吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

硅溶胶抛光液：非CMP加工场景存在的缺陷与工艺问题[ 06-26 16:40 ]

吉致电子硅溶胶抛光液专为半导体、光学基材CMP化学机械平坦化工艺研发，依靠设备恒定压力、持续循环供液、抛光盘/抛光垫即时修整及稳定缓冲的pH体系，实现纳米级化学软化层 + 微量机械磨削协同去除加工，兼顾高去除速率、超光滑表面与优异平坦度。CMP Slurry抛光液磨料依靠稳定的均匀分散，配套完整螯合、缓蚀、pH缓冲体系，仅在标准化学机械工艺工况下可维持长期稳定；若直接用于手持抛、简易转盘、自重研磨、半干抛等非CMP抛光工艺，会引发表面品质、耗材设备、后道洁净度多重不良。非CMP工艺及设备使用硅溶胶抛光液的

吉致电子详解：化学抛光与化学机械抛光（CMP）的区别[ 05-29 17:06 ]

在精密加工与表面处理行业中，化学拋光与化学机械抛光（CMP）是两种主流的表面精整工艺。二者均依托化学药剂实现工件表面优化，名称与工艺基础相似，极易被混淆。但从核心原理、加工工艺、成品品质到行业应用，两种工艺存在本质差异，适配完全不同的生产精度与场景需求。吉致电子小编将系统拆解二者的核心区别，清晰梳理其工艺特点与适用范围，助力精准区分与选型应用。一、核心加工原理：纯化学抛光VS化机协同作用材料去除机制是两种工艺最核心、最本质的区别，也是后续所有工艺差异、效果差异的根源，简单可概括为：化学拋光“纯溶整平&r

碳化硅衬底无磨料抛光液：超精密无损伤加工新阶段[ 04-23 15:42 ]

碳化硅衬底作为第三代半导体的核心材料，其表面的超精密平坦化工艺是决定SiC碳化硅性能与良品率的关键。在SiC晶圆加工环节，传统含磨料抛光液与新兴无磨料抛光液呈现出截然不同的技术路径与应用效果。吉致电子将从原理、成分、效果及产业价值等维度，深入科普两者的核心区别以及无磨料技术的革命性优势。一、SiC衬底抛光：传统与无磨料的本质差异1.核心原理：“机械+化学”→纯化学作用①传统含磨料抛光液（CMP）传统化学机械抛光（CMP）是“化学氧化 + 机械磨削”的二元协同

碳化硅衬底与碳化硅陶瓷有哪些区别|吉致电子碳化硅材料分析[ 04-16 17:12 ]

碳化硅（SiC）作为一种性能优异的材料，根据晶体结构、纯度、制备工艺及用途的不同，主要分为碳化硅衬底和碳化硅陶瓷两大类。二者化学式均为SiC，但核心定位、性能要求和应用场景差异显著；而化学机械抛光（CMP）作为关键的表面处理工艺，对二者的表面质量、性能发挥有着决定性影响，以下将详细梳理二者区别及CMP工艺的具体影响。一、碳化硅衬底与碳化硅陶瓷的核心区别碳化硅衬底与碳化硅陶瓷的本质差异，源于材料形态、纯度控制和制备工艺的不同，进而导致其性能和用途呈现根本性区别，具体可从以下维度详细区分：材料定位与材料形态1.碳化硅衬

超硬材料精密抛光：吉致电子CMP金刚石研磨液[ 04-08 17:13 ]

在第三代半导体、高端光学、精密陶瓷等前沿制造领域，SiC、蓝宝石、硬质合金等超硬材料的加工，正面临着效率与精度的双重挑战。传统的氧化铝、氧化硅研磨液，在应对莫氏硬度接近10的超硬材质时，常常陷入“抛不动、易划伤、精度低”的困境。吉致电子在CMP精密抛光领域深耕多年，以金刚石研磨液为核心，凭借自然界硬度极高材质的切削力以及先进的配方工艺，为超硬材料提供高效、低损、原子级平坦化的CMP工艺优质解决方案，助力高端制造突破加工瓶颈。 一、何为CMP金刚石研磨液？金刚石研磨液，专门为化学机械

CMP工艺在LED外延芯片制造中的优势及吉致电子CMP抛光耗材方案[ 04-02 16:22 ]

在LED外延芯片的精密制造链条中，CMP（Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光）已成为实现原子级全局平坦化、保障芯片高性能与高可靠性的核心关键制程。它巧妙融合化学腐蚀的精准软化与机械研磨的高效去除，通过“化学作用 - 机械去除”的循环协同，将晶圆、硅片、衬底等表面打磨至纳米级甚至亚纳米级的极致平整与洁净，为LED芯片从源头品质到最终性能的全链路提升，提供了不可替代的精密支撑。CMP工艺在LED外延芯片制造中的优势如下：①CMP工艺能优化衬底表面质量：实现纳

吉致电子小科普：什么是硫系玻璃以及应用领域有哪些[ 03-20 17:23 ]

提到玻璃，我们最先想到的是门窗上的透明玻璃、手机屏幕的保护玻璃——它们通透、易碎，主要作用是透光和防护。但今天吉致电子给大家介绍的“硫系玻璃”和我们日常所见的玻璃大不相同，它不透明但能“看透”红外光，是工业、军事、医疗等领域里不可或缺的“隐形功臣”，也是吉致电子在红外光学CMP抛光液应用领域的抛光工件的一种。用最通俗的话来说，硫系玻璃就是以硫、硒、碲这些“特殊元素”为核心，搭配锗、砷等元素制成的&

吉致电子：CZT碲锌镉晶体CMP抛光崩边防控解决方案[ 02-28 13:31 ]

碲锌镉CMP化学机械抛光工艺如何防止晶片崩边？碲锌镉（CZT）晶体莫氏硬度仅2.0–2.5，断裂韧性低、质地软脆，在化学机械抛光（CMP）中极易出现崩边缺陷，直接制约器件性能与成品率。吉致电子依托多年CZT晶体精密加工经验，从装夹保护、抛光耗材选型、工艺控制及全流程配套出发，构建出一套高效稳定的CZT晶体CMP崩边防控方案，可支撑高精度CZT晶体规模化量产。首先，碲锌镉晶片加工的防控原则是以边缘保护为核心、低应力加工为基础、CMP化学机械协同合作为关键，经精细化管控规避碲锌镉工件边缘应力集中、物理冲击及

吉致电子2026马年春节放假通知[ 01-29 08:38 ]

吉致电子2026马年春节放假通知｜短暂休整，马上赴约！亲爱的吉致电子家人们、尊贵的客户伙伴们：时光咻咻跑，马年要来到??！转眼间，我们又一起并肩熬过了无数个赶项目、解难题的日子，感谢各位伙伴一路以来的信任与包容;毕竟能顶住我们的;技术内卷;，还始终选择相信我们，你们绝对是最懂吉致的神仙客户;！话说回来，春节作为咱们中国人最隆重团圆KP，吉致电子也得给奋斗了一年的小伙伴们放个

不锈钢平面件CMP抛光液抛光垫选型指南[ 01-14 15:11 ]

化学机械抛光（CMP）技术凭借化学作用+机械研磨的协同优势，成为实现不锈钢表面纳米级平坦化、镜面化的优选工艺。不锈钢平面件CMP抛光需遵循;粗抛去余量中抛修平整;精抛提镜面;的梯度原则，不同工序的核心目标不同，对应的磨料与抛光垫特性也需精准匹配。吉致电子基于不锈钢材质特性（如304、316、430等）与不同场景的表面要求（Ra值、平整度、洁净度），确保每一道工序都能高效衔接，最终实现理想的表面效果。不锈钢CMP粗抛工艺：高效去除，奠定平整基础

从硅基到第三代半导体：吉致电子CMP抛光液技术演进与全材料覆盖解决方案[ 01-09 15:59 ]

随着半导体技术节点的不断演进，化学机械拋光（CMP）工艺已成为集成电路制造中不可或缺的关键制程环节，其精度与稳定性直接影响芯片的集成度、性能表现与整体良率。作为CMP工艺的核心耗材，CMP抛光液不仅需要满足硅（Si）、砷化镓（GaAs）等传统半导体材料的加工要求，更要在第三代宽禁带半导体材料的高精度抛光中展现出关键作用与持续增长的应用潜力。聚焦关键应用：CMP抛光液突破第三代半导体平坦化技术瓶颈以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石及氮化铝（AlN）等为代表的第三代半导体材料，具备宽禁带、高

蓝宝石衬底研磨抛光工艺与耗材方案|吉致电子CMP厂家[ 12-25 16:47 ]

在LED芯片制备流程中，蓝宝石衬底的表面质量直接决定后续芯片性能与成品良率，而表面平坦加工的核心目标，便是精准去除线切割工艺遗留的线痕、裂纹及残余应力等表面与亚表面损伤层，为LED芯片制备提供符合严苛要求的衬底表面。其中，化学机械研磨（CMP）工艺是实现蓝宝石衬底超精密平坦化的关键技术路径，而双面研磨、单面精磨与CMP工艺的合理搭配，以及适配的研磨抛光耗材选择，更是保障加工质量的核心环节。本文将深入解析相关工艺特性，并分享耗材选择的关键要点。一、核心加工工艺：双面研磨与单面精磨的技术特性蓝宝石衬底的平坦化加工是一套

阻尼布抛光垫和聚氨酯抛光垫哪个好？[ 12-17 16:42 ]

化学机械拋光（CMP）作为精密制造领域的关键工序，其抛光效果与耗材选型直接相关，其中抛光垫CMP Pad的选择更是决定工艺效率与工件精度的核心环节。阻尼布抛光垫与聚氨酯抛光垫作为CMP工艺中的常用耗材，因材质特性与性能优势的差异，形成了明确的适用场景划分。本文将结合二者核心性能，详细解析其适配的工艺需求与应用领域，为精密电子、光学制造等行业的耗材选型提供专业参考。一、阻尼布抛光垫：聚焦高精密精抛，适配镜面级加工需求阻尼布抛光垫以其细腻柔软的质地、优异的弹性及三维网络孔隙结构为核心优势，在抛光过程中既能均匀输送抛光液

半导体CMP耗材G804W抛光垫国产替代认准吉致电子[ 12-11 16:42 ]

全球局势风云多变，半导体供应链安全面临“卡脖子”风险全球CMP抛光垫市场呈现高度垄断格局，美国杜邦一家企业便占据全球79% 的市场份额，日本Fujibo富士纺旗下的G804W等高端型号抛光垫的供应更是被少数海外厂商牢牢把控。近年来，随着半导体领域国际贸易摩擦加剧，海外供应商的出口管制政策频发，直接冲击国内晶圆厂的生产稳定性。2025年某国际抛光液大厂突发断供事件，已为国内半导体产业链敲响警钟 —— 核心耗材的进口依赖，将使整个芯片制造环节陷入“牵一发而动全

氮化镓晶片CMP无蜡吸附垫--解锁半导体高精度制程的关键[ 12-05 17:55 ]

氮化镓CMP抛光工艺中无蜡吸附垫的核心必要性：解锁高精度制程的关键在氮化镓（GaN）作为第三代半导体核心材料的产业化进程中，化学机械拋光（CMP）是决定器件表面质量、电性能及可靠性的核心制程环节。氮化镓材料具有高硬度、高脆性、晶格结构致密等特性，传统CMP工艺中常用的有蜡吸附垫（如石蜡、树脂蜡基吸附材料）已难以满足其高精度加工需求。无蜡吸附垫凭借其独特的材料设计与工艺适配性，成为氮化镓CMP抛光中不可替代的关键组件，其必要性主要体现在以下五大核心维度：一、规避材料损伤，保障氮化镓晶圆完整性氮化镓的断裂韧性仅为硅的1

吉致电子CMP精抛垫：半导体高精度抛光的核心关键[ 11-27 16:37 ]

化学机械拋光（CMP）技术作为半导体制造领域唯一能实现全局平坦化的核心工艺，直接决定了芯片的图形精度、电性能稳定性及最终良率，在7nm及以下先进制程中更是不可或缺的关键环节。而CMP精抛垫（final polishing pad）作为该工艺精抛阶段的核心耗材，承担着“精细修整”晶圆表面的重要使命，是实现超精密平坦化目标的核心支撑。吉致电子深耕半导体耗材领域，其研发生产的CMP精抛垫凭借精准的设计、卓越的性能和稳定的品质，成为半导体制造企业的优选合作伙伴，其核心作用可从以下四大维度深度解析：1

吉致电子纳米氧化铈抛光液：给半导体CMP工艺加足马力！[ 11-13 11:41 ]

在半导体芯片微型化、光学器件高精度化的发展浪潮中，化学机械拋光（CMP）作为实现材料表面全局平面化的关键工艺，其技术水平直接决定了终端产品的性能与品质。氧化铈抛光液凭借其独特的化学机械协同作用优势，成为CMP工艺中的核心耗材之一。吉致电子深耕抛光材料领域多年，凭借自主研发的氧化铈抛光液系列产品，为半导体、光学等多个行业提供高效、精准的抛光解决方案，助力产业高质量发展。聚焦核心场景解锁全行业抛光价值吉致电子氧化铈抛光液基于不同行业的抛光需求，进行精准配方设计，在关键领域实现稳定应用，展现出强大的场景适配能力。①半导体

锗片的核心应用与CMP精密抛光技术[ 11-07 09:18 ]

吉致电子锗片抛光解决方案——锗片的应用与CMP抛光工艺详解一、锗片的应用领域 锗片凭借高电子迁移率、高折射率、红外透光性好等优异特性，在多个高科技领域发挥着重要作用：①半导体器件领域作为高速半导体器件的衬底材料，锗片可用于制作锗硅（SiGe）异质结晶体管（HBT）、应变锗金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）等核心器件。这些器件主要应用于5G通信、高频雷达、卫星通信等对器件运行速度和频率要求极高的前沿场景。②红外光学领域锗材料对2-15μm波段的红外光具有高透过率，同时具

磷化铟抛光液：高精度低缺陷晶圆平坦化首选[ 11-04 10:22 ]

在半导体制造领域，磷化铟（InP）衬底因其优异的电子和光学特性，成为光通信、毫米波雷达、量子通信等高端应用的核心材料。然而，InP衬底的化学机械抛光（CMP）工艺对抛光液的要求极为严苛，需要兼顾高效抛光速率、表面质量、工艺稳定性等多重因素。吉致电子针对这一需求，推出了专为磷化铟衬底设计的CMP抛光液，其核心优势体现在以下几个方面：1.高效抛光速率与表面质量的完美平衡粗抛阶段：采用较大粒径（如5-10μm）的氧化铝磨料，可快速去除表面余量，抛光速率可达数μm/h，显著提升生产效率。精抛阶段：切换至小粒径（如50-10

吉致电子：什么样的外延工艺需要CMP？[ 10-28 16:12 ]

外延工艺中CMP的应用逻辑及吉致电子技术实践——什么样的外延工艺需要CMP？外延工艺中是否需要CMP（化学机械拋光），取决于外延层的表面平整度要求和后续工艺兼容性，而非外延工艺本身。简单来说，当外延生长后，晶圆表面的平整度、缺陷密度或薄膜厚度均匀性无法满足下一步制造需求时，就需要引入CMP进行处理，而吉致电子在高精度CMP工艺及配套材料领域的技术积累，正为这类需求提供高效解决方案。一、关键应用场景：需要CMP的外延工艺以下三类外延工艺对表面质量要求极高，通常需要搭配CMP，而吉致电子的专业化