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[行业资讯]吉致电子:钨CMP抛光液组成与应用解析[ 2025-04-25 10:52 ]
钨CMP抛光液:半导体关键制程材料的技术解析——吉致电子高精度平坦化解决方案1. 产品定义与技术背景钨化学机械抛光液(Tungsten CMP Slurry)是用于半导体先进制程中钨互连层全局平坦化的专用功能性材料,通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用,实现纳米级表面精度(Ra<0.5nm),满足高密度集成电路(IC)对互连结构的苛刻要求。2. 核心组分与作用机理3. 关键性能指标去除速率:200-600 nm/min(可调,适配不同工艺节点)非均匀性(WIWNU):<3% @300mm晶圆选择
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[吉致动态]先进半导体制造中的CMP Slurry:铜/钨/碳化硅抛光液技术与国产化进展[ 2025-04-22 16:26 ]
化学机械平坦化(CMP)工艺是半导体制造中的核心技术,其通过化学与机械协同作用实现纳米级表面精度,对集成电路性能至关重要。以下从技术、市场及国产化角度进行专业分析:一、CMP工艺核心要素抛光液(Slurry)化学组分:氧化剂(如H2O2用于Cu CMP)、磨料(纳米SiO2/Al2O3)、pH调节剂及缓蚀剂,需针对材料特性(如Cu/W/SiC)定制配方。关键参数:材料去除率(MRR)、选择比(Selectivity)、表面粗糙度(Ra<0.5nm)及缺陷控制(如划痕≤30nm)。吉致电子优势:25年技术积累可
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[行业资讯]芯片抛光液(CMP Slurry):半导体平坦化的核心驱动力[ 2025-04-08 11:12 ]
在半导体制造的精密世界里,纳米级别的表面平整度宛如一把精准的标尺,直接主宰着芯片的性能与良率。化学机械抛光(CMP)工艺宛如一位技艺精湛的大师,借助化学与机械的协同之力,达成晶圆表面的全局平坦化。而芯片抛光液(CMP Slurry),无疑是这一工艺得以顺畅运行的 “血液”,发挥着无可替代的关键作用。吉致电子,作为深耕半导体材料领域的佼佼者,在此为您深度解析抛光液背后的技术奥秘,以及洞察其前沿发展趋势。一、芯片抛光液的核心作用在CMP过程中,抛光液肩负着至关重要的双重功能:化学腐蚀其所含的活性
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[吉致动态]行业聚焦:硅片CMP研磨抛光液,如何重塑芯片制造格局[ 2025-03-20 14:17 ]
在半导体制造的前沿领域,Si硅片CMP研磨抛光液占据着举足轻重的地位,是实现芯片制造精度与性能突破的关键要素。抛光液(CMP Slurry)、抛光垫(CMP Pad)作为硅片化学机械抛光(CMP)工艺的核心耗材,为构建微观世界的精密电路网络奠定了基石。一、核心构成,协同增效硅片 CMP 研磨抛光液是一个精心调配的多元体系,每一组分都各司其职,协同作用,共同塑造卓越的抛光效果。精密磨料,微米级雕琢:体系中搭载了纳米级的二氧化硅、氧化铝或氧化铈等磨料颗粒。
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[常见问题]半导体铜CMP抛光液:铜互连工艺的核心材料[ 2025-02-25 14:44 ]
半导体铜化学机械抛光液(Copper CMP Slurry)是用于半导体制造过程中铜互连层化学机械抛光(CMP)的关键材料。随着半导体技术的发展,铜CU因其低电阻率和高抗电迁移性能,取代铝成为主流互连材料。铜CMP抛光液在铜互连工艺中起到至关重要的作用,确保铜层平整化并实现多层互连结构,CU CMP Slurry通过化学腐蚀与机械研磨的结合,实现铜层的高精度平整化和表面质量控制。。 一、Copper CMP Slurry铜CMP抛光液的组成:主要磨料颗粒(Abrasive Particles)有二氧化硅(
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[行业资讯]CMP抛光液:精密光学镜头制造的幕后英雄[ 2025-02-12 16:24 ]
CMP(化学机械抛光)技术在光学制造领域确实扮演着至关重要的角色,尤其是在高精度光学元件的加工中。CMP抛光液通过化学腐蚀和机械研磨的结合,能够实现光学玻璃表面的超平滑处理,满足现代光学系统对表面粗糙度和形状精度的严苛要求。 吉致电子光学玻璃CMP Slurry的应用领域:①精密光学镜头:在手机摄像头、显微镜、望远镜等光学系统中,通过CMP工艺和抛光液的抛磨可使光学镜头元件在光线折射与散射方面得到有效优化,成像质量大幅提升。确保了镜头的高分辨率和成像质量。②航空航天光学窗口:航空航天光学窗口面临复杂空间环
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[吉致动态]为什么不能用机械磨削grinding代替cmp?[ 2025-01-09 15:29 ]
  为何仅在晶圆背面减薄过程中采用grinding工艺?尽管在芯片制程中也存在减薄需求,为何选择cmp工艺而非grinding?Grinding与cmp工艺的原理是什么?Grinding,即机械磨削,是一种通过机械力直接去除晶圆表面材料的方法。通常不使用研磨液,而是利用超纯水进行清洗或带走产生的碎屑和热量。相比之下,cmp即化学机械研磨,结合了化学反应与机械力来去除材料。目标材料首先与cmp slurry中的氧化剂、酸、碱等发生微反应,随后在抛光头、抛光垫以及slurry中磨料的共同作用下,通过机械力去除
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[行业资讯]吉致电子CMP抛光垫:从粗到精,体验高效抛光[ 2024-11-29 14:35 ]
  CMP(化学机械抛光)抛光垫是一种在半导体制造过程中用于平面化晶圆表面的关键材料。CMP抛光垫通过结合化学反应和机械研磨的方式,能够有效地去除晶圆表面的多余材料,从而达到高度平整的表面质量。抛光垫CMP PAD通常由高分子聚合物材料制成,表面具有一定的微孔结构,以便在抛光过程中储存和释放抛光液CMP Slurry,从而确保抛光过程的均匀性和效率。  CMP抛光垫在使用过程中需要定期更换,以保持其最佳的抛光性能。不同的CMP抛光垫适用于不同的抛光工艺和材料,因此选择合适的抛光垫对于确保晶圆质量
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[常见问题]CMP抛光液---半导体抛光液种类有哪些[ 2024-08-09 09:01 ]
  半导体抛光液种类有哪些?CMP抛光液在集成电路领域的应用远不止晶圆抛光,半导体使用的CMP制程包括氧化层(Oxide CMP)、多晶硅(Poly CMP)、金属层(Metal CMP)。就抛光工艺而言,不同制程的产品需要不同的抛光流程,28nm制程需要12~13次CMP,进入10nm制程后CMP次数将翻倍,达到25~30次。STI CMP Slurry---浅沟槽隔离平坦化  STI浅沟槽隔离技术是用氧化物隔开各个门电路,使各门电路之间互不导通,STI CMP工艺的目标是去除填充在浅沟槽中的
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