- [行业资讯]吉致电子砷化镓衬底CMP抛光液 | 高平坦度低缺陷半导体slurry[ 2025-10-21 11:35 ]
- 吉致电子CMP抛光耗材厂家——精准匹配半导体高端材料抛光需求在半导体产业飞速发展的今天,砷化镓GaAs作为第二代半导体材料的代表,因其优异的电子迁移率和直接带隙特性,在射频前端、光电器件和高速集成电路中扮演着不可替代的角色。然而,砷化镓衬底的高效精密抛光一直是行业面临的重大挑战。砷化镓CMP抛光的核心挑战砷化镓材料由两种硬度和化学性质差异显著的原子构成,在抛光过程中容易产生晶格损伤、表面粗糙和化学计量比失衡等问题。传统的抛光工艺难以同时实现全局平坦化、低表面损伤和高材料去除率,这直接影响着后
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                                        http://www.jzdz-wx.com/Article/jzdzshjcdc_1.html 
- [常见问题]碳化硅SiC衬底CMP抛光液抛光垫[ 2025-10-15 14:55 ]
- 一、碳化硅CMP工艺:精密制造的“表面革命”碳化硅(SiC)以其优异的耐高温、高击穿场强特性,成为半导体功率器件、新能源汽车电子等高端领域的核心材料。而化学机械抛光(CMP)作为实现碳化硅衬底原子级光滑表面的关键工艺,其核心效能直接由抛光液与抛光垫两大耗材决定。吉致电子深耕CMP材料领域多年,针对碳化硅衬底抛光的4道核心制程,打造了全系列适配的抛光液Slurry与抛光垫Pad产品,实现“高效去除”与“超精表面”的完美平衡。二、碳化硅抛光液:化学
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                                        http://www.jzdz-wx.com/Article/article-97761509101_1.html 
- [常见问题]半导体CMP工艺核心:金属互联层与介质层Slurry抛光液的类型划分[ 2025-08-28 16:59 ]
- 在半导体芯片制造中,化学机械抛光CMP是关键工艺,其中CMP Slurry抛光液就是核心耗材,直接决定芯片平整度、电路可靠性与性能。无论是 导线;(互连层)还是绝缘骨架(介质层),都需靠它实现精准平整。下面吉致电子小编就来拆解下半导体CMP抛光液的中金属互联层及介质层CMP抛光液的类型和应用场景。一、金属互连层CMP抛光液(后端 BEOL 核心)核心需求是选择性除金属、护绝缘 / 阻挡层,主流类型有:铜(Cu)CMP 抛光液14n
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                                        http://www.jzdz-wx.com/Article/bdtcmpgyhx_1.html 
- [行业资讯]CMP抛光液厂家:半导体抛光液解决方案--吉致电子科技[ 2025-08-12 11:38 ]
- 无锡吉致电子科技有限公司作为国内CMP抛光耗材专业制造商,多年研发生产经验,致力于为半导体、集成电路、3D封装等领域提供高性能化学机械抛光解决方案。CMP Slurry系列涵盖射频滤波器抛光液、钨抛光液、铜抛光液、浅槽隔离(STI)抛光液以及TSV硅通孔专用抛光液等,广泛应用于逻辑芯片、3D NAND、DRAM等先进制程的量产环节。一、吉致电子半导体抛光液产品特点CMP抛光液产品具备以下优势:卓越的悬浮稳定性:颗粒分散均匀,不易沉淀和团聚,使用方便,有效避免因颗粒团聚导致的工件表面划伤缺陷。化学-机械协同作用:通过
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                                        http://www.jzdz-wx.com/Article/cmppgycjbd_1.html 
- [行业资讯]CMP抛光液断供危机?吉致电子国产替代方案降本30%+[ 2025-08-08 15:56 ]
- 在半导体制造过程中,CMP化学机械平坦化抛光液(Slurry)是晶圆表面平坦化的关键材料,直接影响芯片的性能和良率。长期以来,这一市场被海外巨头垄断,主要供应商如Cabot、杜邦、富士美等。一旦断供可能导致生产线停滞,严重影响芯片交付。面对这一挑战,吉致电子作为国内高端电子材料供应商,已实现中高端CMP抛光液的自主研发与量产,为国产半导体产业链的自主可控提供坚实保障。国产CMP抛光液的六大核心优势1. 显著成本优势,降低企业采购压力价格竞争力强:吉致电子CMP抛光液比进口产品低20%-30%,大幅降低半导体厂商的材
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                                        http://www.jzdz-wx.com/Article/2025article-40491557111_1_1.html 
- [行业资讯]碲锌镉CZT单晶衬底抛光液CMP Slurry[ 2025-07-31 16:50 ]
- 碲锌镉(CdZnTe,CZT)晶体属于典型的软脆晶体,其力学特性介于软质和脆性材料之间。软脆晶体的定义与特征:软质材料:硬度较低(莫氏硬度约2.0–2.5,接近石膏或滑石),易划伤或塑性变形。脆性材料:断裂韧性低,易产生裂纹或解理断裂(类似玻璃或硅)。CZT同时具备这两种特性,属于软而脆的半导体晶体。CdZnTe单晶衬底加工困难:切割、抛光过程中易产生裂纹、边缘崩缺或表面损伤。吉致电子的碲锌镉(CdZnTe)单晶衬底抛光液针对CZT材料软脆、易损伤及表面高要求的特点,采用低损伤纳米磨料技术(如超细胶体S
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                                        http://www.jzdz-wx.com/Article/article-18431718411_1.html 
- [吉致动态]国产替代|吉致电子硅片CMP抛光液Slurry[ 2025-06-10 15:10 ]
- 一、CMP抛光技术:半导体制造的关键工艺化学机械抛光(Chemical Mechanical Planarization, CMP)是半导体硅片制造的核心工艺之一,直接影响芯片性能与良率。在硅片加工过程中,CMP通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用,实现原子级表面平坦化(粗糙度<0.2nm),满足先进制程对晶圆表面超洁净、超平整的要求。吉致电子CMP抛光液的三大核心作用①高效抛光:纳米级磨料(如胶体SiO2)精准去除表面凸起,提升硅片平整度,减少微划痕。②润滑保护:特殊添加剂降低摩擦系数(<0.05),减少
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                                        http://www.jzdz-wx.com/Article/gctdjzdzgp_1.html 
- [行业资讯]化学机械CMPAl2O3氧化铝精抛液[ 2025-05-28 14:39 ]
- 吉致电子氧化铝精抛液(CMP Slurry)采用高纯度分级氧化铝微粉为原料,经特殊表面改性工艺处理,通过科学配方精密配制而成。具有以下显著优势:适用于化学机械平面研磨工艺CMP场景---铝合金、不锈钢、钨钢、铸铁件等金属材质;以及蓝宝石、碳化硅衬底、光学玻璃、精密陶瓷基板等半导体衬底材料的精密抛光加工。氧化铝精抛液性能优势突出:独特的抗结晶配方,确保抛光过程稳定对抛光设备无腐蚀,维护简便残留物易清洗,提高生产效率氧化铝精抛液效果卓越:创新的化学机械协同作用机制,显著提升抛光效率优化的表面处理工艺,确保抛光面质量达到
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                                        http://www.jzdz-wx.com/Article/hxjxcmpal2_1.html 
- [吉致动态]吉致电子:半导体陶瓷CMP工艺抛光耗材解析[ 2025-05-16 17:45 ]
- 在半导体陶瓷的化学机械抛光(CMP)工艺中,吉致电子(JEEZ Electronics)作为国产CMP耗材供应商,其抛光液(Slurry)和抛光垫(Polishing Pad)等产品可应用于陶瓷材料的精密平坦化加工。以下是结合吉致电子的技术特点,半导体陶瓷CMP中的潜在应用方案:吉致电子CMP抛光液在半导体陶瓷中的应用半导体陶瓷CMP研磨抛光浆料特性与适配性CMP Slurry磨料类型:纳米氧化硅(SiO2)浆料:适用于SiC、GaN等硬质陶瓷,通过表面氧化反应(如SiC + H2O2 → SiO2 +
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                                        http://www.jzdz-wx.com/Article/jzdzbdttcc_1.html 
- [行业资讯]吉致电子:钨CMP抛光液组成与应用解析[ 2025-04-25 10:52 ]
- 钨CMP抛光液:半导体关键制程材料的技术解析——吉致电子高精度平坦化解决方案1. 产品定义与技术背景钨化学机械抛光液(Tungsten CMP Slurry)是用于半导体先进制程中钨互连层全局平坦化的专用功能性材料,通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用,实现纳米级表面精度(Ra<0.5nm),满足高密度集成电路(IC)对互连结构的苛刻要求。2. 核心组分与作用机理3. 关键性能指标去除速率:200-600 nm/min(可调,适配不同工艺节点)非均匀性(WIWNU):<3% @300mm晶圆选择
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                                        http://www.jzdz-wx.com/Article/jzdzwcmppg_1.html 
- [行业资讯]先进半导体制造中的CMP Slurry:铜/钨/碳化硅抛光液技术与国产化进展[ 2025-04-22 16:26 ]
- 化学机械平坦化(CMP)工艺是半导体制造中的核心技术,其通过化学与机械协同作用实现纳米级表面精度,对集成电路性能至关重要。以下从技术、市场及国产化角度进行专业分析:一、CMP工艺核心要素抛光液(Slurry)化学组分:氧化剂(如H2O2用于Cu CMP)、磨料(纳米SiO2/Al2O3)、pH调节剂及缓蚀剂,需针对材料特性(如Cu/W/SiC)定制配方。关键参数:材料去除率(MRR)、选择比(Selectivity)、表面粗糙度(Ra<0.5nm)及缺陷控制(如划痕≤30nm)。吉致电子优势:25年技术积累可
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                                        http://www.jzdz-wx.com/Article/xianjing75841644231_1_1.html 
- [行业资讯]芯片抛光液(CMP Slurry):半导体平坦化的核心驱动力[ 2025-04-08 11:12 ]
- 在半导体制造的精密世界里,纳米级别的表面平整度宛如一把精准的标尺,直接主宰着芯片的性能与良率。化学机械抛光(CMP)工艺宛如一位技艺精湛的大师,借助化学与机械的协同之力,达成晶圆表面的全局平坦化。而芯片抛光液(CMP Slurry),无疑是这一工艺得以顺畅运行的 “血液”,发挥着无可替代的关键作用。吉致电子,作为深耕半导体材料领域的佼佼者,在此为您深度解析抛光液背后的技术奥秘,以及洞察其前沿发展趋势。一、芯片抛光液的核心作用在CMP过程中,抛光液肩负着至关重要的双重功能:化学腐蚀其所含的活性
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                                        http://www.jzdz-wx.com/Article/xppgycmpsl_1.html 
- [吉致动态]硅片抛光液(Slurry)在半导体制造中的关键作用与技术特性[ 2025-03-27 17:06 ]
- 在半导体制造工艺中,硅片的全局平坦化是确保集成电路性能与可靠性的关键步骤。化学机械抛光(CMP, Chemical Mechanical Polishing)技术通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用,实现硅片表面的纳米级平整,而硅片抛光液(Slurry)作为CMP工艺的核心耗材,其性能直接影响抛光效率与表面质量。吉致电子(Geeze Electronics)作为半导体材料领域的领先供应商,致力于提供高性能硅片抛光液解决方案,助力先进制程的发展。1. 硅片抛光液的核心组成硅片抛光液是一种精密配制的胶体悬浮液,主要
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                                        http://www.jzdz-wx.com/Article/gppgyslurr_1.html 
- [吉致动态]吉致电子半导体CMP抛光液Slurry解析[ 2025-03-26 16:10 ]
- 在半导体制造工艺中,化学机械抛光(CMP)是实现晶圆表面全局平坦化的核心步骤,而抛光液(Slurry)的性能直接影响芯片的良率和可靠性。随着制程节点不断微缩至5nm、3nm甚至更先进工艺,对CMP抛光液的化学稳定性、材料选择性和缺陷控制提出了更高要求。作为CMP材料解决方案提供商,吉致电子持续优化抛光液技术,助力客户突破先进制程瓶颈。1. 基本组成与功能CMP抛光液由磨料颗粒、化学添加剂和超纯水组成,通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用实现晶圆表面纳米级平坦化。磨料颗粒:SiO?(二氧化硅):广泛用于氧化物抛光,具有高
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                                        http://www.jzdz-wx.com/Article/0jzdzbdtcmp_1.html 
- [吉致动态]行业聚焦:硅片CMP研磨抛光液,如何重塑芯片制造格局[ 2025-03-20 14:17 ]
- 在半导体制造的前沿领域,Si硅片CMP研磨抛光液占据着举足轻重的地位,是实现芯片制造精度与性能突破的关键要素。抛光液(CMP Slurry)、抛光垫(CMP Pad)作为硅片化学机械抛光(CMP)工艺的核心耗材,为构建微观世界的精密电路网络奠定了基石。一、核心构成,协同增效硅片 CMP 研磨抛光液是一个精心调配的多元体系,每一组分都各司其职,协同作用,共同塑造卓越的抛光效果。精密磨料,微米级雕琢:体系中搭载了纳米级的二氧化硅、氧化铝或氧化铈等磨料颗粒。
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                                        http://www.jzdz-wx.com/Article/xyjjgpcmpy_1.html 
- [行业资讯]半导体CMP抛光液Slurry:精密制造的核心材料[ 2025-03-19 10:48 ]
- 在半导体制造领域,半导体CMP抛光液Slurry是一种不可或缺的关键材料,广泛应用于化学机械抛光CMP工艺中。它通过独特的机械研磨与化学反应相结合的方式,帮助实现晶圆表面的纳米级平坦化,为高性能半导体器件的制造提供了重要保障。什么是半导体CMP抛光液Slurry? 半导体Slurry是一种由研磨颗粒、化学添加剂和液体介质组成的精密材料。在CMP工艺中
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                                        http://www.jzdz-wx.com/Article/bdtcmppgys_1.html 
- [行业资讯]精密制造新标杆:吉致电子蓝宝石研磨液技术解析[ 2025-03-13 15:28 ]
- 蓝宝石研磨液Sapphire Slurry,也称为蓝宝石抛光液,是专为蓝宝石材料精密加工而设计的高性能抛光液。产品广泛应用于蓝宝石衬底、外延片、光学窗口、蓝宝石晶圆(Wafer)的减薄和抛光工艺,能够满足高平坦度、高表面质量的加工需求。吉致电子蓝宝石抛光液由高纯度磨粒、复合分散剂和分散介质精心配制而成,具有以下显著优势:1.高稳定性:悬浮体系稳定,不易沉降或结晶,确保抛光过程的一致性;2.高效抛光:抛光速度快,显著提升加工效率;3.精密加工:采用纳米SiO2粒子作为磨料,可在高效研磨的同时避免对工件表面造成物理损伤
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                                        http://www.jzdz-wx.com/Article/jmzzxbgjzd_1.html 
- [吉致动态]吉致电子:Oxide抛光液的核心作用与应用解析[ 2025-03-08 10:10 ]
- 氧化层抛光液(OX slurry)是一种专为半导体制造、金属加工及精密光学元件等领域设计的高性能化学机械抛光(CMP)材料。其核心作用是通过化学腐蚀与机械研磨的协同效应,精准去除材料表面的氧化层、瑕疵及微观不平整,从而实现高平整度、低缺陷率的抛光效果。该技术贯穿芯片 “从砂到芯” 的全流程,是集成电路制造中晶圆平坦化工艺的关键材料。吉致电子氧化层抛光液的功能与优势如下:一、吉致电子CMP氧化层抛光液的核心功能1.精准表面处理通过化学腐蚀与机械研磨协同作用,定向去除材料表面氧化层、瑕疵及微观不
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                                        http://www.jzdz-wx.com/Article/jzdzoxidep_1.html 
- [常见问题]半导体铜CMP抛光液:铜互连工艺的核心材料[ 2025-02-25 14:44 ]
- 半导体铜化学机械抛光液(Copper CMP Slurry)是用于半导体制造过程中铜互连层化学机械抛光(CMP)的关键材料。随着半导体技术的发展,铜CU因其低电阻率和高抗电迁移性能,取代铝成为主流互连材料。铜CMP抛光液在铜互连工艺中起到至关重要的作用,确保铜层平整化并实现多层互连结构,CU CMP Slurry通过化学腐蚀与机械研磨的结合,实现铜层的高精度平整化和表面质量控制。。 一、Copper CMP Slurry铜CMP抛光液的组成:主要磨料颗粒(Abrasive Particles)有二氧化硅(
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                                        http://www.jzdz-wx.com/Article/bdttcmppgy_1.html 
- [行业资讯]CMP抛光液:精密光学镜头制造的幕后英雄[ 2025-02-12 16:24 ]
- CMP(化学机械抛光)技术在光学制造领域确实扮演着至关重要的角色,尤其是在高精度光学元件的加工中。CMP抛光液通过化学腐蚀和机械研磨的结合,能够实现光学玻璃表面的超平滑处理,满足现代光学系统对表面粗糙度和形状精度的严苛要求。 吉致电子光学玻璃CMP Slurry的应用领域:①精密光学镜头:在手机摄像头、显微镜、望远镜等光学系统中,通过CMP工艺和抛光液的抛磨可使光学镜头元件在光线折射与散射方面得到有效优化,成像质量大幅提升。确保了镜头的高分辨率和成像质量。②航空航天光学窗口:航空航天光学窗口面临复杂空间环
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                                        http://www.jzdz-wx.com/Article/cmppgyjmgx_1.html 
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