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[行业资讯]金刚石悬浮液在半导体领域的应用[ 2024-11-26 16:03 ]

金刚石悬浮液（CMP研磨液）在半导体集成电路领域的应用：适用于半导体晶圆抛光液CMP加工，蓝宝石衬底、碳化硅晶圆、氮化镓、磷化铟等半导体晶片。金刚石悬浮液在半导体晶圆的CMP研磨抛光中发挥着重要作用。以蓝宝石衬底为例，蓝宝石材质硬度较高，传统的研磨液难以达到理想的抛光效果，而金刚石悬浮液因其高硬度、高韧性的金刚石颗粒，能够快速去除蓝宝石衬底表面的材料，同时保证加工表面的光洁度。对于碳化硅SiC和氮化镓、磷化铟等半导体晶片，金刚石悬浮液同样表

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[行业资讯]吉致电子---Si硅片抛光液，为半导体护航[ 2024-11-07 16:12 ]

半导体硅片抛光液是一种均匀分散胶粒的乳白色胶体，在半导体材料的CMP加工过程中起着至关重要的作用。其外观通常为乳白色或微蓝色透明溶液。半导体硅片Si抛光液主要有抛光、润滑、冷却等作用。在抛光方面，Si Slurry能够有效地去除半导体硅晶圆表面的杂质和凸起，使硅片表面更加光滑平整。例如，经过抛光液处理后，晶片表面的微粗糙度可以达到 0.2nm 以下。在润滑作用中，它可以减少硅片与抛光设备之间的摩擦，降低磨损，延长设备的使用寿命。同时，在抛光过程中会产生热量，而抛光液的冷却作用可以及时带走热量，防止硅片

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[行业资讯]半导体晶圆常见材质有哪些[ 2024-07-25 17:08 ]

半导体晶圆常见材质有哪些？晶圆常见的材质包括硅、蓝宝石、氮化硅等。一、硅晶圆硅是目前制造半导体器件的主要材料，因其易加工、价格较低等优良性能被广泛采用。硅晶圆表面光洁度高，可重复性好，在光电子技术、光学等领域有着重要的应用。其制造过程主要包括单晶生长、切片和抛光等工序。二、蓝宝石晶圆蓝宝石（sapphire）是一种高硬度透明晶体，其晶格结构与GaAs、Al2O3等半导体材料相近，尤其因其较大的带隙（3.2eV）在制造高亮度LED、激光器等器件中得到广泛应用。此外，蓝宝石的高强度、高抗腐蚀性也使其成为防护材料，如用于

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[吉致动态]碳化硅衬底需要CMP吗[ 2024-01-30 17:17 ]

碳化硅衬底需要CMP吗？需要碳化硅SIC晶圆生产的最终过程为化学机械研磨平面步骤---简称“CMP”。CMP工艺旨在制备用于外延生长的衬底表面，同时使晶圆表面平坦化达到理想的粗糙度。化学机械抛光步骤一般使用化学研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸渍毡型研磨片来实现的。碳化硅晶圆置于研磨片上，通过夹具或真空吸附垫将单面固定。被磨抛的晶圆载体暴露于研磨浆的化学反应及物理摩擦中，仅从晶圆表面去除几微米。吉致电子研发用于SIC衬底研磨抛光的CMP研磨液/抛光液，以及研

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[吉致动态]吉致电子碳化硅SiC抛光液的作用[ 2023-11-24 16:59 ]

抛光液是CMP的关键耗材之一，抛光液中的氧化剂与碳化硅SiC单晶衬底表面发生化学反应，生成薄且剪切强度很低的化学反应膜，反应膜（软质层）在磨粒的机械作用下被去除，露出新的表面，接着又继续生成新的反应膜，CMP工艺周而复始的进行磨抛，达到表面平坦效果。通过研磨工艺使用微小粒径的金刚石研磨液，对SiC晶片进行机械抛光加工后，可大幅度改善晶圆表面平坦度。但加工表面存在很多划痕，且有较深的残留应力层和机械损伤层。为进一步提高碳化硅晶圆表面质量，改善粗糙度及平整度，，超精密抛光是SiC

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[行业资讯]吉致电子科技碳化硅研磨液的作用[ 2023-11-15 17:13 ]

碳化硅研磨液的作用是去除切割过程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面损伤层。由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。研磨根据粗磨和精磨工艺的不同分别使用粗磨液、精磨液。 SiC粗磨液主要是去除切割造成的刀痕以及切割引起的变质层，研磨液中会使用粒径较大的磨粒，以提高加工效率。碳化硅晶圆精磨液主要是去除粗磨留下的表面损伤层，改善表面光洁度，并控制表面面形和晶片的厚度，利于后续的精细抛光，因此使用粒径较细的磨粒研磨晶片。为获

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[常见问题]打磨碳化硅需要哪种抛光垫？[ 2023-08-17 16:41 ]

打磨碳化硅需要哪种抛光垫？打磨碳化硅衬底分研磨和抛光4道工序：粗磨、精磨、粗抛、精抛。抛光垫的选择根据CMP工艺制程的不同搭配不同的研磨垫：粗磨垫/精磨垫/粗抛垫/精抛垫吉致电子CMP抛光垫满足低、中及高硬度材料抛光需求，具有高移除率、高平坦性、低缺陷和高性价比等优势。结合硬质和软质研磨抛光垫的优点，可兼顾工件的平坦度与均匀度碳化硅研磨选择吉致无纺布复合抛光垫，提供更快磨合的全局平坦性，提升碳化硅晶圆制程的稳定性与尺寸精密度。压纹和开槽工艺，让PAD可保持抛光

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[吉致动态]第三代半导体材料--碳化硅晶圆SiC抛光液[ 2023-04-17 16:49 ]

随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向其物理极限，同时硅也满足不了微波射频、高效功率电子和光电子等新需求快速发展的需要，以化合物半导体材料，特别是第三代半导体为代表的半导体新材料快速崛起。碳化硅是新型电力系统，特高压电网必需的可达万伏千安等级的唯一功率半导体材料，同时也是高铁和新能源汽车牵引、电控系统的“心脏”。从国际技术发展水平来看，碳化硅方面，8英寸衬底开始产业化，车规级功率器件是当前开发重点，多家厂商已推出大功率模组及高温封装产品，碳化硅器件正向耐受更高电压

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[应用案例]Sic Slurry 吉致电子碳化硅晶圆抛光液[ 2023-04-11 11:07 ]

吉致电子碳化硅精抛液，适用于Sic碳化硅晶圆衬底精密加工表面平坦化。wafer使用的Slurry具有高度抛光、低粗糙度的特点，SiC碳化硅衬底抛光液抛光后的晶圆表面无划伤、雾等缺陷，碳化硅晶片平坦度高。吉致电子研发的碳化硅抛光液稀释比高、抛光后表面易清洗，被广泛应用于半导体集成电路衬底的制造中。吉致电子SiC Slurry wafer抛光液具有很好的流动性和分散性，不易结晶、易清洗、抛光效率高等优点，可以满足碳化硅晶片的精抛加工要求，也可根据客户工艺调整做定制化硅晶圆(si wafer)

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[吉致动态]吉致电子常见的CMP研磨液[ 2023-02-27 16:15 ]

CMP 化学机械抛光液slurry的主要成分包括：磨料、添加剂和分散液。添加剂的种类根据产品适用场景也有所不同，分金属抛光液和非金属抛光液。金属CMP抛光液含：金属络合剂、腐蚀抑制剂等。非金属CMP抛光液含：各种调节去除速率和选择比的添加剂。根据抛光对象不同，抛光液可分为铜抛光液、钨抛光液、硅抛光液和钴抛光液等类别。其中，铜抛光液和钨抛光液主要用于逻辑芯片和存储芯片制造过程，在10nm 及以下技术节点中，钴将部分代替铜作为导线；硅抛光液主要用于硅晶圆初步加工过程中。吉致电子常见的CMP研

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[常见问题]吉致电子---氧化铈研磨液在半导体CMP制程中的作用[ 2023-02-10 13:09 ]

粒径30-50nm的球形氧化铈研磨液用于半导体芯片制程：应用于芯片制程中氧化硅薄膜、集成电路STI(浅沟槽隔离层)CMP STI目前已成为器件之间隔离的关键技术，目前已取代LOCOS(硅的局部氧化)技术。其主要步骤包括在纯硅片上刻蚀浅沟槽、进行二氧化硅沉积、后用CMP技术进行表面平坦化。目前的研究表明采用纳米氧化铈作为CMP磨料，在抛光效率及效果上均优于其他产品。纳米氧化铈抛光液在硅晶圆CMP平坦化的效果优异粒径小于100nm的球形氧化铈抛光液用于单晶硅片表面C

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[行业资讯]碳化硅衬底CMP抛磨工艺流程[ 2022-10-26 14:32 ]

碳化硅衬底CMP化学机械抛光工艺需要用到吉致电子CMP抛光液和抛光垫，抛磨工艺一般分为3道流程：双面抛磨、粗抛、精抛。下面来看看吉致电子小编碳化硅晶圆抛光工艺介绍和抛光产品推荐吧。碳化硅衬底双面研磨：一般使用双面铸铁盘配合吉致电子金刚石研磨液或者碳化硅晶圆研磨液进行加工；主要目的是去除线切损伤层以及改善晶片的平坦度。碳化硅衬底粗抛工艺：针对碳化硅衬底加工采用专门的碳化硅晶圆抛光液配合粗抛垫。既可以达到传统工艺中较高的的抛光速率（与精磨基本相当）又可以达到传统工艺中粗抛后的表面光洁度。碳化硅衬底精抛工艺：SIC晶圆精

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[行业资讯]碳化硅衬底抛光液的特点[ 2022-10-25 16:59 ]

碳化硅半导体晶片的制作一般在切片后需要用CMP抛光液进行抛光，以移除表面的缺陷与损伤。碳化硅（Sic）晶片以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD法）等生成外延片，最后制成相关器件。碳化硅衬底具有碳极性面和硅极性面，因为碳面与硅面的极性不同，所以化学活性也不同，故双面cmp抛光速率具有差异。吉致电子碳化硅衬底抛光液（Sic Slurry）为电力电子器件及LED用碳化硅晶片的CMP化学机械平坦化配制的高精度抛光液。CMP抛光液大大提高了碳化硅晶圆

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25年专注CMP抛光材料研发与生产

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