日本厂商Fujibo也在市场中扮演着关键角色，其主打产品包括G804W、728NX和FPK66等型号。在竞争激烈的半导体集成电路市场中，除了上述提到的几款CMP抛光垫产品外，国内一些新兴企业也在不断研发创新，试图打破现有的市场格局，为

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[吉致动态]碳化硅单晶衬底加工技术---CMP抛光工艺[ 2024-01-26 16:25 ]

碳化硅抛光工艺的实质是离散原子的去除。碳化硅SIC单晶衬底要求被加工表面有极低的表面粗糙度，Si面在 0. 3 nm 之内，C 面在 0. 5 nm 之内。根据 GB/T30656-2014，4寸碳化硅单晶衬底加工标准如图所示。碳化硅晶片的抛光工艺可分为粗抛和精抛，粗抛为机械抛光，目的在于提高抛光的加工效率。碳化硅单晶衬底机械抛光的关键研究方向在于优化工艺参数，改善晶片表面粗糙度，提高材料去除率。目前，关于碳化硅晶片双面抛光的报道较少，相关工艺

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[应用案例]Sic Slurry 吉致电子碳化硅晶圆抛光液[ 2023-04-11 11:07 ]

吉致电子碳化硅精抛液，适用于Sic碳化硅晶圆衬底精密加工表面平坦化。wafer使用的Slurry具有高度抛光、低粗糙度的特点，SiC碳化硅衬底抛光液抛光后的晶圆表面无划伤、雾等缺陷，碳化硅晶片平坦度高。吉致电子研发的碳化硅抛光液稀释比高、抛光后表面易清洗，被广泛应用于半导体集成电路衬底的制造中。吉致电子SiC Slurry wafer抛光液具有很好的流动性和分散性，不易结晶、易清洗、抛光效率高等优点，可以满足碳化硅晶片的精抛加工要求，也可根据客户工艺调整做定制化硅晶圆(si wafer)

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[行业资讯]吉致电子--抛光液的主要成分和功能有哪些？[ 2022-07-22 16:52 ]

抛光液的主要成分可分为以下几类:氧化铝抛光液、氧化铈抛光液、金刚石研磨液(聚晶钻石抛光液、单晶金刚石抛光液、纳米金刚石抛光液)、氧化硅抛光液、碳化硅抛光液。硅溶胶抛光液(氧化硅抛光液)是以高纯硅粉为原料，通过特殊工艺（如水解法）生产的高纯度低金属离子型抛光产品。广泛应用于多种纳米级材料的高平坦化抛光，如硅晶片、锗晶片、砷化镓、磷化铟等化合物半导体材料、精密光学器件、蓝宝石衬底、蓝宝石窗口等。金刚石抛光液以金刚石微粉为主要成分，高分散配方，硬度高韧性好，有良好的高切削率，不易

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