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[行业资讯]为什么CMP抛光工艺，不适用于大型工件抛光加工？[ 2026-06-17 16:49 ]

在半导体制造产业链中，CMP（化学机械抛光）是实现晶圆全局平坦化的核心精密工艺，通过化学腐蚀软化与机械研磨去除的双重协同机制，可达成纳米级超高精度表面加工，是芯片制程中不可或缺的关键工序。许多制造企业常会产生疑问：既然CMP抛光精度优势突出，能否将其复用至大型玻璃基板、大口径光学镜片、大面积金属板材等米级大型工件的抛光场景？吉致电子小编结合设备结构原理、工艺底层逻辑、生产成本及行业应用经验来看：CMP工艺从设计之初，便是为半导体小尺寸晶圆量身定制的精密加工方案，受硬件结构、工艺均匀性、生产成

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[行业资讯]氮化铝陶瓷基板抛光：吉致电子CMP化学机械抛光液[ 2026-06-04 16:38 ]

氮化铝（AlN）凭借超高导热系数、优异绝缘性能与适配半导体芯片的热膨胀系数，是IGBT功率模块、5G射频器件、大功率LED、DBC/AMB覆铜基板核心散热基材。AlN硬度高、脆性大、极易遇水水解，传统金刚石研磨易产生划痕、晶粒脱落、亚表面损伤，制约基板镀铜、薄膜键合良率。吉致电子半导体精密陶瓷CMP抛光耗材研发技术，推出氮化铝基板粗抛、精抛双体系CMP抛光液，依托复合纳米磨料+缓冲型化学配方，适配6/8英寸烧结 / 生瓷氮化铝基板量产抛光，实现化学软化+微量机械去除协同加工，一站式解决氮化铝AlN水解易崩边、表面麻

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[常见问题]吉致电子详解：化学抛光与化学机械抛光（CMP）的区别[ 2026-05-29 17:06 ]

在精密加工与表面处理行业中，化学拋光与化学机械抛光（CMP）是两种主流的表面精整工艺。二者均依托化学药剂实现工件表面优化，名称与工艺基础相似，极易被混淆。但从核心原理、加工工艺、成品品质到行业应用，两种工艺存在本质差异，适配完全不同的生产精度与场景需求。吉致电子小编将系统拆解二者的核心区别，清晰梳理其工艺特点与适用范围，助力精准区分与选型应用。一、核心加工原理：纯化学抛光VS化机协同作用材料去除机制是两种工艺最核心、最本质的区别，也是后续所有工艺差异、效果差异的根源，简单可概括为：化学拋光“纯溶整平&r

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[吉致动态]吉致电子无蜡吸附垫 —— 半导体CMP精密抛光更高效[ 2026-05-20 15:14 ]

吉致电子硅片无蜡吸附垫 —— 半导体CMP精密抛光的洁净高效之选在半导体硅片、碳化硅、蓝宝石等精密衬底的化学机械抛光（CMP）工艺中，传统贴蜡工艺长期面临蜡质污染、工序烦琐、良率波动、维护成本高等痛点。吉致电子推出的硅片无蜡吸附垫（Template），以真空微孔吸附+高弹复合结构为核心，全面替代热蜡粘接，为先进制程提供超洁净、高效率、高平整、长寿命、易操作的标准化解决方案。一、产品核心特点1.多层复合微孔结构，吸附稳定均匀采用改性聚氨酯/高分子复合弹性体，表层分布微米级均匀微孔，底层为高弹支

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[行业资讯]硫系玻璃CMP抛光液与抛光垫：红外光学超精密加工抛光耗材[ 2026-05-12 17:16 ]

硫系玻璃以硫、硒、碲为主要成分，搭配锗、砷等元素，具备优异的红外透过性能（覆盖8–14 μm大气窗口），是红外夜视、热成像等高端装备核心元件的首选基材。其表面质量直接决定光学系统性能，而化学机械抛光（CMP）是实现硫系玻璃纳米级超光滑、无损伤、高平坦化表面的唯一成熟工艺。吉致电子深耕该领域，自主研发专用CMP抛光液与抛光垫，构建一体化解决方案，为高端红外元件量产提供稳定高效的核心耗材支撑。一、硫系玻璃CMP抛光液：化学机械协同的核心载体硫系玻璃脆性大，传统机械抛光易产生划痕与损伤，无法满足粗糙度≤

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[常见问题]碳化硅衬底无磨料抛光液：超精密无损伤加工新阶段[ 2026-04-23 15:42 ]

碳化硅衬底作为第三代半导体的核心材料，其表面的超精密平坦化工艺是决定SiC碳化硅性能与良品率的关键。在SiC晶圆加工环节，传统含磨料抛光液与新兴无磨料抛光液呈现出截然不同的技术路径与应用效果。吉致电子将从原理、成分、效果及产业价值等维度，深入科普两者的核心区别以及无磨料技术的革命性优势。一、SiC衬底抛光：传统与无磨料的本质差异1.核心原理：“机械+化学”→纯化学作用①传统含磨料抛光液（CMP）传统化学机械抛光（CMP）是“化学氧化 + 机械磨削”的二元协同

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[常见问题]碳化硅衬底与碳化硅陶瓷有哪些区别|吉致电子碳化硅材料分析[ 2026-04-16 17:12 ]

碳化硅（SiC）作为一种性能优异的材料，根据晶体结构、纯度、制备工艺及用途的不同，主要分为碳化硅衬底和碳化硅陶瓷两大类。二者化学式均为SiC，但核心定位、性能要求和应用场景差异显著；而化学机械抛光（CMP）作为关键的表面处理工艺，对二者的表面质量、性能发挥有着决定性影响，以下将详细梳理二者区别及CMP工艺的具体影响。一、碳化硅衬底与碳化硅陶瓷的核心区别碳化硅衬底与碳化硅陶瓷的本质差异，源于材料形态、纯度控制和制备工艺的不同，进而导致其性能和用途呈现根本性区别，具体可从以下维度详细区分：材料定位与材料形态1.碳化硅衬

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[常见问题]CMP工艺在LED外延芯片制造中的优势及吉致电子CMP抛光耗材方案[ 2026-04-02 16:22 ]

在LED外延芯片的精密制造链条中，CMP（Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光）已成为实现原子级全局平坦化、保障芯片高性能与高可靠性的核心关键制程。它巧妙融合化学腐蚀的精准软化与机械研磨的高效去除，通过“化学作用 - 机械去除”的循环协同，将晶圆、硅片、衬底等表面打磨至纳米级甚至亚纳米级的极致平整与洁净，为LED芯片从源头品质到最终性能的全链路提升，提供了不可替代的精密支撑。CMP工艺在LED外延芯片制造中的优势如下：①CMP工艺能优化衬底表面质量：实现纳

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[行业资讯]吉致电子自研新突破：磷化铟衬底CMP抛光液半导体加工新升级[ 2026-03-25 17:12 ]

在半导体产业向高端化、自主化迈进的浪潮中，磷化铟（InP）作为兼具高电子迁移率、强抗辐射性与优异电光转换效率的核心半导体材料，广泛应用于光通信、高频毫米波器件、航天航空太阳能电池等高端领域，其加工精度直接决定下游器件的性能与可靠性。化学机械抛光（CMP）作为InP衬底加工的关键工序，对抛光液的性能提出了极为苛刻的要求——需同时满足高去除率、低表面损伤、无残留等核心指标，才能实现原子级的表面平坦化效果，支撑高端器件的稳定量产。长期以来，在InP CMP抛光工艺领域，日本Fujimi抛光液凭借成

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[行业资讯]光学玻璃超精密抛光：吉致电子CMP抛光液客户案例解析[ 2026-03-19 16:55 ]

光学玻璃是光学元件的核心基材，其表面精度直接影响光学系统的成像、透光和使用寿命。随着高端光学领域需求提升，超精密抛光需达到纳米级粗糙度、无损伤、高透光且环保，这成为行业痛点。吉致电子推出纳米级氧化硅抛光液，精准解决这一难题，精准破解光学玻璃超精密抛光难题，根据最近光学领域客户的实际应用案例，带您领略化学机械抛光工艺结合吉致电子CMP抛光液的硬核实力。【客户应用需求】南京某光学仪器企业，专注于高精度光学石英玻璃镜片、棱镜的研发与生产，其产品广泛应用于高端光学检测仪器、激光设备等领域。该企业面临的核心需求是实现镜片表面

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[吉致动态]专注半导体先进制程：吉致电子CMP精抛垫稳定可靠[ 2026-03-13 14:38 ]

随着半导体先进制程持续迭代突破，7nm以下芯片制造对CMP化学机械抛光的最终精抛环节，提出了近乎严苛要求：既要实现纳米级材料的精准可控去除，又要确保表面零微观缺陷。然而，传统抛光垫始终难以兼顾精度与品质两大核心诉求。吉致电子凭借阻尼布抛光垫（CMP精抛垫）的创新设计，成功突破行业技术瓶颈，为碳化硅（SiC）、砷化镓（GaAs）、光学玻璃等关键材料，打造原子级表面平整度，成为先进半导体制程的“核心助攻”，彻底解决精抛环节的痛点难题。吉致电子阻尼布精抛垫为什么能成为半导体行业优选？不同于传统抛光

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[行业资讯]DNA基因芯片精密制造——吉致电子CMP抛光液[ 2026-03-11 15:58 ]

基因芯片（又称DNA芯片、DNA微阵列）作为生命科学领域的核心检测工具，凭借可同时解读大量DNA序列信息的优势，广泛应用于医学诊断、生物学研究、农业育种等多个关键领域，成为推动精准医疗与生命科学创新的重要支撑。而基因芯片的检测精度、高通量性能，从根源上依赖于基底材料的表面质量，CMP（化学机械抛光）工艺则成为解锁基因芯片精密制造的关键环节。在DNA芯片生产过程中，基底材料的选择与表面处理直接决定探针分子的固定效果与杂交稳定性，常用的硅片、玻璃片、尼龙膜等基底，需经过严格的表面处理以获得优异的吸附性能。这一过程中，去

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[常见问题]吉致电子：CZT碲锌镉晶体CMP抛光崩边防控解决方案[ 2026-02-28 13:31 ]

碲锌镉CMP化学机械抛光工艺如何防止晶片崩边？碲锌镉（CZT）晶体莫氏硬度仅2.0–2.5，断裂韧性低、质地软脆，在化学机械抛光（CMP）中极易出现崩边缺陷，直接制约器件性能与成品率。吉致电子依托多年CZT晶体精密加工经验，从装夹保护、抛光耗材选型、工艺控制及全流程配套出发，构建出一套高效稳定的CZT晶体CMP崩边防控方案，可支撑高精度CZT晶体规模化量产。首先，碲锌镉晶片加工的防控原则是以边缘保护为核心、低应力加工为基础、CMP化学机械协同合作为关键，经精细化管控规避碲锌镉工件边缘应力集中、物理冲击及

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[行业资讯]研磨液与抛光液的区别有哪些？[ 2026-02-06 16:09 ]

化学机械抛光（CMP）是半导体等领域实现表面全局平坦化的核心工艺，抛光液与研磨液作为核心耗材，功能定位差异显著。当前半导体产业链自主化需求迫切，吉致电子深耕CMP抛光材料25年，为全球1500+客户提供一站式解决方案，以下解析二者核心区别与作用。研磨液与抛光液的区别：粗加工与精加工的工艺分工CMP工艺核心是“化学腐蚀+机械研磨”协同，抛光液与研磨液的差异本质是“化学－机械”作用权重不同，形成“粗抛-精抛”配合，适配先进制程对协同性的高要求。研磨

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[常见问题]不锈钢平面件CMP抛光液抛光垫选型指南[ 2026-01-14 15:11 ]

化学机械抛光（CMP）技术凭借化学作用+机械研磨的协同优势，成为实现不锈钢表面纳米级平坦化、镜面化的优选工艺。不锈钢平面件CMP抛光需遵循;粗抛去余量中抛修平整;精抛提镜面;的梯度原则，不同工序的核心目标不同，对应的磨料与抛光垫特性也需精准匹配。吉致电子基于不锈钢材质特性（如304、316、430等）与不同场景的表面要求（Ra值、平整度、洁净度），确保每一道工序都能高效衔接，最终实现理想的表面效果。不锈钢CMP粗抛工艺：高效去除，奠定平整基础

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[行业资讯]什么是半导体CMP Slurry？[ 2025-12-30 16:18 ]

半导体化学机械抛光液/抛光浆料CMP Slurry作为化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing）工艺的核心耗材，是半导体制造流程中实现硅片、晶圆、衬底表面高精度、超平滑处理的关键材料。其性能直接决定芯片制程中多层布线、介质层平坦化等核心工序的精度与稳定性，为先进芯片量产提供核心支撑。吉致电子JEEZ Electronics半导体核心耗材领域多年经验，凭借技术积淀和研究创新在CMP Slurry产业化方面持续突破，为国内半导体企业提供更高性能、更可靠的国产化解决方案。一、半导体CMP抛

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[行业资讯]吉致电子蓝宝石CMP研磨抛光及Template吸附垫加工方案[ 2025-12-09 14:23 ]

蓝宝石（α-Al2O3）凭借单晶结构赋予的高硬度（莫氏硬度9）、80%以上的高透光率，以及优异的耐高温、耐腐蚀特性，成为当前LED芯片制造的主流衬底材料。然而，其超高硬度也带来了严苛的加工挑战，表面平整度、亚表面损伤等指标直接决定LED外延层生长质量。吉致电子深耕化学机械抛光（CMP）核心技术，创新集成无蜡吸附垫Template产品，构建从精密研磨到超净检测的全流程解决方案，实现蓝宝石衬底纳米级平整度加工，为高性能LED芯片量产奠定坚实基础。一、蓝宝石衬底的核心特性与加工痛点解析蓝宝石衬底的独特性能是其成为LED衬

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[行业资讯]破解G804W高成本与慢响应：国产CMP抛光垫的替代逻辑[ 2025-11-20 16:07 ]

在第三代半导体产业加速迭代的今天，碳化硅（SiC）作为核心材料，正以其优异的耐高温、高击穿场强特性，重塑新能源汽车功率器件、高频通信器件等高端制造领域的技术格局。而化学机械抛光（CMP）作为碳化硅加工的关键工序，其核心耗材——抛光垫的性能直接决定了器件的成品精度与可靠性。长期以来，日本Fujibo的G804W抛光垫凭借稳定的性能，成为全球碳化硅CMP领域的主流选择之一。如今，随着国产半导体材料产业的崛起，吉致电子依托自主研发实力，在G804W国产替代赛道上实现关键突破，为产业链自主可控注入强

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[常见问题]磷化铟抛光液：高精度低缺陷晶圆平坦化首选[ 2025-11-04 10:22 ]

在半导体制造领域，磷化铟（InP）衬底因其优异的电子和光学特性，成为光通信、毫米波雷达、量子通信等高端应用的核心材料。然而，InP衬底的化学机械抛光（CMP）工艺对抛光液的要求极为严苛，需要兼顾高效抛光速率、表面质量、工艺稳定性等多重因素。吉致电子针对这一需求，推出了专为磷化铟衬底设计的CMP抛光液，其核心优势体现在以下几个方面：1.高效抛光速率与表面质量的完美平衡粗抛阶段：采用较大粒径（如5-10μm）的氧化铝磨料，可快速去除表面余量，抛光速率可达数μm/h，显著提升生产效率。精抛阶段：切换至小粒径（如50-10

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[常见问题]碳化硅SiC衬底CMP抛光液抛光垫[ 2025-10-15 14:55 ]

一、碳化硅CMP工艺：精密制造的“表面革命”碳化硅（SiC）以其优异的耐高温、高击穿场强特性，成为半导体功率器件、新能源汽车电子等高端领域的核心材料。而化学机械抛光（CMP）作为实现碳化硅衬底原子级光滑表面的关键工艺，其核心效能直接由抛光液与抛光垫两大耗材决定。吉致电子深耕CMP材料领域多年，针对碳化硅衬底抛光的4道核心制程，打造了全系列适配的抛光液Slurry与抛光垫Pad产品，实现“高效去除”与“超精表面”的完美平衡。二、碳化硅抛光液：化学

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吉致电子抛光材料源头厂家
25年专注CMP抛光材料研发与生产

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