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[吉致动态]半导体抛光垫---吉致电子Suba pad替代[ 2024-12-10 15:14 ]

在半导体硅片、衬底、光学玻璃以及精密陶瓷等材料的加工领域，CMP抛光工艺是至关重要的环节，而CMP抛光垫（CMP Pad）则是这一环节中的关键因素之一。其中，由陶氏公司（Dow）生产的SUBA抛光垫（Suba Pad）备受瞩目。陶氏公司生产的SUBA抛光垫在CMP化学机械研磨方面有着优异的抛光性能，尤其在抛光半导体晶圆方面效果显著。半导体晶圆和衬底是现代集成电路产业的基石，晶圆和衬底表面的平坦度、光洁度等直接影响芯片的性能和质量。SUBA抛光垫凭借其独特的材料和结构，能够使抛光过程达到一

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[吉致动态]碳化硅单晶衬底加工技术---CMP抛光工艺[ 2024-01-26 16:25 ]

碳化硅抛光工艺的实质是离散原子的去除。碳化硅SIC单晶衬底要求被加工表面有极低的表面粗糙度，Si面在 0. 3 nm 之内，C 面在 0. 5 nm 之内。根据 GB/T30656-2014，4寸碳化硅单晶衬底加工标准如图所示。碳化硅晶片的抛光工艺可分为粗抛和精抛，粗抛为机械抛光，目的在于提高抛光的加工效率。碳化硅单晶衬底机械抛光的关键研究方向在于优化工艺参数，改善晶片表面粗糙度，提高材料去除率。目前，关于碳化硅晶片双面抛光的报道较少，相关工艺

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[吉致动态]金属钼片的CMP抛光工艺[ 2023-12-13 17:09 ]

工厂的钼片加工工艺采用粗磨、双端面立磨等研磨工艺，粗磨的合格率仅在85％左右，整体平行度不良居多，造成产品合格率下降，也造成后续加工难度，这与金属钼的特性有关，目前钼片采用CMP抛光工艺（抛光液+抛光垫）能达到镜面效果。钼的特点：钼是一种难溶金属，具有很多优良的物力化学和机械性能。由于原子间结合力极强，所以在常温和高温下强度均非常高。它的膨胀系数低，导电率大，导热性好。在常温下不与盐酸、氢氟酸及碱溶液反应，仅溶于硝酸、王水或浓硫酸之中，对大多数液态金属、非金属熔渣和熔融玻璃亦相当稳定。&

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[吉致动态]半导体衬底抛光工艺---磷化铟InP抛光液[ 2023-10-31 17:20 ]

抛光是晶片表面加工的最后一道工序，目的是降低表面粗糙度，获得无损伤的平坦化表面。对于磷化铟INP材料，目前主要采用 CMP化学机械平面研磨工艺来进行抛光。使用吉致电子磷化铟抛光液，可达到理想的表面粗糙度。磷化铟INP作为半导体衬底，需要经过单晶生长、切片、外圆倒角、研磨、抛光及清洗等工艺过程。由于磷化铟硬度小、质地软脆，在锯切及研磨加工工艺中，晶片表面容易产生表面/亚表面损伤层，需要通过最终的CMP抛光工艺去除表面/亚表面损伤、减少位错密度并降低表面粗糙度。吉致电子磷化铟抛光液采用氧化铝

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[常见问题]如何解决氧化硅抛光液结晶问题[ 2023-05-09 17:17 ]

二氧化硅抛光液在抛光过程中会出现结晶结块的现象，虽然不是大问题但如果处理不当，很可能会导致工件表面划伤甚至报废，那么怎么解决氧化硅抛光液结晶问题呢？首先要了解硅溶胶抛光液的特点属性。二氧化硅抛光液是以高纯度硅粉为原料，经水解法离子、交换法制备成的一种高纯度低金属离子型产品。在水性环境中容易形成一种离子网状结构，而一脱离了水份，表面积迅速凝结形成结晶块，所以只要保持水分基本上是不会出现结晶现象。在实际CMP抛光工艺当中硅溶胶抛光液会一直在研磨盘转动、流动，结晶情况较少。因此氧化

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[常见问题]不锈钢工件原始品质对CMP抛光效果的影响[ 2023-02-16 15:22 ]

不锈钢镜面抛光效果的优良，不仅取决于抛光方案设计、抛光耗材（CMP抛光液、抛光垫）选择和抛光参数设置，不锈钢抛光工件的原始品质也影响到最终的抛光的效果。当抛光效果不尽人意时，不仅要对抛光方案、所使用耗材的品质进行评估和优化，同时对于工件的质量也要有所考虑。不锈钢工件品质对CMP抛光工艺的影响1.优质的的不锈钢工件是获得良好抛光质量的前提条件，工件表面硬度不均或特性上有差异都会对抛光产生一定的困难。金属工件中的夹杂物和气孔都是影响抛光的不利因素。2.电火花加工后的金属表面难以研磨，若未在加

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[常见问题]吉致电子抛光液--CMP抛光工艺在半导体行业的应用[ 2023-02-09 13:14 ]

CMP化学机械抛光应用于各种集成电路及半导体行业等减薄与平坦化抛光，吉致电子抛光液在半导体行业的应用，主要为STI CMP、Oxide CMP、ILD CMP、IMD CMP提供抛光浆料与耗材。 CMP一般包括三道抛光工序，包括CMP抛光液、抛光垫、抛光蜡、陶瓷片等。抛光研磨工序根据工件参数要求，需要调整不同的抛光压力、抛光液组分、pH值、抛光垫材质、结构及硬度等。CMP抛光液和CMP抛光垫是CMP工艺的核心要素，直接影响工件表面的抛光质量。在半导体行业CMP环节之中，也存在

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[吉致动态]硅溶胶研磨液--精密工件镜面抛光效果秘密[ 2023-01-06 13:52 ]

吉致电子硅溶胶研磨液/抛光液采用的是纳米级工艺，主要粒径在10-150nm。适用于各种材质工件的CMP表面镜面处理。以硅溶胶浆料为镜面的平面研磨的材料有半导体晶圆、光学玻璃、3C电子金属元件、蓝宝石衬底、LED显示屏等高精密元件。硅溶胶抛光液也称二氧化硅抛光液、氧化硅精抛液，SiO2是硅溶胶的化学名，适用范围已扩展到半导体产品的CMP抛光工艺中。 CMP抛光机可以将氧化硅研磨液循环引入磨盘，同时起到润滑和冷却的作用，通过抛光液和抛光垫组合抛磨可以使工件表面粗糙度达到0.2um

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[应用案例]蓝宝石晶圆研磨抛光[ 2022-12-28 13:57 ]

蓝宝石晶片抛光的目的是将衬底的最终厚度减小到所需的目标值，具有优于+/- 2μm的TTV和小于2nm的表面粗糙度。这些操作要求需要具有高精度，高效率和高稳定性的机器和工艺，使用吉致电子蓝宝石抛光液和抛光垫进行CMP研磨抛光即可实现这一过程。通过使用CMP抛光工艺，可以达到理想的表面粗糙度。每个抛光的蓝宝石晶片在加工过程中都会有均匀一致的材料去除，并且表面光洁度始终如一。通过改变压力负载，可以实现每小时1-2μm的材料去除率（MRR）。蓝宝石晶片抛光分为A向抛光和C向抛光。从

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[行业资讯]稀土抛光液--氧化铈抛光液的种类[ 2022-11-29 16:27 ]

随着光学技术和集成电路技术的飞速发展，对光学元件的精密和超精密抛光以及集成电路的CMP抛光工艺的要求越来越高，甚至达到了极其苛刻的程度，尤其是在表面粗糙度和缺陷的控制方面。铈系稀土抛光液因其切削能力强、抛光精度高、抛光质量好、使用寿命长，在光学精密抛光领域发挥了极其重要的作用。吉致电子氧化铈抛光液的种类和固含量可按抛光工件的用途来分：根据氧化铈的含量，氧化铈抛光液可分为低铈、中铈和高铈抛光液，其切削力和使用寿命也由低到高。1.含95%以上氧化铈的铈抛光液呈淡黄色，比重约7.3。主要适用于精密光学镜片的

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[应用案例]玉石抛光液---玉石表盘的CMP抛光工艺[ 2022-11-15 14:12 ]

一款玉石制成的腕表，优雅大气，彰显如玉的君子气质。和田玉表盘的去粗及抛磨抛亮，是可以通过CMP化学机械抛光工艺来实现。玉石表面亮度还受两个因素的影响：一是玉料的材质，二是玉料的结构，虽然大多数玉料都是晶体结构，但晶体的粒度和分布状况不同，呈纤维状的玉料易于抛光，呈粒状纤维的玉料不容易抛光。通过吉致电子玉石抛光液与抛光垫的组合抛磨，去除毛坯料表面凹凸不平划痕，还原玉石本真的光泽，抛光后表盘工件看起来绵密细腻、油脂感足。通过CMP抛光玉石的优点是可以快速减薄尺寸，抛光效率快、亮

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[行业资讯]陶瓷覆铜板DPC/DBC研磨抛光液工艺[ 2022-11-10 13:32 ]

陶瓷覆铜板的制作工艺主要是DPC工艺和DBC工艺，DPC产品具备线路精准度高与表面平整度高的特性,非常适用于覆晶/共晶工艺,配合高导热的陶瓷基体,显着提升了散热效率,是最适合高功率、小尺寸发展需求的陶瓷散热基板。陶瓷覆铜基板需要用到CMP抛光工艺，利用抛光液和抛光垫达到表面光洁度或镜面效果。 CMP抛光液对陶瓷覆铜基板的抛光研磨，可以做到粗抛、中抛、精抛效果。粗抛工艺，陶瓷覆铜板表面去除率高，快速抛磨。精抛工艺，基板表面无划痕，可达反光镜面效果。吉致电子针对陶瓷覆铜板制备的抛光研

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[吉致动态]不锈钢抛光液的CMP镜面抛光[ 2022-11-04 16:11 ]

手机、电脑、平板电脑等移动终端设备，会用到不锈钢、钛合金、铝合金等金属材质，为了达到增强光泽度和平坦度，金属手机工件需要Logo抛光、摄像头保护件抛光、手机按键抛光、手机边框抛光等工艺流程。目前3C电子设备用到最多的抛光方式为CMP抛光工艺，最常用的金属抛光液--不锈钢抛光液。吉致电子不锈钢抛光液针对这些不锈钢工件的抛光设计而成，适用于抛光304、316和316L等不锈钢材料。可用于不锈钢件的粗抛、中抛和精抛工艺，以达到镜面效果。不锈钢抛光液经过特殊配方调配，化学抛光作用温和，对机台和工

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[行业资讯]蓝宝石抛光液如何选？[ 2022-08-17 17:07 ]

随着科技的发展和迭代，3C科技产品对玻璃面板的要求越来越高，需要硬度更高且不容易划伤的玻璃，因此蓝宝石材质的应用和需求越来越广泛，如手机蓝宝石屏幕、蓝宝石摄像头、蓝宝石手表等。蓝宝石的特点是硬度高，脆性大，所以加工难度也大。因此，很有必要研究并升级CMP抛光工艺在蓝宝石窗口上的应用。目前国内批量生产蓝宝石衬底的技术还不成熟，切割出来的蓝宝石晶片有很深的加工痕迹，抛光后容易形成麻点或划痕。在蓝宝石衬底的生产中，裂纹和崩边的情况比较高，占总数的5%-8%。抛光过程中影响抛光质量的因素很多，如

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吉致电子抛光材料源头厂家
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