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[行业资讯]吉致电子：钨CMP抛光液组成与应用解析[ 2025-04-25 10:52 ]

钨CMP抛光液：半导体关键制程材料的技术解析——吉致电子高精度平坦化解决方案1. 产品定义与技术背景钨化学机械抛光液（Tungsten CMP Slurry）是用于半导体先进制程中钨互连层全局平坦化的专用功能性材料，通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，实现纳米级表面精度（Ra＜0.5nm），满足高密度集成电路（IC）对互连结构的苛刻要求。2. 核心组分与作用机理3. 关键性能指标去除速率：200-600 nm/min（可调，适配不同工艺节点）非均匀性（WIWNU）：＜3% @300mm晶圆选择

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[吉致动态]钼衬底的应用领域及CMP抛光技术解析[ 2025-04-23 09:51 ]

钼（Mo）衬底凭借其高熔点（2623℃）、高热导率（138 W/m·K）、低热膨胀系数（4.8×10-6/K）以及优异的机械强度和耐腐蚀性，在半导体、光学、新能源、航空航天等高科技领域发挥着重要作用。吉致电子对钼衬底的主要应用场景解析其化学机械抛光（CMP）关键技术，帮助行业客户更好地选择和使用钼衬底抛光液。一、钼衬底的核心优势高温稳定性：熔点高达2623℃，适用于高温环境。优异的热管理能力：高热导率+低热膨胀系数，减少热应力。高机械强度：耐磨损、抗蠕变，适合精密器件制造。良好的导电性：适

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[吉致动态]蓝宝石衬底CMP抛光新视野：氧化铝与氧化硅的多元应用[ 2025-04-11 15:47 ]

在蓝宝石衬底的化学机械抛光（CMP）工艺中，抛光材料的选择直接关系到抛光效果和生产效率。氧化铝和氧化硅作为两种常用的抛光磨料，以其独特的性能优势，在该领域发挥着不可替代的作用。吉致电子凭借深厚的行业积累，为您深入剖析这两种材料在蓝宝石衬底 CMP 抛光中的特性与应用。氧化铝在抛光中的特性硬度匹配优势α-氧化铝的硬度与蓝宝石极为接近，这一特性在抛光过程中具有关键意义。理论上，相近的硬度可能会增加划伤蓝宝石表面的风险，但在实际应用中，只要确保氧化铝磨料的颗粒形状规则、粒径分布均匀，就能有效避免划伤。在抛光压力作用下，凭

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[行业资讯]金刚石研磨液在CMP工艺中的应用与优势[ 2025-04-01 15:37 ]

化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）是半导体、光学玻璃、陶瓷、硬质合金及精密制造行业的关键工艺，用于实现材料表面的超精密平坦化。针对蓝宝石、碳化硅（SiC）、硬质合金等高硬度材料的加工需求，传统研磨液难以满足高精度、低损伤的要求，因此CMP抛光液、CMP抛光垫是满足高精度工件平坦化的重要耗材。其中金刚石研磨液凭借其超硬特性和稳定可控性，通过精准调控化学腐蚀与机械研磨的协同效应（Chemo-Mechanical Synergy）实现实现亚纳米级表面。1. 金刚石CMP研

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[吉致动态]吉致电子：半导体CMP抛光液Slurry解析[ 2025-03-26 16:10 ]

在半导体制造工艺中，化学机械抛光（CMP）是实现晶圆表面全局平坦化的核心步骤，而抛光液（Slurry）的性能直接影响芯片的良率和可靠性。随着制程节点不断微缩至5nm、3nm甚至更先进工艺，对CMP抛光液的化学稳定性、材料选择性和缺陷控制提出了更高要求。作为CMP材料解决方案提供商，吉致电子持续优化抛光液技术，助力客户突破先进制程瓶颈。1. 基本组成与功能CMP抛光液由磨料颗粒、化学添加剂和超纯水组成，通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用实现晶圆表面纳米级平坦化。磨料颗粒：SiO?（二氧化硅）：广泛用于氧化物抛光，具有高

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[行业资讯]半导体CMP抛光液Slurry：精密制造的核心材料[ 2025-03-19 10:48 ]

在半导体制造领域，半导体CMP抛光液Slurry是一种不可或缺的关键材料，广泛应用于化学机械抛光CMP工艺中。它通过独特的机械研磨与化学反应相结合的方式，帮助实现晶圆表面的纳米级平坦化，为高性能半导体器件的制造提供了重要保障。什么是半导体CMP抛光液Slurry？半导体Slurry是一种由研磨颗粒、化学添加剂和液体介质组成的精密材料。在CMP工艺中

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[行业资讯]CMP抛光液：从第一代到第三代半导体材料的精密抛光利器[ 2025-03-14 15:21 ]

随着半导体技术的飞速发展，化学机械抛光（CMP）工艺在集成电路制造中的地位愈发重要。CMP抛光液作为这一工艺的核心材料，不仅广泛应用于传统的第一代和第二代半导体材料，如硅（Si）和砷化镓（GaAs），更在第三代半导体材料的抛光中展现出巨大的潜力。CMP抛光液在第三代半导体材料中的应用第三代半导体材料以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石和氮化铝（AlN）为代表，具有宽禁带、高导热率、抗辐射能力强、电子饱和漂移速率大等优异特性。这些材料在高温、高频、大功率电子器件中表现突出，成为5G基站、新能

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[吉致动态]吉致电子解析：磷化铟衬底怎么抛光研磨[ 2025-03-07 15:22 ]

磷化铟（InP）作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的典型代表，凭借其高电子迁移率、宽禁带宽度和良好的光电性能，在光通信器件、激光器和探测器等领域占据关键地位。其精密加工要求严苛，尤其是表面粗糙度需达到纳米级（Ra < 0.1nm），传统机械研磨易导致晶格损伤，化学机械抛光（CMP）技术则成为实现原子级平整表面的核心工艺。吉致电子将系统介绍InP磷化铟衬底CMP抛光从粗磨到精抛的流程及控制要点。一、Inp磷化铟抛光准备工作材料：准备好磷化铟工件，确保其表面无明显损伤、杂质。同时准备吉致电子CMP研磨垫，如聚氨酯抛光垫，其

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[常见问题]半导体铜CMP抛光液：铜互连工艺的核心材料[ 2025-02-25 14:44 ]

半导体铜化学机械抛光液（Copper CMP Slurry）是用于半导体制造过程中铜互连层化学机械抛光（CMP）的关键材料。随着半导体技术的发展，铜CU因其低电阻率和高抗电迁移性能，取代铝成为主流互连材料。铜CMP抛光液在铜互连工艺中起到至关重要的作用，确保铜层平整化并实现多层互连结构，CU CMP Slurry通过化学腐蚀与机械研磨的结合，实现铜层的高精度平整化和表面质量控制。。一、Copper CMP Slurry铜CMP抛光液的组成：主要磨料颗粒（Abrasive Particles）有二氧化硅（

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[行业资讯]突破技术壁垒：国产抛光垫替代Suba800的崛起之路[ 2025-02-14 16:02 ]

国产替代Suba800抛光垫（CMP Pad）的产品在近年来取得了显著的技术进步，逐渐在半导体集成电路市场上占据一席之地。以下是Suba抛光垫国产替代产品的优势和特点：一、Suba抛光垫国产替代产品的优势1.成本优势?国产CMP抛光垫的价格通常比进口产品低，能够显著降低生产成本，尤其适合对成本敏感的企业。?减少了进口关税和物流费用，进一步降低了采购成本。2.供应链稳定?国产化生产避免了国际供应链的不确定性（如贸易摩擦、物流延迟等），供货周期更短，响应速度更快。?国内厂商通常能提供更灵活的CMP抛光耗材订单服务，支持

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[行业资讯]CMP抛光液:精密光学镜头制造的幕后英雄[ 2025-02-12 16:24 ]

CMP（化学机械抛光）技术在光学制造领域确实扮演着至关重要的角色，尤其是在高精度光学元件的加工中。CMP抛光液通过化学腐蚀和机械研磨的结合，能够实现光学玻璃表面的超平滑处理，满足现代光学系统对表面粗糙度和形状精度的严苛要求。吉致电子光学玻璃CMP Slurry的应用领域：①精密光学镜头：在手机摄像头、显微镜、望远镜等光学系统中，通过CMP工艺和抛光液的抛磨可使光学镜头元件在光线折射与散射方面得到有效优化，成像质量大幅提升。确保了镜头的高分辨率和成像质量。②航空航天光学窗口：航空航天光学窗口面临复杂空间环

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[常见问题]影响碳化硅衬底质量的重要工艺参数有哪些[ 2025-01-31 17:33 ]

碳化硅衬底提高加工速率和良品率的主要因素除了用对抛光液和抛光垫，在CMP抛光研磨过程的工艺参数也很重要：抛光压力：适当增加压力可以提高抛光效率，但过高的压力可能导致衬底表面产生划痕、损伤甚至破裂。一般根据衬底的厚度、硬度以及抛光设备的性能，压力范围在几十千帕到几百千帕之间。抛光转速：包括衬底承载台的转速和抛光垫的转速。转速影响抛光液在衬底和抛光垫之间的流动状态以及磨料的磨削作用。较高的转速可以加快抛光速度，但也可能使抛光液分布不均匀，导致表面质量下降。转速通常在每分钟几十转到几百转之间调整。抛光时间：由衬底需要去除

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[行业资讯]碳化硅衬底CMP工艺面临的挑战与解决方案[ 2025-01-23 17:18 ]

SiC CMP抛光液是一种用于对碳化硅衬底进行化学机械抛光的关键材料，通过化学腐蚀和机械磨损的协同作用，实现碳化硅衬底表面材料的去除及平坦化，从而提高晶圆衬底的表面质量，达到超光滑、无缺陷损伤的状态，满足外延应用等对衬底表面质量的严苛要求。目前碳化硅衬底CMP工艺面临的挑战与解决方案：①碳化硅硬度高：碳化硅硬度仅次于金刚石，这使得其抛光难度较大。需要研发更高效的磨料和优化抛光液配方，以提高对碳化硅的去除速率。例如，采用高硬度、高活性的磨料，并优化磨料的粒径分布和形状，同时调整化学试剂的种类和浓度，增强

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[吉致动态]碳化硅衬底CMP工艺流程[ 2025-01-21 16:52 ]

碳化硅衬底CMP工艺流程如下：准备工作：对碳化硅SiC衬底进行清洗和预处理，去除表面的灰尘、油污等杂质，保证衬底表面洁净。同时，检查CMP抛光设备是否正常运行，调整好吉致电子碳化硅专用抛光垫的平整度和压力等参数。抛光液涂覆：通过自动供液系统，按照一定的流量和频率进行参数调整，确保抛光液在抛光过程中始终充足且均匀分布。CMP抛光过程：将SiC衬底固定在抛光机的承载台/无蜡吸附垫，使其与涵养抛光液的抛光垫接触。抛光机带动衬底和抛光垫做相对运动，在一定的压力和转速下，抛光液中的磨料对碳化硅衬底表面进行机械磨削，同时抛光液

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[吉致动态]吉致电子--Apple Logo 无蜡吸附垫[ 2025-01-15 16:46 ]

无蜡吸附垫苹果logo研磨抛光垫是一种专为Apple logo研磨抛光设计的工具，其无蜡构造确保了高效稳定、无残留的CMP抛光效果，使用方便降低logo工件损耗率。吉致电子无蜡吸附垫Template主要特点无蜡构造：采用无蜡材料，有效降低抛光过程中残留物的产生，从而提升抛光品质。高精度研磨：能够实现精准的研磨和抛光作业，确保苹果logo的细节和清晰度得到完美呈现。卓越耐磨性：选用高品质材料，耐磨性强，显著延长了产品的使用寿命。环保安全：无蜡设计减少了对环境和操作人员的潜在影响。logo专用无蜡吸附垫应用范围logo

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[常见问题]CMP抛光垫在化学机械平面研磨中的作用和效果[ 2025-01-11 10:25 ]

CMP抛光垫在化学机械平面研磨中的作用和效果通过调整抛光垫的密度和硬度，可以根据目标值（如镜面光洁度、精度等）进行优化，确保工件表面达到镜面光洁度，同时与研磨相比，损伤降至最低。在CMP过程中，抛光垫主要发挥以下作用：1. 均匀施加压力：由于抛光垫通常由柔性材料制成，并具有一定的弹性，它能够在压力施加时均匀变形，确保材料的去除速率在整个晶圆表面上保持一致，避免局部去除过度或不足。2. 散热：CMP过程中会产生大量热量，抛光垫通常由具有良好导热性能的材料制成，例如聚氨酯等，能够快速传导热量，防止局部过热，从而保护晶圆

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[常见问题]半导体晶圆抛光垫的类型有哪些[ 2025-01-10 14:59 ]

一、CMP抛光垫概述CMP抛光垫是半导体晶圆制造中不可或缺的工具之一，主要用于半导体晶圆的抛光和平整处理。这些抛光垫CMP Pad采用优质材料制作，展现出卓越的耐磨性和平坦度，确保晶圆在抛光过程中得到妥善保护，不受损害。根据不同的材质和硬度需求，抛光垫可分为多种类型。二、各种自粘式CMP抛光垫的种类和特点1. 聚氨酯(PU)抛光垫聚氨酯(PU)抛光垫是抛光垫中的一种常见类型，其硬度较低，展现出良好的柔软性和弹性，特别适用于需要柔软抛光垫的场合。它的抛光效果出色，使用寿命较长，但价格相对较高。2. 聚酯(PET)抛光

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[行业资讯]吉致电子SiC碳化硅研磨垫国产替代[ 2024-12-31 14:03 ]

在碳化硅抛光垫/研磨垫（SiC CMP Pad）市场中，高端领域呈现出寡头垄断的格局。其中，杜邦Suba800系列产品被广泛采用，同时也有部分客户选择杜邦的Suba600和Suba400系列，以及Supreme Series和Politex系列等产品。此外，日本厂商Fujibo也在市场中扮演着关键角色，其主打产品包括G804W、728NX和FPK66等型号。在竞争激烈的半导体集成电路市场中，除了上述提到的几款CMP抛光垫产品外，国内一些新兴企业也在不断研发创新，试图打破现有的市场格局，为

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[吉致动态]吉致电子CMP Pad化学机械抛光垫[ 2024-12-27 18:27 ]

吉致电子专注研发、设计、测试与生产制造CMP耗材，CMP PAD化学机械抛光垫用于半导体制造、平面显示器、光学玻璃、各类晶圆衬底材料、高精密陶瓷件、金属与硬盘基板的研磨抛光工艺。吉致电子CMP抛光垫采用精密涂布技术和科技材料能有效提升客户制程中的移除率和高平坦度、低缺陷等要求。吉致抛光垫团队从事高分子材料合成、发泡技术与复合材料研制已有多年经验，积累深厚的材料制造和研发基础.抛光垫产品因其特殊纤维材质，耐用、耐磨、耐酸碱，价比高。PAD产品包括且不限于：聚氨酯抛光垫、阻尼布精抛垫、复合抛光垫、绒面抛光垫、无纺布抛光

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[吉致资讯]吉致电子CMP精抛垫的作用有哪些[ 2024-12-17 15:37 ]

吉致电子CMP精抛垫的作用有哪些？化学机械抛光（CMP）技术是目前国际上公认的唯一能够实现全局平坦化的技术，在半导体技术领域中占据着举足轻重的地位。CMP精抛垫，作为CMP化学机械平面研磨（Chemical Mechanical Polishing）精抛阶段所使用的抛光垫，是半导体制造过程中不可或缺的关键耗材。吉致电子CMP抛光垫--精抛垫的功能特点将通过以下四个方面进行阐述： CMP精抛垫在CMP工艺流程中发挥着至关重要的作用，其主要功能涵盖：1.确保抛光液能够高效且均匀

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吉致电子抛光材料源头厂家
25年专注CMP抛光材料研发与生产

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