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[吉致动态]国产替代｜吉致电子硅片CMP抛光液Slurry[ 2025-06-10 15:10 ]

一、CMP抛光技术：半导体制造的关键工艺化学机械抛光（Chemical Mechanical Planarization, CMP）是半导体硅片制造的核心工艺之一，直接影响芯片性能与良率。在硅片加工过程中，CMP通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，实现原子级表面平坦化（粗糙度<0.2nm），满足先进制程对晶圆表面超洁净、超平整的要求。吉致电子CMP抛光液的三大核心作用①高效抛光：纳米级磨料（如胶体SiO2）精准去除表面凸起，提升硅片平整度，减少微划痕。②润滑保护：特殊添加剂降低摩擦系数（<0.05），减少

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[吉致动态]3C产品镜面抛光解决方案：无麻点SiO2氧化硅抛光液[ 2025-06-06 15:33 ]

为什么3C产品镜面抛光首选CMP而非电解抛光？在3C行业（手机、笔记本、智能穿戴等），电解抛光因易导致边缘过蚀、材料限制等问题，逐渐被CMP（化学机械抛光）取代。吉致电子通过纳米级SiO?抛光液的机械-化学协同作用，可实现：①纳米级精度：表面粗糙度Ra＜2nm，满足光学级镜面要求②复杂结构适配：适用于铝合金中框、不锈钢按键等异形件③效率提升：较传统工艺缩短30%工时二氧化硅抛光液麻点问题深度解析客户反馈的麻点问题多源于：硅溶胶腐蚀：低纯度浆料中的Na?、Cl?引发金属电化学腐蚀工艺缺陷：前道粗抛残留划痕＞0.1μm

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[常见问题]化学机械抛光（CMP）如何优化陶瓷覆铜板平坦化？[ 2025-05-23 16:32 ]

陶瓷覆铜板（Ceramic Copper-Clad Laminate，简称陶瓷基覆铜板或DBC/DPC）是一种高性能电子基板材料，广泛应用于高功率、高温、高频等苛刻环境下的电子器件中。它由陶瓷基板和覆铜层通过特殊工艺结合而成，兼具陶瓷的优异性能和金属铜的导电特性。陶瓷覆铜板CMP研磨液是一种专用于化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）工艺的特殊液体，用于对陶瓷覆铜板（如DBC、DPC等）表面进行高精度平坦化处理。其核心作用是通过化学腐蚀与机械研磨的协同效应，去除铜层和陶

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[吉致动态]吉致电子：半导体陶瓷CMP工艺抛光耗材解析[ 2025-05-16 17:45 ]

在半导体陶瓷的化学机械抛光（CMP）工艺中，吉致电子（JEEZ Electronics）作为国产CMP耗材供应商，其抛光液（Slurry）和抛光垫（Polishing Pad）等产品可应用于陶瓷材料的精密平坦化加工。以下是结合吉致电子的技术特点，半导体陶瓷CMP中的潜在应用方案：吉致电子CMP抛光液在半导体陶瓷中的应用半导体陶瓷CMP研磨抛光浆料特性与适配性CMP Slurry磨料类型：纳米氧化硅（SiO2）浆料：适用于SiC、GaN等硬质陶瓷，通过表面氧化反应（如SiC + H2O2 → SiO2 +

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[行业资讯]CMP阻尼布抛光垫：多材料精密抛光的解决方案[ 2025-05-13 15:51 ]

阻尼布抛光垫/精抛垫是CMP工艺中材料纳米级精度的关键保障：在半导体化学机械抛光（CMP）工艺的最后精抛阶段，阻尼布抛光垫（CMP精抛垫）扮演着决定晶圆最终表面质量的关键角色。这种特殊丝绒状材料的CMP抛光垫，质地细腻、柔软，表面多孔呈弹性，使用周期长。阻尼布抛光垫可对碳化硅衬底、精密陶瓷、砷化镓、磷化铟、玻璃硬盘、光学玻璃、金属制品、蓝宝石衬底等材质或工件进行精密终道抛光，在去除纳米级材料的同时，实现原子级表面平整度，是先进制程芯片制造不可或缺的核心耗材。精抛阶段的特殊挑战与需求与粗抛或中抛阶段不同，精抛工艺面临

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[吉致动态]Template无蜡吸附垫在半导体CMP中的应用[ 2025-04-29 15:33 ]

在硅片抛光（尤其是化学机械抛光CMP）工艺中，无蜡吸附垫（Wax-free Adhesive Pad）相比传统蜡粘接方式具有显著优势，主要体现在工艺性能、缺陷控制、生产效率和环保合规等方面。吉致电子半导体行业晶圆、衬底、硅片专用无蜡吸附垫Template凭借五大核心优势，为半导体芯片生产带来革新体验。?①无蜡吸附垫:消除蜡污染，提升晶圆洁净度传统蜡粘接方式固定工件晶圆易造成蜡渍扩散、杂质吸附，干扰光刻、刻蚀等精密工序。吉致电子无蜡吸附垫 template 从源头杜绝蜡质污染，为晶圆打造纯净加工环境，有效降低芯片不良

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[行业资讯]吉致电子：钨CMP抛光液组成与应用解析[ 2025-04-25 10:52 ]

钨CMP抛光液：半导体关键制程材料的技术解析——吉致电子高精度平坦化解决方案1. 产品定义与技术背景钨化学机械抛光液（Tungsten CMP Slurry）是用于半导体先进制程中钨互连层全局平坦化的专用功能性材料，通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，实现纳米级表面精度（Ra＜0.5nm），满足高密度集成电路（IC）对互连结构的苛刻要求。2. 核心组分与作用机理3. 关键性能指标去除速率：200-600 nm/min（可调，适配不同工艺节点）非均匀性（WIWNU）：＜3% @300mm晶圆选择

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[吉致动态]钼衬底的应用领域及CMP抛光技术解析[ 2025-04-23 09:51 ]

钼（Mo）衬底凭借其高熔点（2623℃）、高热导率（138 W/m·K）、低热膨胀系数（4.8×10-6/K）以及优异的机械强度和耐腐蚀性，在半导体、光学、新能源、航空航天等高科技领域发挥着重要作用。吉致电子对钼衬底的主要应用场景解析其化学机械抛光（CMP）关键技术，帮助行业客户更好地选择和使用钼衬底抛光液。一、钼衬底的核心优势高温稳定性：熔点高达2623℃，适用于高温环境。优异的热管理能力：高热导率+低热膨胀系数，减少热应力。高机械强度：耐磨损、抗蠕变，适合精密器件制造。良好的导电性：适

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[吉致动态]吉致电子TSV铜化学机械抛光液：助力3D先进封装技术突破[ 2025-04-17 15:36 ]

在半导体技术飞速发展的当下，TSV（Through-Silicon-Via，硅通孔技术）作为前沿的芯片互连技术，正深刻变革着芯片与芯片、晶圆与晶圆之间的连接方式。它通过在芯片及晶圆间构建垂直导通的微孔，并填充铜、钨等导电材料，实现了三维堆叠封装中的垂直电气互连。作为线键合（Wire Bonding）、TAB 和倒装芯片（FC）之后的第四代封装技术，TSV 技术凭借缩短的互联长度，大幅降低信号延迟与功耗，显著提升数据传输速率和集成密度，已然成为高性能计算、5G 通信、人工智能等前沿领域不可或缺的核心支撑。TSV技术的

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[吉致动态]蓝宝石衬底CMP抛光新视野：氧化铝与氧化硅的多元应用[ 2025-04-11 15:47 ]

在蓝宝石衬底的化学机械抛光（CMP）工艺中，抛光材料的选择直接关系到抛光效果和生产效率。氧化铝和氧化硅作为两种常用的抛光磨料，以其独特的性能优势，在该领域发挥着不可替代的作用。吉致电子凭借深厚的行业积累，为您深入剖析这两种材料在蓝宝石衬底 CMP 抛光中的特性与应用。氧化铝在抛光中的特性硬度匹配优势α-氧化铝的硬度与蓝宝石极为接近，这一特性在抛光过程中具有关键意义。理论上，相近的硬度可能会增加划伤蓝宝石表面的风险，但在实际应用中，只要确保氧化铝磨料的颗粒形状规则、粒径分布均匀，就能有效避免划伤。在抛光压力作用下，凭

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[行业资讯]芯片抛光液（CMP Slurry）：半导体平坦化的核心驱动力[ 2025-04-08 11:12 ]

在半导体制造的精密世界里，纳米级别的表面平整度宛如一把精准的标尺，直接主宰着芯片的性能与良率。化学机械抛光（CMP）工艺宛如一位技艺精湛的大师，借助化学与机械的协同之力，达成晶圆表面的全局平坦化。而芯片抛光液（CMP Slurry），无疑是这一工艺得以顺畅运行的 “血液”，发挥着无可替代的关键作用。吉致电子，作为深耕半导体材料领域的佼佼者，在此为您深度解析抛光液背后的技术奥秘，以及洞察其前沿发展趋势。一、芯片抛光液的核心作用在CMP过程中，抛光液肩负着至关重要的双重功能：化学腐蚀其所含的活性

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[吉致动态]氧化铝悬浮液在化学机械抛光（CMP）中的应用与优化[ 2025-04-02 14:04 ]

化学机械抛光（CMP）是半导体制造、光学玻璃加工和集成电路生产中的关键工艺，而氧化铝悬浮液因其优异的机械磨削性能和化学可控性，成为CMP工艺的核心材料之一。吉致电子（JEEZ Electronics）作为CMP半导体精密电子材料供应商，致力于为客户提供高性能的氧化铝CMP悬浮液解决方案。本文将详细介绍氧化铝CMP悬浮液的关键特性、配方优化及行业应用。1. 氧化铝CMP悬浮液的核心要求在CMP工艺中，氧化铝悬浮液（氧化铝研磨液/抛光液）需满足以下关键指标，以确保高抛光效率、低表面损伤和长期稳定性：性能指标要求颗粒粒径

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[行业资讯]金刚石研磨液在CMP工艺中的应用与优势[ 2025-04-01 15:37 ]

化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）是半导体、光学玻璃、陶瓷、硬质合金及精密制造行业的关键工艺，用于实现材料表面的超精密平坦化。针对蓝宝石、碳化硅（SiC）、硬质合金等高硬度材料的加工需求，传统研磨液难以满足高精度、低损伤的要求，因此CMP抛光液、CMP抛光垫是满足高精度工件平坦化的重要耗材。其中金刚石研磨液凭借其超硬特性和稳定可控性，通过精准调控化学腐蚀与机械研磨的协同效应（Chemo-Mechanical Synergy）实现实现亚纳米级表面。1. 金刚石CMP研

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[行业资讯]陶瓷基板CMP工艺：无蜡吸附垫技术解析与应用优势[ 2025-03-28 16:03 ]

在半导体、LED、功率电子等领域，陶瓷基板因其优异的导热性、绝缘性和机械强度被广泛应用。化学机械抛光（CMP）是陶瓷基板表面精密加工的关键工艺，而传统的蜡粘接固定方式存在污染、效率低、平整度受限等问题。无蜡吸附垫技术作为新一代CMP固定方案，凭借其高精度、环保性和成本优势，正逐步成为行业新标准。无蜡吸附垫技术原理无蜡吸附垫通过非接触式固定技术取代传统蜡粘接，主要采用以下两种方式：一、真空吸附技术①采用多孔陶瓷或聚合物材料，通过真空负压均匀吸附基板②适用于各类硬脆材料（如Al?O?、AlN、SiC等）③可调节吸附力，

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[吉致动态]硅片抛光液（Slurry）在半导体制造中的关键作用与技术特性[ 2025-03-27 17:06 ]

在半导体制造工艺中，硅片的全局平坦化是确保集成电路性能与可靠性的关键步骤。化学机械抛光（CMP, Chemical Mechanical Polishing）技术通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，实现硅片表面的纳米级平整，而硅片抛光液（Slurry）作为CMP工艺的核心耗材，其性能直接影响抛光效率与表面质量。吉致电子（Geeze Electronics）作为半导体材料领域的领先供应商，致力于提供高性能硅片抛光液解决方案，助力先进制程的发展。1. 硅片抛光液的核心组成硅片抛光液是一种精密配制的胶体悬浮液，主要

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[吉致动态]吉致电子半导体CMP抛光液Slurry解析[ 2025-03-26 16:10 ]

在半导体制造工艺中，化学机械抛光（CMP）是实现晶圆表面全局平坦化的核心步骤，而抛光液（Slurry）的性能直接影响芯片的良率和可靠性。随着制程节点不断微缩至5nm、3nm甚至更先进工艺，对CMP抛光液的化学稳定性、材料选择性和缺陷控制提出了更高要求。作为CMP材料解决方案提供商，吉致电子持续优化抛光液技术，助力客户突破先进制程瓶颈。1. 基本组成与功能CMP抛光液由磨料颗粒、化学添加剂和超纯水组成，通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用实现晶圆表面纳米级平坦化。磨料颗粒：SiO?（二氧化硅）：广泛用于氧化物抛光，具有高

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[吉致动态]行业聚焦：硅片CMP研磨抛光液，如何重塑芯片制造格局[ 2025-03-20 14:17 ]

在半导体制造的前沿领域，Si硅片CMP研磨抛光液占据着举足轻重的地位，是实现芯片制造精度与性能突破的关键要素。抛光液（CMP Slurry）、抛光垫（CMP Pad）作为硅片化学机械抛光（CMP）工艺的核心耗材，为构建微观世界的精密电路网络奠定了基石。一、核心构成，协同增效硅片 CMP 研磨抛光液是一个精心调配的多元体系，每一组分都各司其职，协同作用，共同塑造卓越的抛光效果。精密磨料，微米级雕琢：体系中搭载了纳米级的二氧化硅、氧化铝或氧化铈等磨料颗粒。

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[行业资讯]半导体CMP抛光液Slurry：精密制造的核心材料[ 2025-03-19 10:48 ]

在半导体制造领域，半导体CMP抛光液Slurry是一种不可或缺的关键材料，广泛应用于化学机械抛光CMP工艺中。它通过独特的机械研磨与化学反应相结合的方式，帮助实现晶圆表面的纳米级平坦化，为高性能半导体器件的制造提供了重要保障。什么是半导体CMP抛光液Slurry？半导体Slurry是一种由研磨颗粒、化学添加剂和液体介质组成的精密材料。在CMP工艺中

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[行业资讯]CMP抛光液：从第一代到第三代半导体材料的精密抛光利器[ 2025-03-14 15:21 ]

随着半导体技术的飞速发展，化学机械抛光（CMP）工艺在集成电路制造中的地位愈发重要。CMP抛光液作为这一工艺的核心材料，不仅广泛应用于传统的第一代和第二代半导体材料，如硅（Si）和砷化镓（GaAs），更在第三代半导体材料的抛光中展现出巨大的潜力。CMP抛光液在第三代半导体材料中的应用第三代半导体材料以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石和氮化铝（AlN）为代表，具有宽禁带、高导热率、抗辐射能力强、电子饱和漂移速率大等优异特性。这些材料在高温、高频、大功率电子器件中表现突出，成为5G基站、新能

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[吉致动态]吉致电子：Oxide抛光液的核心作用与应用解析[ 2025-03-08 10:10 ]

氧化层抛光液（OX slurry）是一种专为半导体制造、金属加工及精密光学元件等领域设计的高性能化学机械抛光（CMP）材料。其核心作用是通过化学腐蚀与机械研磨的协同效应，精准去除材料表面的氧化层、瑕疵及微观不平整，从而实现高平整度、低缺陷率的抛光效果。该技术贯穿芯片 “从砂到芯” 的全流程，是集成电路制造中晶圆平坦化工艺的关键材料。吉致电子氧化层抛光液的功能与优势如下：一、吉致电子CMP氧化层抛光液的核心功能1.精准表面处理通过化学腐蚀与机械研磨协同作用，定向去除材料表面氧化层、瑕疵及微观不

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