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[行业资讯]春和景明，匠心如常|吉致电子与春日共赴新程[ 2026-04-03 16:15 ]

“春分后十五日，斗指乙，则清明风至。”当清爽的春风漫过枝头，草木悄悄抽芽，天地间一片明净，我们也迎来了清明这个特别的日子——它既有追思过往的温柔，也有拥抱新生的欢喜。吉致电子在高端CMP抛光材料领域深耕了25年，就像这清明的春风一样，带着对初心的敬畏，揣着对创新的热忱，在精密制造的路上，慢慢沉淀，稳步前行。说起清明，最动人的莫过于那份“慎终追远”的坚守，这份坚守，也是吉致电子25年来的初心。《论语·学而》里说“慎终追远

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[常见问题]CMP工艺在LED外延芯片制造中的优势及吉致电子CMP抛光耗材方案[ 2026-04-02 16:22 ]

在LED外延芯片的精密制造链条中，CMP（Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光）已成为实现原子级全局平坦化、保障芯片高性能与高可靠性的核心关键制程。它巧妙融合化学腐蚀的精准软化与机械研磨的高效去除，通过“化学作用 - 机械去除”的循环协同，将晶圆、硅片、衬底等表面打磨至纳米级甚至亚纳米级的极致平整与洁净，为LED芯片从源头品质到最终性能的全链路提升，提供了不可替代的精密支撑。CMP工艺在LED外延芯片制造中的优势如下：①CMP工艺能优化衬底表面质量：实现纳

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[行业资讯]吉致电子自研新突破：磷化铟衬底CMP抛光液半导体加工新升级[ 2026-03-25 17:12 ]

在半导体产业向高端化、自主化迈进的浪潮中，磷化铟（InP）作为兼具高电子迁移率、强抗辐射性与优异电光转换效率的核心半导体材料，广泛应用于光通信、高频毫米波器件、航天航空太阳能电池等高端领域，其加工精度直接决定下游器件的性能与可靠性。化学机械抛光（CMP）作为InP衬底加工的关键工序，对抛光液的性能提出了极为苛刻的要求——需同时满足高去除率、低表面损伤、无残留等核心指标，才能实现原子级的表面平坦化效果，支撑高端器件的稳定量产。长期以来，在InP CMP抛光工艺领域，日本Fujimi抛光液凭借成

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[常见问题]吉致电子小科普：什么是硫系玻璃以及应用领域有哪些[ 2026-03-20 17:23 ]

提到玻璃，我们最先想到的是门窗上的透明玻璃、手机屏幕的保护玻璃——它们通透、易碎，主要作用是透光和防护。但今天吉致电子给大家介绍的“硫系玻璃”和我们日常所见的玻璃大不相同，它不透明但能“看透”红外光，是工业、军事、医疗等领域里不可或缺的“隐形功臣”，也是吉致电子在红外光学CMP抛光液应用领域的抛光工件的一种。用最通俗的话来说，硫系玻璃就是以硫、硒、碲这些“特殊元素”为核心，搭配锗、砷等元素制成的&

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[行业资讯]光学玻璃超精密抛光：吉致电子CMP抛光液客户案例解析[ 2026-03-19 16:55 ]

光学玻璃是光学元件的核心基材，其表面精度直接影响光学系统的成像、透光和使用寿命。随着高端光学领域需求提升，超精密抛光需达到纳米级粗糙度、无损伤、高透光且环保，这成为行业痛点。吉致电子推出纳米级氧化硅抛光液，精准解决这一难题，精准破解光学玻璃超精密抛光难题，根据最近光学领域客户的实际应用案例，带您领略化学机械抛光工艺结合吉致电子CMP抛光液的硬核实力。【客户应用需求】南京某光学仪器企业，专注于高精度光学石英玻璃镜片、棱镜的研发与生产，其产品广泛应用于高端光学检测仪器、激光设备等领域。该企业面临的核心需求是实现镜片表面

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[行业资讯]DNA基因芯片精密制造——吉致电子CMP抛光液[ 2026-03-11 15:58 ]

基因芯片（又称DNA芯片、DNA微阵列）作为生命科学领域的核心检测工具，凭借可同时解读大量DNA序列信息的优势，广泛应用于医学诊断、生物学研究、农业育种等多个关键领域，成为推动精准医疗与生命科学创新的重要支撑。而基因芯片的检测精度、高通量性能，从根源上依赖于基底材料的表面质量，CMP（化学机械抛光）工艺则成为解锁基因芯片精密制造的关键环节。在DNA芯片生产过程中，基底材料的选择与表面处理直接决定探针分子的固定效果与杂交稳定性，常用的硅片、玻璃片、尼龙膜等基底，需经过严格的表面处理以获得优异的吸附性能。这一过程中，去

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[行业资讯]吉致电子氧化铝抛光液：晶圆抛光精研致微超光滑表面[ 2026-03-03 16:49 ]

在半导体、光学器件、精密电子等高端制造领域，表面精度与加工效率直接决定晶圆、衬底、硅片等工件的品质。吉致电子深耕纳米抛光材料研发与生产领域多年，以创新技术打造氧化铝抛光液及研磨液/精抛液，为高精度研磨抛光提供稳定可靠的解决方案。吉致电子氧化铝抛光液，精选高纯氧化铝颗粒，经专属表面改性处理，搭配特殊化学配方精密复配、充分分散，从源头提升产品性能。产品具备出色的减薄控制能力，尺寸一致性强，抛光效率高、长期使用不结晶，适配自动化产线连续稳定作业，有效降低停机调试成本。CMP抛光液的粒径把控是slurry产品的关键。吉致电

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[常见问题]吉致电子：CZT碲锌镉晶体CMP抛光崩边防控解决方案[ 2026-02-28 13:31 ]

碲锌镉CMP化学机械抛光工艺如何防止晶片崩边？碲锌镉（CZT）晶体莫氏硬度仅2.0–2.5，断裂韧性低、质地软脆，在化学机械抛光（CMP）中极易出现崩边缺陷，直接制约器件性能与成品率。吉致电子依托多年CZT晶体精密加工经验，从装夹保护、抛光耗材选型、工艺控制及全流程配套出发，构建出一套高效稳定的CZT晶体CMP崩边防控方案，可支撑高精度CZT晶体规模化量产。首先，碲锌镉晶片加工的防控原则是以边缘保护为核心、低应力加工为基础、CMP化学机械协同合作为关键，经精细化管控规避碲锌镉工件边缘应力集中、物理冲击及

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[吉致动态]2026马年新春，吉致电子愿您的“高光时刻”快马加鞭！[ 2026-02-17 00:00 ]

吉致电子给您拜年啦！2026马年新春，愿您的“高光时刻”快马加鞭！大年初一，吉致电子的全体小伙伴给您拜年啦！2026马年已正式上线，在这个“马力全开”的年份，我们不仅祝您新春快乐，更要祝您：抛光烦恼，垫定幸福，业绩跑出加速度！作为半导体CMP抛光领域的“技术控”，我们平时总在和纳米级的平整度死磕，今天特意换个轻松的画风，用我们的“行业黑话”给您送上最硬核的祝福：愿您的事业像我们的抛光液一样 ——&

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[行业资讯]研磨液与抛光液的区别有哪些？[ 2026-02-06 16:09 ]

化学机械抛光（CMP）是半导体等领域实现表面全局平坦化的核心工艺，抛光液与研磨液作为核心耗材，功能定位差异显著。当前半导体产业链自主化需求迫切，吉致电子深耕CMP抛光材料25年，为全球1500+客户提供一站式解决方案，以下解析二者核心区别与作用。研磨液与抛光液的区别：粗加工与精加工的工艺分工CMP工艺核心是“化学腐蚀+机械研磨”协同，抛光液与研磨液的差异本质是“化学－机械”作用权重不同，形成“粗抛-精抛”配合，适配先进制程对协同性的高要求。研磨

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[行业资讯]吉致电子钛合金专用CMP抛光液—高端制造的超精密抛光[ 2026-02-04 15:40 ]

钛合金以其高强度、耐腐蚀性、低密度的核心优势，成为航空航天、医疗器械、半导体零部件等高端制造领域的核心材料。然而，钛合金表面活性高、易形成致密氧化膜，且韧性大、加工难度极高，传统抛光工艺易产生划痕、亚表面损伤等问题，难以满足超精密加工对表面质量的严苛要求。吉致电子深耕CMP抛光液领域多年，凭借自主研发与技术沉淀，推出钛合金专用CMP抛光液，以“化学协同机械”的核心原理，攻克钛合金抛光痛点，为高端制造注入精准赋能的核心动力。吉致电子金属类研磨抛光产品钛合金CMP抛光液依托ISO9001质量体系

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[吉致动态]吉致电子碲锌镉CMP抛光液：CZT软脆晶体抛光方案[ 2026-01-21 16:48 ]

碲锌镉（CdZnTe，简称CZT）晶体作为一种关键的半导体材料，属于典型的软脆晶体范畴，其力学特性介于软质材料与脆性材料之间，这一独特属性为其衬底加工带来了诸多挑战。软脆晶体的核心特征解析软脆晶体的加工难度源于其兼具软质与脆性材料的双重特性，具体表现为：软质特性：材料硬度偏低，莫氏硬度仅为2.0–2.5，与石膏、滑石硬度相近，在加工过程中极易发生划伤、塑性变形等问题，影响表面完整性。脆性特性：断裂韧性低，受力时易产生裂纹、断裂，类似玻璃、单晶硅等脆性材料的特性，进一步加剧了加工过程中的损伤风险。CZT单

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[常见问题]不锈钢平面件CMP抛光液抛光垫选型指南[ 2026-01-14 15:11 ]

化学机械抛光（CMP）技术凭借化学作用+机械研磨的协同优势，成为实现不锈钢表面纳米级平坦化、镜面化的优选工艺。不锈钢平面件CMP抛光需遵循;粗抛去余量中抛修平整;精抛提镜面;的梯度原则，不同工序的核心目标不同，对应的磨料与抛光垫特性也需精准匹配。吉致电子基于不锈钢材质特性（如304、316、430等）与不同场景的表面要求（Ra值、平整度、洁净度），确保每一道工序都能高效衔接，最终实现理想的表面效果。不锈钢CMP粗抛工艺：高效去除，奠定平整基础

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[常见问题]从硅基到第三代半导体：吉致电子CMP抛光液技术演进与全材料覆盖解决方案[ 2026-01-09 15:59 ]

随着半导体技术节点的不断演进，化学机械拋光（CMP）工艺已成为集成电路制造中不可或缺的关键制程环节，其精度与稳定性直接影响芯片的集成度、性能表现与整体良率。作为CMP工艺的核心耗材，CMP抛光液不仅需要满足硅（Si）、砷化镓（GaAs）等传统半导体材料的加工要求，更要在第三代宽禁带半导体材料的高精度抛光中展现出关键作用与持续增长的应用潜力。聚焦关键应用：CMP抛光液突破第三代半导体平坦化技术瓶颈以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石及氮化铝（AlN）等为代表的第三代半导体材料，具备宽禁带、高

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[行业资讯]吉致电子：LN/LT晶体CMP抛光解决方案，赋能光子芯片与量子通信[ 2025-12-19 14:26 ]

在光电信息、量子通信、半导体激光等高端产业领域，铌酸锂（LN）、钽酸锂（LT）晶体凭借优异的电光、声光及非线性光学特性，成为制造高性能器件的核心基材。而晶体表面的光洁度直接决定器件的光传输效率、调制性能与长期稳定性，化学机械拋光（CMP）作为实现晶体超精密表面加工的关键工艺，其技术水准与配套耗材（抛光液、抛光垫）的适配性，成为突破高端晶体应用瓶颈的核心支撑。吉致电子深耕光电材料精密加工领域，针对LN/LT晶体的材质特性，打造定制化CMP抛光解决方案，通过精准匹配抛光液配方与抛光垫类型，实现从常规精密抛光到原子级超光

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[常见问题]半导体CMP耗材G804W抛光垫国产替代认准吉致电子[ 2025-12-11 16:42 ]

全球局势风云多变，半导体供应链安全面临“卡脖子”风险全球CMP抛光垫市场呈现高度垄断格局，美国杜邦一家企业便占据全球79% 的市场份额，日本Fujibo富士纺旗下的G804W等高端型号抛光垫的供应更是被少数海外厂商牢牢把控。近年来，随着半导体领域国际贸易摩擦加剧，海外供应商的出口管制政策频发，直接冲击国内晶圆厂的生产稳定性。2025年某国际抛光液大厂突发断供事件，已为国内半导体产业链敲响警钟 —— 核心耗材的进口依赖，将使整个芯片制造环节陷入“牵一发而动全

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[常见问题]氮化镓晶片CMP无蜡吸附垫--解锁半导体高精度制程的关键[ 2025-12-05 17:55 ]

氮化镓CMP抛光工艺中无蜡吸附垫的核心必要性：解锁高精度制程的关键在氮化镓（GaN）作为第三代半导体核心材料的产业化进程中，化学机械拋光（CMP）是决定器件表面质量、电性能及可靠性的核心制程环节。氮化镓材料具有高硬度、高脆性、晶格结构致密等特性，传统CMP工艺中常用的有蜡吸附垫（如石蜡、树脂蜡基吸附材料）已难以满足其高精度加工需求。无蜡吸附垫凭借其独特的材料设计与工艺适配性，成为氮化镓CMP抛光中不可替代的关键组件，其必要性主要体现在以下五大核心维度：一、规避材料损伤，保障氮化镓晶圆完整性氮化镓的断裂韧性仅为硅的1

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[行业资讯]破解G804W高成本与慢响应：国产CMP抛光垫的替代逻辑[ 2025-11-20 16:07 ]

在第三代半导体产业加速迭代的今天，碳化硅（SiC）作为核心材料，正以其优异的耐高温、高击穿场强特性，重塑新能源汽车功率器件、高频通信器件等高端制造领域的技术格局。而化学机械抛光（CMP）作为碳化硅加工的关键工序，其核心耗材——抛光垫的性能直接决定了器件的成品精度与可靠性。长期以来，日本Fujibo的G804W抛光垫凭借稳定的性能，成为全球碳化硅CMP领域的主流选择之一。如今，随着国产半导体材料产业的崛起，吉致电子依托自主研发实力，在G804W国产替代赛道上实现关键突破，为产业链自主可控注入强

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[常见问题]锗片的核心应用与CMP精密抛光技术[ 2025-11-07 09:18 ]

吉致电子锗片抛光解决方案——锗片的应用与CMP抛光工艺详解一、锗片的应用领域锗片凭借高电子迁移率、高折射率、红外透光性好等优异特性，在多个高科技领域发挥着重要作用：①半导体器件领域作为高速半导体器件的衬底材料，锗片可用于制作锗硅（SiGe）异质结晶体管（HBT）、应变锗金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）等核心器件。这些器件主要应用于5G通信、高频雷达、卫星通信等对器件运行速度和频率要求极高的前沿场景。②红外光学领域锗材料对2-15μm波段的红外光具有高透过率，同时具

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[常见问题]磷化铟抛光液：高精度低缺陷晶圆平坦化首选[ 2025-11-04 10:22 ]

在半导体制造领域，磷化铟（InP）衬底因其优异的电子和光学特性，成为光通信、毫米波雷达、量子通信等高端应用的核心材料。然而，InP衬底的化学机械抛光（CMP）工艺对抛光液的要求极为严苛，需要兼顾高效抛光速率、表面质量、工艺稳定性等多重因素。吉致电子针对这一需求，推出了专为磷化铟衬底设计的CMP抛光液，其核心优势体现在以下几个方面：1.高效抛光速率与表面质量的完美平衡粗抛阶段：采用较大粒径（如5-10μm）的氧化铝磨料，可快速去除表面余量，抛光速率可达数μm/h，显著提升生产效率。精抛阶段：切换至小粒径（如50-10

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吉致电子抛光材料源头厂家
25年专注CMP抛光材料研发与生产

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