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[行业资讯]碳化硅SiC衬底抛光液客户案例：国产DMP/CMP一体化方案[ 2026-07-10 16:50 ]

吉致电子这次合作的客户为国内某碳化硅功率衬底头部企业，主营4寸导电型SiC衬底量产加工，产品专供新能源汽车主逆变器、800V快充模块等车规级功率器件晶圆制造。企业产线扩产阶段，受传统进口耗材与蜡粘固定工艺制约，抛光效率、衬底良率及表面品质难以满足车载外延高标准，亟需国产化DMP/CMP一体化耗材方案实现工艺升级与供应链自主可控。客户核心工艺痛点1. 抛光效率低、表面缺陷严重碳化硅莫氏硬度高达9级，普通通用抛光液材料去除速率不足，单面抛光周期长；抛光后衬底表面微划痕、晶格损伤多，无法满足车规外延片粗糙度标准

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[吉致动态]吉致电子CMP晶圆抛光液的特性与选型指南[ 2025-10-11 16:15 ]

在晶圆制造的全局平面化环节，化学机械抛光（CMP）是关键工艺，而CMP抛光液作为核心耗材，直接决定晶圆表面平整度、缺陷率等关键指标，影响芯片最终性能与良率。吉致电子小编根据CMP抛光液的核心优势与选型方向，为半导体制造企业提供实用参考。一、CMP抛光液的4大核心特性CMP抛光液由磨料、氧化剂、螯合剂等组分复配而成，需兼顾“化学腐蚀”与“机械研磨”协同作用，核心特性可概括为：1.化学-机械协同精准可控抛光时，氧化剂先将晶圆表面材料氧化为易去除的氧化物，螯合剂与氧化物形成

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[行业资讯]吉致电子无蜡吸附垫革新晶圆制造工艺：零残留·高平坦·更稳定[ 2025-06-19 17:02 ]

在半导体晶圆抛光领域传统蜡模装夹工艺存在效率低、良率受限等痛点，而半导体真空吸附垫Template技术的创新和使用正在推动行业变革。吉致电子通过定制化半导体晶圆抛光的CMP（化学机械平坦化）无蜡吸附垫、真空吸附板设计，可为半导体领域客户提升生产效率。吉致电子真空吸附垫/CMP抛光模版通过「无蜡革命」，为硅片、晶圆、SiC、蓝宝石衬底、光学玻璃等材料提供高精度抛光解决方案。传统蜡粘工艺的核心痛点效率瓶颈蜡模需加热/冷却固化，单次装夹耗时30分钟以上，影响产能。残留蜡清洗工序复杂，增加非生产

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[常见问题]半导体晶圆抛光垫的类型有哪些[ 2025-01-10 14:59 ]

一、CMP抛光垫概述CMP抛光垫是半导体晶圆制造中不可或缺的工具之一，主要用于半导体晶圆的抛光和平整处理。这些抛光垫CMP Pad采用优质材料制作，展现出卓越的耐磨性和平坦度，确保晶圆在抛光过程中得到妥善保护，不受损害。根据不同的材质和硬度需求，抛光垫可分为多种类型。二、各种自粘式CMP抛光垫的种类和特点1. 聚氨酯(PU)抛光垫聚氨酯(PU)抛光垫是抛光垫中的一种常见类型，其硬度较低，展现出良好的柔软性和弹性，特别适用于需要柔软抛光垫的场合。它的抛光效果出色，使用寿命较长，但价格相对较高。2. 聚酯(PET)抛光

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[常见问题]半导体衬底和外延的区别是什么？[ 2024-04-30 16:39 ]

在半导体产业链中，特别是第三代半导体（宽禁带半导体）产业链中，会有衬底及外延层之分，那外延层的存在有何意义？和衬底的区别是什么呢？在第三代半导体产业链，晶圆制备过程中存在两个重要环节：①是衬底的制备，②是外延工艺的实施。这两个环节的区别是怎样的，存在的意义又有何不同？衬底由半导体单晶材料精心打造的晶圆片，可以作为基础直接投入晶圆制造的流程来生产半导体器件，或者进一步通过外延工艺来增强性能

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[行业资讯]碳化硅SIC衬底的加工难度有哪些？[ 2024-02-29 17:24 ]

衬底是所有半导体芯片的底层材料，起到物理支撑、导热、导电等作用。有数据显示，衬底成本大约占晶圆加工总成本的50%，外延片占25%，器件晶圆制造环节20%，封装测试环节5%。 SiC碳化硅衬底不止贵生产工艺还复杂，与Si硅片相比，SiC很难处理。SiC单晶衬底加工过程包括单晶多线切割、研磨、抛光、清洗最终得到满足外延生长的衬底片。碳化硅是世界上硬度排名第三的物质，不仅具有高硬度的特点，高脆性、低断裂韧性也使得其磨削加工过程中易引起材料的脆性断裂从而在材料表面留下表面破碎层，且产生较为严重的表

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[常见问题]CMP化学机械抛光在半导体领域的重要作用[ 2023-12-21 11:53 ]

化学机械抛光（CMP）是半导体晶圆制造的关键步骤，这项工艺能有效减少和降低晶圆表面的不平整，达到半导体加工所需的高精度平面要求。抛光液(slurry)、抛光垫(pad)是CMP技术的关键耗材，分别占CMP耗材49%和33%的价值量，CMP耗材品质直接影响抛光效果，对提高晶圆制造质量至关重要。 CMP抛光液/垫技术壁垒较高，高品质的抛光液需要综合控制磨料硬度、粒径、形状、各成分质量浓度等要素。抛光垫则更加看重低缺陷率和长使用寿命。配置多功能,高效率的抛光液是提升CMP效果的重要环节。&nbs

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[行业资讯]CMP在半导体晶圆制程中的作用[ 2023-06-21 14:10 ]

化学机械抛光（CMP）是实现晶圆全局平坦化的关键工艺，通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用，利用CMP抛光液、抛光机和抛光垫等CMP抛光研磨耗材实现晶圆表面多余材料的去除与纳米级全局平坦化。简单来讲，半导体晶圆制程可分为前道和后道 2 个环节。前道指晶圆的加工制造，后道工艺是芯片的封装测试。前道加工领域CMP主要负责对晶圆表面实现平坦化。后道封装领域CMP 工艺用于先进封装环节的抛光。晶圆制造前道加工环节主要包括 7 个相互独立的工艺流程：光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注

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[应用案例]碳化硅SiC抛光工艺[ 2023-04-19 17:08 ]

根据半导体行业工艺不同，CMP抛光液可分为介质层化学机械抛光液、阻挡层化学机械抛光液、铜化学机械抛光液、硅化学机械抛光液、钨化学机械抛光液、TSV化学机械抛光液、浅槽隔离化学机械抛光液等。 SIC CMP抛光液是半导体晶圆制造过程中所需主要材料之一，在碳化硅材料工件打磨过程中起着关键作用，抛光液的种类、颗粒分散度、粒径大小、物理化学性质及稳定性等均与抛光效果紧密相关。近年来，在人工智能、5G、数据中心等技术不断发展背景下，碳化硅衬底应用领域不断扩大、市场规模不断扩大，进而带动

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