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[行业资讯]吉致电子：钨CMP抛光液组成与应用解析[ 2025-04-25 10:52 ]

钨CMP抛光液：半导体关键制程材料的技术解析——吉致电子高精度平坦化解决方案1. 产品定义与技术背景钨化学机械抛光液（Tungsten CMP Slurry）是用于半导体先进制程中钨互连层全局平坦化的专用功能性材料，通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，实现纳米级表面精度（Ra＜0.5nm），满足高密度集成电路（IC）对互连结构的苛刻要求。2. 核心组分与作用机理3. 关键性能指标去除速率：200-600 nm/min（可调，适配不同工艺节点）非均匀性（WIWNU）：＜3% @300mm晶圆选择

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[吉致动态]先进半导体制造中的CMP Slurry：铜/钨/碳化硅抛光液技术与国产化进展[ 2025-04-22 16:26 ]

化学机械平坦化（CMP）工艺是半导体制造中的核心技术，其通过化学与机械协同作用实现纳米级表面精度，对集成电路性能至关重要。以下从技术、市场及国产化角度进行专业分析：一、CMP工艺核心要素抛光液（Slurry）化学组分：氧化剂（如H2O2用于Cu CMP）、磨料（纳米SiO2/Al2O3）、pH调节剂及缓蚀剂，需针对材料特性（如Cu/W/SiC）定制配方。关键参数：材料去除率（MRR）、选择比（Selectivity）、表面粗糙度（Ra＜0.5nm）及缺陷控制（如划痕≤30nm）。吉致电子优势：25年技术积累可

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[行业资讯]芯片抛光液（CMP Slurry）：半导体平坦化的核心驱动力[ 2025-04-08 11:12 ]

在半导体制造的精密世界里，纳米级别的表面平整度宛如一把精准的标尺，直接主宰着芯片的性能与良率。化学机械抛光（CMP）工艺宛如一位技艺精湛的大师，借助化学与机械的协同之力，达成晶圆表面的全局平坦化。而芯片抛光液（CMP Slurry），无疑是这一工艺得以顺畅运行的 “血液”，发挥着无可替代的关键作用。吉致电子，作为深耕半导体材料领域的佼佼者，在此为您深度解析抛光液背后的技术奥秘，以及洞察其前沿发展趋势。一、芯片抛光液的核心作用在CMP过程中，抛光液肩负着至关重要的双重功能：化学腐蚀其所含的活性

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[吉致动态]硅片抛光液（Slurry）在半导体制造中的关键作用与技术特性[ 2025-03-27 17:06 ]

在半导体制造工艺中，硅片的全局平坦化是确保集成电路性能与可靠性的关键步骤。化学机械抛光（CMP, Chemical Mechanical Polishing）技术通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，实现硅片表面的纳米级平整，而硅片抛光液（Slurry）作为CMP工艺的核心耗材，其性能直接影响抛光效率与表面质量。吉致电子（Geeze Electronics）作为半导体材料领域的领先供应商，致力于提供高性能硅片抛光液解决方案，助力先进制程的发展。1. 硅片抛光液的核心组成硅片抛光液是一种精密配制的胶体悬浮液，主要

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[吉致动态]吉致电子：半导体CMP抛光液Slurry解析[ 2025-03-26 16:10 ]

在半导体制造工艺中，化学机械抛光（CMP）是实现晶圆表面全局平坦化的核心步骤，而抛光液（Slurry）的性能直接影响芯片的良率和可靠性。随着制程节点不断微缩至5nm、3nm甚至更先进工艺，对CMP抛光液的化学稳定性、材料选择性和缺陷控制提出了更高要求。作为CMP材料解决方案提供商，吉致电子持续优化抛光液技术，助力客户突破先进制程瓶颈。1. 基本组成与功能CMP抛光液由磨料颗粒、化学添加剂和超纯水组成，通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用实现晶圆表面纳米级平坦化。磨料颗粒：SiO?（二氧化硅）：广泛用于氧化物抛光，具有高

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[吉致动态]行业聚焦：硅片CMP研磨抛光液，如何重塑芯片制造格局[ 2025-03-20 14:17 ]

在半导体制造的前沿领域，Si硅片CMP研磨抛光液占据着举足轻重的地位，是实现芯片制造精度与性能突破的关键要素。抛光液（CMP Slurry）、抛光垫（CMP Pad）作为硅片化学机械抛光（CMP）工艺的核心耗材，为构建微观世界的精密电路网络奠定了基石。一、核心构成，协同增效硅片 CMP 研磨抛光液是一个精心调配的多元体系，每一组分都各司其职，协同作用，共同塑造卓越的抛光效果。精密磨料，微米级雕琢：体系中搭载了纳米级的二氧化硅、氧化铝或氧化铈等磨料颗粒。

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[行业资讯]半导体CMP抛光液Slurry：精密制造的核心材料[ 2025-03-19 10:48 ]

在半导体制造领域，半导体CMP抛光液Slurry是一种不可或缺的关键材料，广泛应用于化学机械抛光CMP工艺中。它通过独特的机械研磨与化学反应相结合的方式，帮助实现晶圆表面的纳米级平坦化，为高性能半导体器件的制造提供了重要保障。什么是半导体CMP抛光液Slurry？半导体Slurry是一种由研磨颗粒、化学添加剂和液体介质组成的精密材料。在CMP工艺中

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[行业资讯]精密制造新标杆：吉致电子蓝宝石研磨液技术解析[ 2025-03-13 15:28 ]

蓝宝石研磨液Sapphire Slurry，也称为蓝宝石抛光液，是专为蓝宝石材料精密加工而设计的高性能抛光液。产品广泛应用于蓝宝石衬底、外延片、光学窗口、蓝宝石晶圆（Wafer）的减薄和抛光工艺，能够满足高平坦度、高表面质量的加工需求。吉致电子蓝宝石抛光液由高纯度磨粒、复合分散剂和分散介质精心配制而成，具有以下显著优势：1.高稳定性：悬浮体系稳定，不易沉降或结晶，确保抛光过程的一致性；2.高效抛光：抛光速度快，显著提升加工效率；3.精密加工：采用纳米SiO2粒子作为磨料，可在高效研磨的同时避免对工件表面造成物理损伤

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[吉致动态]吉致电子：Oxide抛光液的核心作用与应用解析[ 2025-03-08 10:10 ]

氧化层抛光液（OX slurry）是一种专为半导体制造、金属加工及精密光学元件等领域设计的高性能化学机械抛光（CMP）材料。其核心作用是通过化学腐蚀与机械研磨的协同效应，精准去除材料表面的氧化层、瑕疵及微观不平整，从而实现高平整度、低缺陷率的抛光效果。该技术贯穿芯片 “从砂到芯” 的全流程，是集成电路制造中晶圆平坦化工艺的关键材料。吉致电子氧化层抛光液的功能与优势如下：一、吉致电子CMP氧化层抛光液的核心功能1.精准表面处理通过化学腐蚀与机械研磨协同作用，定向去除材料表面氧化层、瑕疵及微观不

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[常见问题]半导体铜CMP抛光液：铜互连工艺的核心材料[ 2025-02-25 14:44 ]

半导体铜化学机械抛光液（Copper CMP Slurry）是用于半导体制造过程中铜互连层化学机械抛光（CMP）的关键材料。随着半导体技术的发展，铜CU因其低电阻率和高抗电迁移性能，取代铝成为主流互连材料。铜CMP抛光液在铜互连工艺中起到至关重要的作用，确保铜层平整化并实现多层互连结构，CU CMP Slurry通过化学腐蚀与机械研磨的结合，实现铜层的高精度平整化和表面质量控制。。一、Copper CMP Slurry铜CMP抛光液的组成：主要磨料颗粒（Abrasive Particles）有二氧化硅（

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[行业资讯]CMP抛光液:精密光学镜头制造的幕后英雄[ 2025-02-12 16:24 ]

CMP（化学机械抛光）技术在光学制造领域确实扮演着至关重要的角色，尤其是在高精度光学元件的加工中。CMP抛光液通过化学腐蚀和机械研磨的结合，能够实现光学玻璃表面的超平滑处理，满足现代光学系统对表面粗糙度和形状精度的严苛要求。吉致电子光学玻璃CMP Slurry的应用领域：①精密光学镜头：在手机摄像头、显微镜、望远镜等光学系统中，通过CMP工艺和抛光液的抛磨可使光学镜头元件在光线折射与散射方面得到有效优化，成像质量大幅提升。确保了镜头的高分辨率和成像质量。②航空航天光学窗口：航空航天光学窗口面临复杂空间环

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[吉致动态]磷化铟衬底抛光液与CMP工艺的关联[ 2025-02-07 11:33 ]

磷化铟衬底抛光液与化学机械平面研磨工艺（CMP）的关联磷化铟（InP）作为第二代半导体材料的代表，因其优异的电学、光学和热学性能，在高速电子器件、光电子器件和微波器件等领域展现出巨大的应用潜力。然而InP衬底表面的高质量加工是实现高性能器件的关键，其中化学机械平面研磨工艺（CMP）扮演着至关重要的角色。一、磷化铟衬底为什么使用CMP技术CMP是一种结合化学腐蚀和机械研磨的表面平坦化技术，通过抛光液slurry中的磨料成分与衬底表面发生化学反应，生成一层易于去除的软化层，再借助抛光垫Pad的机械作用将其去除，从而实

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[吉致动态]为什么不能用机械磨削grinding代替cmp？[ 2025-01-09 15:29 ]

为何仅在晶圆背面减薄过程中采用grinding工艺？尽管在芯片制程中也存在减薄需求，为何选择cmp工艺而非grinding？Grinding与cmp工艺的原理是什么？Grinding，即机械磨削，是一种通过机械力直接去除晶圆表面材料的方法。通常不使用研磨液，而是利用超纯水进行清洗或带走产生的碎屑和热量。相比之下，cmp即化学机械研磨，结合了化学反应与机械力来去除材料。目标材料首先与cmp slurry中的氧化剂、酸、碱等发生微反应，随后在抛光头、抛光垫以及slurry中磨料的共同作用下，通过机械力去除

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[行业资讯]吉致电子CMP抛光垫：从粗到精，体验高效抛光[ 2024-11-29 14:35 ]

CMP（化学机械抛光）抛光垫是一种在半导体制造过程中用于平面化晶圆表面的关键材料。CMP抛光垫通过结合化学反应和机械研磨的方式，能够有效地去除晶圆表面的多余材料，从而达到高度平整的表面质量。抛光垫CMP PAD通常由高分子聚合物材料制成，表面具有一定的微孔结构，以便在抛光过程中储存和释放抛光液CMP Slurry，从而确保抛光过程的均匀性和效率。 CMP抛光垫在使用过程中需要定期更换，以保持其最佳的抛光性能。不同的CMP抛光垫适用于不同的抛光工艺和材料，因此选择合适的抛光垫对于确保晶圆质量

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[吉致动态]阻尼布抛光垫：提升工件CMP表面平坦度的秘诀[ 2024-11-15 16:15 ]

绒面抛光垫，亦称阻尼布抛光垫，是由PU发泡微孔隙结构与底层特殊基材相结合的独特复合材料。其表层的细微开孔和高压缩率特性，使得抛光液Slurry得以充分涵养，从而促进机械与化学反应的充分作用。此外，表层优秀的研磨液流动性有助于提升工件表面的洁净度，降低表面粗糙度，并减少橘皮和微划伤等缺陷。阻尼布抛光垫广泛应用于各种精密加工领域，如半导体、液晶显示屏、光学玻璃等。其优异的抛光性能不仅能够满足高精度的表面处理要求，而且在提高生产效率和降低材料消耗方面也表现出色。由于其独特的材料结构，绒面抛光垫

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[行业资讯]吉致电子---Si硅片抛光液，为半导体护航[ 2024-11-07 16:12 ]

半导体硅片抛光液是一种均匀分散胶粒的乳白色胶体，在半导体材料的CMP加工过程中起着至关重要的作用。其外观通常为乳白色或微蓝色透明溶液。半导体硅片Si抛光液主要有抛光、润滑、冷却等作用。在抛光方面，Si Slurry能够有效地去除半导体硅晶圆表面的杂质和凸起，使硅片表面更加光滑平整。例如，经过抛光液处理后，晶片表面的微粗糙度可以达到 0.2nm 以下。在润滑作用中，它可以减少硅片与抛光设备之间的摩擦，降低磨损，延长设备的使用寿命。同时，在抛光过程中会产生热量，而抛光液的冷却作用可以及时带走热量，防止硅片

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[行业资讯]吉致电子---磷化铟InP晶圆抛光液的市场现状[ 2024-10-25 11:44 ]

目前，全球磷化铟（InP）晶圆市场的cmp抛光耗材主要由少数国外厂商主导。这些国外厂商凭借先进的技术和丰富的经验，在产品质量和性能方面具有显著优势。例如Fujimi Incorporated、Ferro (UWiZ Technology) 等企业在全球半导体slurry抛光液市场中具有较高的知名度和占有率。相比之下，国内企业的磷化铟（InP）晶圆抛光液研发起步较晚，但近年来随着国内半导体的快速发展，国产cmp抛光耗材也大量进入市场，国内厂家也在不断加大研发投入，努力提升抛光液、抛光垫产品

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[行业资讯]杜邦IC1000抛光垫的特点及国产替代[ 2024-10-23 14:50 ]

在半导体晶圆及芯片的制造过程中，CMP是实现晶圆表面全局平坦化的关键工艺，而IC1000作为一种高性能的抛光垫，为 CMP工艺的顺利进行提供了有力保障。杜邦IC1000系列抛光垫能够存储和输送CMP抛光液至抛光区域，通过slurry的流动和分布使抛光工作持续均匀地进行。在化学机械抛光过程中，抛光液中的化学成分与晶圆表面材料产生化学反应，生成较易去除的物质，而dupont IC1000 Pad为这一化学反应提供了稳定的场所。同时，IC1000抛光垫能够去除抛光过程中产生的副产品，如氧化产物

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[常见问题]DNA基因芯片cmp工艺[ 2024-10-11 17:17 ]

基因芯片又称DNA芯或DNA微阵列。它是一种同时将大量的探针分子固定到固相支持物上，借助核酸分子杂交配对的特性对DNA样品的序列信息进行高效解读和分析的技术，主要应用在医学领域、生物学研究领域和农业领域。DNA芯片生产过程需要经过CMP研磨抛光去除基板水凝膜，达到理想表面效果。吉致电子DNA基因芯片slurry，有效去除基底涂覆的软材料,软材料包括但不限于聚合物、无机水凝胶或有机聚合物水凝胶等。基因芯片研磨液使用微米级磨料制备，粒径均一稳定，有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、软材质水凝

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[行业资讯]纳米抛光液---吉致电子氧化硅slurry的应用及特点[ 2024-10-10 16:56 ]

吉致电子纳米级氧化硅抛光液是以高纯度硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型CMP抛光产品。粒度均一的SiO2磨料颗粒在CMP研磨过程中分散均匀，能达到快速抛光的目的且不会对加工件造成物理损伤。纳米级硅溶胶抛光液不易腐蚀设备，提高了使用的安全性。制备工艺和配方有效提高了平坦化加工速率，快速降低表面粗糙度，且工件表面划伤少。吉致电子氧化硅slurry粒径分布可控，根据不同的抛光需求，生产出不同粒径大小的纳米氧化硅抛光液，粒径范围通常在 5-100nm 之间。以氧化硅为磨料的纳米抛

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吉致电子抛光材料源头厂家
25年专注CMP抛光材料研发与生产

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