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[吉致动态]铌酸锂晶体怎么抛光？[ 2024-03-08 11:16 ]

铌酸锂晶体抛光，用吉致电子CMP铌酸锂抛光液是有效方法铌酸锂晶体(分子式 LiNbO3简称 LN)是一种具有铁电、压电、热电、电光、声电和光折变效应等多种性质的功能材料，是目前公认为光电子时代"光学硅"的主要候选材料之一。它在超声器件、光开关、光通讯调制器、二次谐波发生和光参量振荡器等方面获得广泛应用。铌酸锂晶片的加工质量和精度直接影响其器件的性能，因此铌酸锂的应用要求晶片表面超光滑、无缺陷、无变质层。目前,有关铌酸锂晶片的加工特性及其超光滑表面加工技术的研

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[常见问题]什么是SIC碳化硅衬底的常规双面磨工艺[ 2024-03-07 17:22 ]

碳化硅SIC研磨工艺是去除切割过程中造成碳化硅晶片的表面刀纹以及表面损伤层，修复切割产生的变形。由于SiC的高硬度的特性，CM{研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。碳化硅衬底常规的CMP研磨工艺一般分为粗磨和精磨。SiC衬底常规双面磨工艺双面磨工艺又称DMP工艺，是目前大部分国内碳化硅衬底厂商规模化生产的工艺方案，对碳化硅进行双面研磨(粗磨/精磨)达到一定的表面平整度和光洁度。①粗磨：采用铸铁盘+单晶金刚石研磨液双面研磨的方式该工艺可以有效的去除线割产生的损伤层，修复面型，

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[吉致动态]碳化硅单晶衬底加工技术---CMP抛光工艺[ 2024-01-26 16:25 ]

碳化硅抛光工艺的实质是离散原子的去除。碳化硅SIC单晶衬底要求被加工表面有极低的表面粗糙度，Si面在 0. 3 nm 之内，C 面在 0. 5 nm 之内。根据 GB/T30656-2014，4寸碳化硅单晶衬底加工标准如图所示。碳化硅晶片的抛光工艺可分为粗抛和精抛，粗抛为机械抛光，目的在于提高抛光的加工效率。碳化硅单晶衬底机械抛光的关键研究方向在于优化工艺参数，改善晶片表面粗糙度，提高材料去除率。目前，关于碳化硅晶片双面抛光的报道较少，相关工艺

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[吉致动态]吉致电子碳化硅SiC抛光液的作用[ 2023-11-24 16:59 ]

抛光液是CMP的关键耗材之一，抛光液中的氧化剂与碳化硅SiC单晶衬底表面发生化学反应，生成薄且剪切强度很低的化学反应膜，反应膜（软质层）在磨粒的机械作用下被去除，露出新的表面，接着又继续生成新的反应膜，CMP工艺周而复始的进行磨抛，达到表面平坦效果。通过研磨工艺使用微小粒径的金刚石研磨液，对SiC晶片进行机械抛光加工后，可大幅度改善晶圆表面平坦度。但加工表面存在很多划痕，且有较深的残留应力层和机械损伤层。为进一步提高碳化硅晶圆表面质量，改善粗糙度及平整度，，超精密抛光是SiC

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[行业资讯]吉致电子科技碳化硅研磨液的作用[ 2023-11-15 17:13 ]

碳化硅研磨液的作用是去除切割过程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面损伤层。由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。研磨根据粗磨和精磨工艺的不同分别使用粗磨液、精磨液。 SiC粗磨液主要是去除切割造成的刀痕以及切割引起的变质层，研磨液中会使用粒径较大的磨粒，以提高加工效率。碳化硅晶圆精磨液主要是去除粗磨留下的表面损伤层，改善表面光洁度，并控制表面面形和晶片的厚度，利于后续的精细抛光，因此使用粒径较细的磨粒研磨晶片。为获

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[吉致动态]半导体衬底抛光工艺---磷化铟InP抛光液[ 2023-10-31 17:20 ]

抛光是晶片表面加工的最后一道工序，目的是降低表面粗糙度，获得无损伤的平坦化表面。对于磷化铟INP材料，目前主要采用 CMP化学机械平面研磨工艺来进行抛光。使用吉致电子磷化铟抛光液，可达到理想的表面粗糙度。磷化铟INP作为半导体衬底，需要经过单晶生长、切片、外圆倒角、研磨、抛光及清洗等工艺过程。由于磷化铟硬度小、质地软脆，在锯切及研磨加工工艺中，晶片表面容易产生表面/亚表面损伤层，需要通过最终的CMP抛光工艺去除表面/亚表面损伤、减少位错密度并降低表面粗糙度。吉致电子磷化铟抛光液采用氧化铝

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[常见问题]碳化硅Sic衬底加工流程有哪些[ 2023-08-09 17:14 ]

碳化硅衬底是以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法生长碳化硅晶体，加工制成碳化硅晶片，简单流程可概括为原料合成→晶体生长→。1、原料合成将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合，在 2000C以上的高温下反应合成碳化硅颗粒。再经过破碎、清洗等工序，制得满足晶体生长要求的高纯度碳化硅微粉原料。2、晶体生长以高纯度碳化硅微粉为原料，使用自主研制的晶体生长炉，采用物理气相传输法 (PVT 法) 生长碳化硅晶体将高纯碳化硅微粉和籽晶分别置于单晶生长炉内圆柱状密闭的石墨甘场下部和顶部，通过电磁感应将

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[常见问题]蓝宝石抛光用什么抛光液[ 2023-07-28 17:29 ]

在生产蓝宝石衬底的时候产生裂痕和崩边现象的比例比较高，占总是的5%-8%。我国蓝宝石批量生产的技术还很不成熟，切割完的蓝宝石晶片有很深的加工痕迹，抛光后易形成很深的麻坑或划伤。因此需要通过CMP研磨抛光技术来达到工件平坦度，抛光过程中影响抛光质量的因素有很多，如抛光液的组分和PH值、压力、温度、流量、转速和抛光垫的质量等。蓝宝石晶圆的抛光需要对抛光液材质有很高的要求，磨料太软会导致抛光时间过长而抛光效果不理想。目前抛蓝宝石合适的是钻石抛光液，钻石抛光液磨料是采用金刚石，有很高的硬度，搭配

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[应用案例]Sic Slurry 吉致电子碳化硅晶圆抛光液[ 2023-04-11 11:07 ]

吉致电子碳化硅精抛液，适用于Sic碳化硅晶圆衬底精密加工表面平坦化。wafer使用的Slurry具有高度抛光、低粗糙度的特点，SiC碳化硅衬底抛光液抛光后的晶圆表面无划伤、雾等缺陷，碳化硅晶片平坦度高。吉致电子研发的碳化硅抛光液稀释比高、抛光后表面易清洗，被广泛应用于半导体集成电路衬底的制造中。吉致电子SiC Slurry wafer抛光液具有很好的流动性和分散性，不易结晶、易清洗、抛光效率高等优点，可以满足碳化硅晶片的精抛加工要求，也可根据客户工艺调整做定制化硅晶圆(si wafer)

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[行业资讯]CMP金刚石悬浮液/研磨液的特点及应用[ 2023-03-03 14:01 ]

吉致电子金刚石研磨液产品特点：（1）磨料类型多样化，包含单晶、多晶、类多晶及纳米级金刚石等；（2）金刚石悬浮液包含水性、油性及乳化型；（3）金刚石研磨液粘度可调整，包含低粘度、中等粘度和高粘度；吉致电子金刚石悬浮液/研磨液应用领域：1、抛光液CMP半导体晶片加工：蓝宝石、碳化硅、氮化镓等半导体晶片;2、抛光液陶瓷加工：氧化锆指纹识别片、氧化锆陶瓷手机后壳及其它功能陶瓷;3、抛光液用于金属材料加工：不锈钢、模具钢、铝合金及其它金属材料。吉致电子CMP研发生产厂家，产品质量和效果媲美进口slurry，CMP抛光液粒度规

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[应用案例]蓝宝石晶圆研磨抛光[ 2022-12-28 13:57 ]

蓝宝石晶片抛光的目的是将衬底的最终厚度减小到所需的目标值，具有优于+/- 2μm的TTV和小于2nm的表面粗糙度。这些操作要求需要具有高精度，高效率和高稳定性的机器和工艺，使用吉致电子蓝宝石抛光液和抛光垫进行CMP研磨抛光即可实现这一过程。通过使用CMP抛光工艺，可以达到理想的表面粗糙度。每个抛光的蓝宝石晶片在加工过程中都会有均匀一致的材料去除，并且表面光洁度始终如一。通过改变压力负载，可以实现每小时1-2μm的材料去除率（MRR）。蓝宝石晶片抛光分为A向抛光和C向抛光。从

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[常见问题]SIC碳化硅的化学机械抛光工艺[ 2022-12-14 16:20 ]

碳化硅Sic单晶生长之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是没法直接用于外延的，这就需要加工。其中，滚圆把晶碇做成标准的圆柱体，线切割会把晶碇切割成晶片，各种表征保证加工的方向，而抛光则是提高晶片的质量。 SiC表面的损伤层可以通过四种方法去除：机械抛光：简单但会残留划痕，适用于初抛；化学机械抛光：（Chemical Mechanical Polishing，CMP），引入化学腐蚀去除划痕，适用于精抛；氢气刻蚀：设备复杂，常用于HTCVD过程；等离子辅助抛光：设备复杂，不常用。选择CMP

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[常见问题]吉致电子抛光液---温度对蓝宝石衬底CMP工艺的影响[ 2022-12-08 15:40 ]

温度在蓝宝石衬底抛光中起着非常重要的作用, 它对CMP工艺的影响体现在抛光的各个环节。在CMP工艺的化学反应过程和机械去除过程这两个环节中, 受温度影响十分强烈。一般来说, 抛光液温度越高, 抛光速率越高, 表面平坦度也越好, 但化学腐蚀严重, 表面完美性差。所以, 蓝宝石抛光液/研磨液温度必须控制在合适的范围内, 这样才能满足圆晶片的平坦化要求。实验表明, 抛光液在40℃左右的时候, 抛光速率达到了最大值, 随着温度继续升高, 抛光速率的上升趋于平缓, 并且产生抛光液蒸腾现象。&nbs

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[行业资讯]碳化硅衬底CMP抛磨工艺流程[ 2022-10-26 14:32 ]

碳化硅衬底CMP化学机械抛光工艺需要用到吉致电子CMP抛光液和抛光垫，抛磨工艺一般分为3道流程：双面抛磨、粗抛、精抛。下面来看看吉致电子小编碳化硅晶圆抛光工艺介绍和抛光产品推荐吧。碳化硅衬底双面研磨：一般使用双面铸铁盘配合吉致电子金刚石研磨液或者碳化硅晶圆研磨液进行加工；主要目的是去除线切损伤层以及改善晶片的平坦度。碳化硅衬底粗抛工艺：针对碳化硅衬底加工采用专门的碳化硅晶圆抛光液配合粗抛垫。既可以达到传统工艺中较高的的抛光速率（与精磨基本相当）又可以达到传统工艺中粗抛后的表面光洁度。碳化硅衬底精抛工艺：SIC晶圆精

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[行业资讯]碳化硅衬底抛光液的特点[ 2022-10-25 16:59 ]

碳化硅半导体晶片的制作一般在切片后需要用CMP抛光液进行抛光，以移除表面的缺陷与损伤。碳化硅（Sic）晶片以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD法）等生成外延片，最后制成相关器件。碳化硅衬底具有碳极性面和硅极性面，因为碳面与硅面的极性不同，所以化学活性也不同，故双面cmp抛光速率具有差异。吉致电子碳化硅衬底抛光液（Sic Slurry）为电力电子器件及LED用碳化硅晶片的CMP化学机械平坦化配制的高精度抛光液。CMP抛光液大大提高了碳化硅晶圆

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[行业资讯]蓝宝石抛光液如何选？[ 2022-08-17 17:07 ]

随着科技的发展和迭代，3C科技产品对玻璃面板的要求越来越高，需要硬度更高且不容易划伤的玻璃，因此蓝宝石材质的应用和需求越来越广泛，如手机蓝宝石屏幕、蓝宝石摄像头、蓝宝石手表等。蓝宝石的特点是硬度高，脆性大，所以加工难度也大。因此，很有必要研究并升级CMP抛光工艺在蓝宝石窗口上的应用。目前国内批量生产蓝宝石衬底的技术还不成熟，切割出来的蓝宝石晶片有很深的加工痕迹，抛光后容易形成麻点或划痕。在蓝宝石衬底的生产中，裂纹和崩边的情况比较高，占总数的5%-8%。抛光过程中影响抛光质量的因素很多，如

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[行业资讯]吉致电子--抛光液的主要成分和功能有哪些？[ 2022-07-22 16:52 ]

抛光液的主要成分可分为以下几类:氧化铝抛光液、氧化铈抛光液、金刚石研磨液(聚晶钻石抛光液、单晶金刚石抛光液、纳米金刚石抛光液)、氧化硅抛光液、碳化硅抛光液。硅溶胶抛光液(氧化硅抛光液)是以高纯硅粉为原料，通过特殊工艺（如水解法）生产的高纯度低金属离子型抛光产品。广泛应用于多种纳米级材料的高平坦化抛光，如硅晶片、锗晶片、砷化镓、磷化铟等化合物半导体材料、精密光学器件、蓝宝石衬底、蓝宝石窗口等。金刚石抛光液以金刚石微粉为主要成分，高分散配方，硬度高韧性好，有良好的高切削率，不易

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[行业资讯]CMP抛光液的流速快慢会有什么影响？[ 2022-07-06 16:43 ]

CMP抛光液的流速快慢会有什么影响？今天，吉致电子小编就给大家解释一下抛光液流动性的影响。现代芯片制造领域有两种相互矛盾的趋势:待加工的工件尺寸越来越大，但要求的加工精度却越来越高。比如下一代集成电路中的晶圆直径要大于300mm，但表面粗糙度和波纹度要小于几埃，下一代磁盘的划痕深度和粗糙度要≤1nm和≤0.1nm，因此有必要对材料进行分子去除。抛光液中所含的化学物质与晶片表面或亚表面相互作用，形成软化层或弱结合，或在晶片表面产生钝化反应，使材料被平滑均匀地去除，

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[行业资讯]吉致资讯第118期：抛光垫性能对抛光液的影响[ 2017-10-11 10:32 ]

抛光垫将抛光液中的磨粒输送到工件表面，使凸起的部分平坦化，是输送抛光液的关键部件。抛光垫的剪切模量及弹性模量、粗糙度和可压缩性等机械特性对工件的平整度及去除率有着重要的影响。抛光垫的硬度对抛光均匀性有明显的影响，硬垫可获得较好的晶片内均匀性和较好的平面度，软垫可改善芯片内均匀性，通过组合使用硬垫及软垫，来获得良好的WID和 WIW，如在圆片及其固定装置间加一层弹性背膜，就可满足刚性及弹性的双重要求。抛光垫按其组成的材质，可分为聚氨酯抛光垫、复合抛光垫、阻尼布抛光垫，抛光垫的表面粗糙度及多孔性将影响工件实际参与加工的

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[客户感言]广东硅晶片抛光厂[ 2014-08-21 19:32 ]

前几天采购的抛光液已经收到，发货速度很快，款打完当天就给我司发货了，产品很好，液体均匀没有沉淀，包装也很好，值得称赞的诚信企业，期待长久的合作。谢谢！

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