碳化硅Sic单晶生长之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是没法直接用于外延的，这就需要加工。其中，滚圆把晶碇做成标准的圆柱体，线切割会把晶碇切割成晶片，各种表征保证加工的方向，而抛光则是提高晶片的质量。

  SiC表面的损伤层可以通过四种方法去除：

1. 机械抛光：简单但会残留划痕，适用于初抛；

2. 化学机械抛光：（Chemical Mechanical Polishing，CMP），引入化学腐蚀去除划痕，适用于精抛；

3. 氢气刻蚀：设备复杂，常用于HTCVD过程；

4. 等离子辅助抛光：设备复杂，不常用。

1. 抛光机：AP-810型单面抛光机；
2. 抛光压力200g/c㎡；
3. 大盘转速50r/min；
4. 陶瓷盘转速38r/min；
5. 抛光液组成：以SiO2（30wt%、pH=10.15）为基础，加入0-70wt%的双氧水（30wt%、纯优级），最后用KOH（5wt%）、HNO3（1wt%）调节pH=8.5；
6. 抛光液流量3L/min，循环使用。

抛光垫是表面带有特殊沟槽的多孔材料，主要作用是存储和传输CMP抛光液、对晶片提供一定的压力并对其表面进行机械摩擦。

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