- [行业资讯]差异化深耕衬底抛光赛道,打造高性价比国产CMP耗材|吉致电子[ 2026-07-17 15:35 ]
- 无锡吉致电子科技有限公司成立于2017年,依托成熟的核心配方技术与量产工艺,搭建起标准化、规模化生产体系,现已形成集研发、生产、销售、工艺配套服务于一体的完整产业链。吉致电子多年来一直专注于半导体晶圆、光电衬底CMP精密抛光耗材研发、生产与技术服务的国家级科技型中小企业,是国内衬底抛光国产化替代的核心优质供应商。吉致电子聚焦差异化赛道,主打晶圆衬底抛光与特种衬底精密抛光,核心产品覆盖全系列CMP抛光液及配套抛光耗材,有效填补国产中高端衬底抛光材料市场缺口。核心主力产品为8/12英寸单晶硅晶圆、再生晶圆粗、中、精抛液
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- [行业资讯]碳化硅SiC衬底抛光液客户案例:国产DMP/CMP一体化方案[ 2026-07-10 16:50 ]
- 吉致电子这次合作的客户为国内某碳化硅功率衬底头部企业,主营4寸导电型SiC衬底量产加工,产品专供新能源汽车主逆变器、800V快充模块等车规级功率器件晶圆制造。企业产线扩产阶段,受传统进口耗材与蜡粘固定工艺制约,抛光效率、衬底良率及表面品质难以满足车载外延高标准,亟需国产化DMP/CMP一体化耗材方案实现工艺升级与供应链自主可控。客户核心工艺痛点1. 抛光效率低、表面缺陷严重碳化硅莫氏硬度高达9级,普通通用抛光液材料去除速率不足,单面抛光周期长;抛光后衬底表面微划痕、晶格损伤多,无法满足车规外延片粗糙度标准
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- [行业资讯]无纺布抛光垫厂家:吉致电子CMP抛光垫定制化服务[ 2026-07-01 16:11 ]
- 在化学机械抛光(CMP)工艺中,抛光垫(CMP PAD)对精密元件表面处理质量起着关键作用。然而,高端抛光垫市场长期被国际巨头垄断,国产替代需求日益迫切。无锡吉致电子科技有限公司多年技术积累,研发的高性能无纺布抛光垫系列产品,可实现对Fujibo(富士纺)、SUBA800、Politex等进口品牌的替代,在抛光效率、使用寿命和本土定制化服务上优势显著。产品主要应用于碳化硅(SiC)衬底、再生晶圆、蓝宝石、砷化镓(GaAs)、氮化铝(AlN)等三五族及二六族化合物半导体材料的精密抛光,也适用于各类衬底、窗口片或玻璃片
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- [常见问题]硅溶胶抛光液:非CMP加工场景存在的缺陷与工艺问题[ 2026-06-26 16:40 ]
- 吉致电子硅溶胶抛光液专为半导体、光学基材CMP化学机械平坦化工艺研发,依靠设备恒定压力、持续循环供液、抛光盘/抛光垫即时修整及稳定缓冲的pH体系,实现纳米级化学软化层 + 微量机械磨削协同去除加工,兼顾高去除速率、超光滑表面与优异平坦度。CMP Slurry抛光液磨料依靠稳定的均匀分散,配套完整螯合、缓蚀、pH缓冲体系,仅在标准化学机械工艺工况下可维持长期稳定;若直接用于手持抛、简易转盘、自重研磨、半干抛等非CMP抛光工艺,会引发表面品质、耗材设备、后道洁净度多重不良。非CMP工艺及设备使用硅溶胶抛光液的
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- [吉致动态]粽香赴仲夏,好运接粽而至|吉致电子祝您2026端午安康[ 2026-06-18 14:07 ]
- 风吹仲夏暖,粽香漫四方。不知不觉,2026年端午小长假如期而至!没有初春的微凉,没有盛夏的燥热,端午藏着一年里最舒服的烟火气:门口一束清香艾草,桌上一盘软糯粽子,耳边阵阵龙舟鼓响,还有忙碌工作里难得的松弛时光。褪去平日里职场的紧绷与奔波,大家终于可以暂时放下工作忙碌,吃粽乘凉,闲享假日,自在放松。说起端午,每年都逃不开全民热议的经典话题:甜粽vs咸粽,到底谁才是永远的神?软糯清甜的蜜枣粽,一口解锁夏日甜蜜;油润鲜香的肉粽,满满馅料超满足。其实不必纠结口味输赢,就像世间万般美好本就各有偏爱,适合自己的,便是最好的滋味
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- [行业资讯]为什么CMP抛光工艺,不适用于大型工件抛光加工?[ 2026-06-17 16:49 ]
- 在半导体制造产业链中,CMP(化学机械抛光)是实现晶圆全局平坦化的核心精密工艺,通过化学腐蚀软化与机械研磨去除的双重协同机制,可达成纳米级超高精度表面加工,是芯片制程中不可或缺的关键工序。 许多制造企业常会产生疑问:既然CMP抛光精度优势突出,能否将其复用至大型玻璃基板、大口径光学镜片、大面积金属板材等米级大型工件的抛光场景?吉致电子小编结合设备结构原理、工艺底层逻辑、生产成本及行业应用经验来看:CMP工艺从设计之初,便是为半导体小尺寸晶圆量身定制的精密加工方案,受硬件结构、工艺均匀性、生产成
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- [吉致动态]弹性高分子Chuck Pad真空吸附垫:半导体硅片精密加工耗材[ 2026-06-11 16:24 ]
- 传统晶圆加工多采用石蜡贴合固定,不仅需要额外的上蜡、脱蜡、溶剂清洗工序,流程繁琐、生产效率低,且极易出现蜡残留、有机物污染等问题,影响晶圆洁净度与后续制程品质。吉致电子弹性高分子Chuck Pad采用真空微粘吸附原理,可完全替代传统蜡贴工艺,实现无蜡贴合、无尘加工。加工后晶圆可轻松剥离,无任何胶体、有机物残留,无需复杂清洗工序,大幅精简生产流程、提升加工效率。同时产品采用半导体级低析出配方,低VOC、无重金属离子析出,不产生颗粒污染物,完全适配无尘室生产标准,从根源上规避晶圆污染风险,保障器件性能稳定。适用吉致电子
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- [行业资讯]氮化铝陶瓷基板抛光:吉致电子CMP化学机械抛光液[ 2026-06-04 16:38 ]
- 氮化铝(AlN)凭借超高导热系数、优异绝缘性能与适配半导体芯片的热膨胀系数,是IGBT功率模块、5G射频器件、大功率LED、DBC/AMB覆铜基板核心散热基材。AlN硬度高、脆性大、极易遇水水解,传统金刚石研磨易产生划痕、晶粒脱落、亚表面损伤,制约基板镀铜、薄膜键合良率。吉致电子半导体精密陶瓷CMP抛光耗材研发技术,推出氮化铝基板粗抛、精抛双体系CMP抛光液,依托复合纳米磨料+缓冲型化学配方,适配6/8英寸烧结 / 生瓷氮化铝基板量产抛光,实现化学软化+微量机械去除协同加工,一站式解决氮化铝AlN水解易崩边、表面麻
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- [常见问题]吉致电子详解:化学抛光与化学机械抛光(CMP)的区别[ 2026-05-29 17:06 ]
- 在精密加工与表面处理行业中,化学拋光与化学机械抛光(CMP)是两种主流的表面精整工艺。二者均依托化学药剂实现工件表面优化,名称与工艺基础相似,极易被混淆。但从核心原理、加工工艺、成品品质到行业应用,两种工艺存在本质差异,适配完全不同的生产精度与场景需求。吉致电子小编将系统拆解二者的核心区别,清晰梳理其工艺特点与适用范围,助力精准区分与选型应用。一、核心加工原理:纯化学抛光VS化机协同作用材料去除机制是两种工艺最核心、最本质的区别,也是后续所有工艺差异、效果差异的根源,简单可概括为:化学拋光“纯溶整平&r
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- [吉致动态]吉致电子无蜡吸附垫 —— 半导体CMP精密抛光更高效[ 2026-05-20 15:14 ]
- 吉致电子硅片无蜡吸附垫 —— 半导体CMP精密抛光的洁净高效之选在半导体硅片、碳化硅、蓝宝石等精密衬底的化学机械抛光(CMP)工艺中,传统贴蜡工艺长期面临蜡质污染、工序烦琐、良率波动、维护成本高等痛点。吉致电子推出的硅片无蜡吸附垫(Template),以真空微孔吸附+高弹复合结构为核心,全面替代热蜡粘接,为先进制程提供超洁净、高效率、高平整、长寿命、易操作的标准化解决方案。一、产品核心特点1.多层复合微孔结构,吸附稳定均匀采用改性聚氨酯/高分子复合弹性体,表层分布微米级均匀微孔,底层为高弹支
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- [吉致动态]无锡吉致电子科技有限公司“澄清声明”[ 2026-05-18 11:26 ]
- 澄清声明致各位客户、合作伙伴及社会各界人士:近期,我司注意到部分网络平台及信息渠道,将“无锡吉致电子科技有限公司”与“同致电子科技(厦门)有限公司(原厦门吉致电子有限公司)”错误关联,误导公众认为双方存在隶属、控股、投资或业务合作关系。为避免因信息混淆给广大客户、合作伙伴造成误解与不便,我司特此郑重澄清:主体完全独立:无锡吉致电子科技有限公司与同致电子科技(厦门)有限公司为两家完全独立的企业法人,双方不存在任何股权关联、隶属关系、控制关系或其他形式的关联关系。业务领域
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- [行业资讯]硫系玻璃CMP抛光液与抛光垫:红外光学超精密加工抛光耗材[ 2026-05-12 17:16 ]
- 硫系玻璃以硫、硒、碲为主要成分,搭配锗、砷等元素,具备优异的红外透过性能(覆盖8–14 μm大气窗口),是红外夜视、热成像等高端装备核心元件的首选基材。其表面质量直接决定光学系统性能,而化学机械抛光(CMP)是实现硫系玻璃纳米级超光滑、无损伤、高平坦化表面的唯一成熟工艺。吉致电子深耕该领域,自主研发专用CMP抛光液与抛光垫,构建一体化解决方案,为高端红外元件量产提供稳定高效的核心耗材支撑。一、硫系玻璃CMP抛光液:化学机械协同的核心载体硫系玻璃脆性大,传统机械抛光易产生划痕与损伤,无法满足粗糙度≤
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- [吉致动态]光学玻璃半导体精密制造智选——吉致电子聚氨酯抛光垫[ 2026-05-07 15:39 ]
- 在光学加工、半导体制造、精密玻璃及金属处理等高端领域,抛光垫是决定工件表面质量、加工效率与面形精度的核心耗材。吉致电子深耕CMP抛光耗材领域,自主研发生产的聚氨酯抛光垫(Polyurethane Polishing Pad / CMP Pad),以优质聚氨酯为基材,经发泡、切片工艺精制而成,可根据客户需求个性化定制,凭借多元填充配方与稳定性能,成为光电玻璃、精密光学元件及金属材质抛光的优选产品。一、基材优势:聚氨酯 —— 抛光垫的理想材质聚氨酯(PU)作为主流抛光垫材质,具备耐磨、耐撕裂、耐
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- [吉致动态]吉致电子:五一快乐,致敬每一位发光的奋斗者[ 2026-04-30 15:01 ]
- 春回大地,万物向新,2026年五一劳动节也如约赴约啦!这个专属于每一位劳动者的节日,吉致电子带着满满的诚意,向每一位在平凡岗位上发光发热的奋斗者,道一声辛苦啦,送上最真挚的祝福!烟火人间,每个人都有自己的小坚守。有人为了生计步履不停,穿梭在街头巷尾,守护着柴米油盐的小日子;有人为了理想和事业潜心深耕,在自己的方寸岗位上,默默坚守初心、扛起担当;还有人为了安稳岁月温柔付出,守着三餐四季,传递着烟火里的小温暖。平凡的日子里,每一份坚守都值得被看见,每一份付出都藏着温度。正是无数普通人日复一日的耕耘,用平凡的力量汇聚成不
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- [吉致动态]半导体抛光耗材:硅片精抛液吉致电子Wafer Fine Polish Slurry[ 2026-04-28 15:40 ]
- 在半导体硅片制造与再生晶圆加工中,精抛环节直接决定晶圆表面粗糙度、洁净度及整体良率,而抛光液的综合性能更是制约高端硅片制程品质的核心关键。吉致电子依托成熟配方研发与严谨工艺测试,自主研发生产的硅片精抛液,凭借优异性能、稳定批次品质及高适配性,成为半导体衬底精密抛光的国产优选解决方案,全面适配高端硅片加工需求,助力半导体国产替代进程。吉致电子硅片精抛液核心优势突出,全方位满足产业生产需求:一是超优抛光品质,筑牢制程根基。产品采用优质纳米二氧化硅溶胶(SiO2)为磨料,经严格筛选与粒径调控,避免磨料团聚产生大颗粒,杜绝
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- [常见问题]碳化硅衬底无磨料抛光液:超精密无损伤加工新阶段[ 2026-04-23 15:42 ]
- 碳化硅衬底作为第三代半导体的核心材料,其表面的超精密平坦化工艺是决定SiC碳化硅性能与良品率的关键。在SiC晶圆加工环节,传统含磨料抛光液与新兴无磨料抛光液呈现出截然不同的技术路径与应用效果。吉致电子将从原理、成分、效果及产业价值等维度,深入科普两者的核心区别以及无磨料技术的革命性优势。一、SiC衬底抛光:传统与无磨料的本质差异1.核心原理:“机械+化学”→纯化学作用①传统含磨料抛光液(CMP)传统化学机械抛光(CMP)是“化学氧化 + 机械磨削”的二元协同
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- [常见问题]碳化硅衬底与碳化硅陶瓷有哪些区别|吉致电子碳化硅材料分析[ 2026-04-16 17:12 ]
- 碳化硅(SiC)作为一种性能优异的材料,根据晶体结构、纯度、制备工艺及用途的不同,主要分为碳化硅衬底和碳化硅陶瓷两大类。二者化学式均为SiC,但核心定位、性能要求和应用场景差异显著;而化学机械抛光(CMP)作为关键的表面处理工艺,对二者的表面质量、性能发挥有着决定性影响,以下将详细梳理二者区别及CMP工艺的具体影响。一、碳化硅衬底与碳化硅陶瓷的核心区别碳化硅衬底与碳化硅陶瓷的本质差异,源于材料形态、纯度控制和制备工艺的不同,进而导致其性能和用途呈现根本性区别,具体可从以下维度详细区分:材料定位与材料形态1.碳化硅衬
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- [常见问题]超硬材料精密抛光:吉致电子CMP金刚石研磨液[ 2026-04-08 17:13 ]
- 在第三代半导体、高端光学、精密陶瓷等前沿制造领域,SiC、蓝宝石、硬质合金等超硬材料的加工,正面临着效率与精度的双重挑战。传统的氧化铝、氧化硅研磨液,在应对莫氏硬度接近10的超硬材质时,常常陷入“抛不动、易划伤、精度低”的困境。吉致电子在CMP精密抛光领域深耕多年,以金刚石研磨液为核心,凭借自然界硬度极高材质的切削力以及先进的配方工艺,为超硬材料提供高效、低损、原子级平坦化的CMP工艺优质解决方案,助力高端制造突破加工瓶颈。 一、何为CMP金刚石研磨液?金刚石研磨液,专门为化学机械
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- [行业资讯]春和景明,匠心如常|吉致电子与春日共赴新程[ 2026-04-03 16:15 ]
- “春分后十五日,斗指乙,则清明风至。”当清爽的春风漫过枝头,草木悄悄抽芽,天地间一片明净,我们也迎来了清明这个特别的日子——它既有追思过往的温柔,也有拥抱新生的欢喜。吉致电子在高端CMP抛光材料领域深耕了25年,就像这清明的春风一样,带着对初心的敬畏,揣着对创新的热忱,在精密制造的路上,慢慢沉淀,稳步前行。说起清明,最动人的莫过于那份“慎终追远”的坚守,这份坚守,也是吉致电子25年来的初心。《论语·学而》里说“慎终追远
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- [常见问题]CMP工艺在LED外延芯片制造中的优势及吉致电子CMP抛光耗材方案[ 2026-04-02 16:22 ]
- 在LED外延芯片的精密制造链条中,CMP(Chemical Mechanical Polishing,化学机械抛光)已成为实现原子级全局平坦化、保障芯片高性能与高可靠性的核心关键制程。它巧妙融合化学腐蚀的精准软化与机械研磨的高效去除,通过“化学作用 - 机械去除”的循环协同,将晶圆、硅片、衬底等表面打磨至纳米级甚至亚纳米级的极致平整与洁净,为LED芯片从源头品质到最终性能的全链路提升,提供了不可替代的精密支撑。CMP工艺在LED外延芯片制造中的优势如下:①CMP工艺能优化衬底表面质量:实现纳
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