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[吉致动态]国产替代｜吉致电子硅片CMP抛光液Slurry[ 2025-06-10 15:10 ]

一、CMP抛光技术：半导体制造的关键工艺化学机械抛光（Chemical Mechanical Planarization, CMP）是半导体硅片制造的核心工艺之一，直接影响芯片性能与良率。在硅片加工过程中，CMP通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，实现原子级表面平坦化（粗糙度<0.2nm），满足先进制程对晶圆表面超洁净、超平整的要求。吉致电子CMP抛光液的三大核心作用①高效抛光：纳米级磨料（如胶体SiO2）精准去除表面凸起，提升硅片平整度，减少微划痕。②润滑保护：特殊添加剂降低摩擦系数（<0.05），减少

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[吉致动态]吉致电子：金刚石悬浮液的作用及功效（CMP抛光专用）[ 2025-06-06 17:14 ]

在半导体制造、精密光学、硬质合金加工等领域，材料表面的超精密抛光直接决定了产品的性能与可靠性。吉致电子凭借先进的研发实力和成熟的工艺技术，推出高性能金刚石抛光液/研磨液系列产品，为高硬度材料提供高效、稳定的抛光解决方案。吉致电子金刚石悬浮液产品（研磨液/抛光液）可满足不同抛光需求，根据材料特性和工艺要求分为以下几类：1. 按晶体结构分类单晶金刚石抛光液：晶体结构单一，切削力均匀，适合高精度表面抛光，减少亚表面损伤。多晶金刚石抛光液：由多向晶粒组成，材料去除率高，适用于高效粗抛和中抛。类多晶金刚石抛光液：兼具单晶和多

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[吉致动态]Fujibo抛光垫国产替代挑战与吉致电子解决方案[ 2025-05-30 11:42 ]

Fujibo（日本富士纺）是知名的抛光垫制造商，其产品广泛应用于半导体、液晶显示器（LCD）、硬盘（HDD）蓝宝石衬底等精密加工领域。Fujibo抛光垫因其高精度抛光、均匀性、耐磨性好等特点，长期以来占据市场主导地位，但随着国内技术的突破和产业链的完善，国产抛光垫正逐步实现对进口产品的替代。吉致电子作为国内经验丰富的电子行业CMP抛光材料供应商，致力于为客户提供高性价比的国产抛光垫解决方案，助力企业降本增效，保障供应链安全。国产抛光垫替代Fujibo的五大优势1. 显著降低成本，提升竞争力国产抛光垫价格比Fujib

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[吉致动态]吉致电子：半导体陶瓷CMP工艺抛光耗材解析[ 2025-05-16 17:45 ]

在半导体陶瓷的化学机械抛光（CMP）工艺中，吉致电子（JEEZ Electronics）作为国产CMP耗材供应商，其抛光液（Slurry）和抛光垫（Polishing Pad）等产品可应用于陶瓷材料的精密平坦化加工。以下是结合吉致电子的技术特点，半导体陶瓷CMP中的潜在应用方案：吉致电子CMP抛光液在半导体陶瓷中的应用半导体陶瓷CMP研磨抛光浆料特性与适配性CMP Slurry磨料类型：纳米氧化硅（SiO2）浆料：适用于SiC、GaN等硬质陶瓷，通过表面氧化反应（如SiC + H2O2 → SiO2 +

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[行业资讯]CMP阻尼布抛光垫：多材料精密抛光的解决方案[ 2025-05-13 15:51 ]

阻尼布抛光垫/精抛垫是CMP工艺中材料纳米级精度的关键保障：在半导体化学机械抛光（CMP）工艺的最后精抛阶段，阻尼布抛光垫（CMP精抛垫）扮演着决定晶圆最终表面质量的关键角色。这种特殊丝绒状材料的CMP抛光垫，质地细腻、柔软，表面多孔呈弹性，使用周期长。阻尼布抛光垫可对碳化硅衬底、精密陶瓷、砷化镓、磷化铟、玻璃硬盘、光学玻璃、金属制品、蓝宝石衬底等材质或工件进行精密终道抛光，在去除纳米级材料的同时，实现原子级表面平整度，是先进制程芯片制造不可或缺的核心耗材。精抛阶段的特殊挑战与需求与粗抛或中抛阶段不同，精抛工艺面临

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[常见问题]如何解决二氧化硅抛光液结晶问题？吉致电子CMP抛光专家支招[ 2025-05-08 17:28 ]

在半导体、光学玻璃等精密制造领域，二氧化硅（SiO2）抛光液因其高精度、低损伤的特性被广泛应用。然而，抛光液在存储或使用过程中可能出现结晶结块现象，轻则影响抛光效果，重则导致工件划伤甚至报废。如何有效避免和解决这一问题？吉致电子凭借多年CMP抛光液研发经验，为您提供专业解决方案！一、结晶原因分析二氧化硅抛光液以高纯度硅粉为原料，通过水解法制备，其胶体粒子在水性环境中形成稳定的离子网状结构。但若水分流失、温度波动或pH失衡，粒子会迅速聚集形成硬质结晶。主要诱因包括：存储不当（温度过高/过低、未密封）抛光液停滞（流动不

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[行业资讯]吉致电子：钨CMP抛光液组成与应用解析[ 2025-04-25 10:52 ]

钨CMP抛光液：半导体关键制程材料的技术解析——吉致电子高精度平坦化解决方案1. 产品定义与技术背景钨化学机械抛光液（Tungsten CMP Slurry）是用于半导体先进制程中钨互连层全局平坦化的专用功能性材料，通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，实现纳米级表面精度（Ra＜0.5nm），满足高密度集成电路（IC）对互连结构的苛刻要求。2. 核心组分与作用机理3. 关键性能指标去除速率：200-600 nm/min（可调，适配不同工艺节点）非均匀性（WIWNU）：＜3% @300mm晶圆选择

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[吉致动态]钼衬底的应用领域及CMP抛光技术解析[ 2025-04-23 09:51 ]

钼（Mo）衬底凭借其高熔点（2623℃）、高热导率（138 W/m·K）、低热膨胀系数（4.8×10-6/K）以及优异的机械强度和耐腐蚀性，在半导体、光学、新能源、航空航天等高科技领域发挥着重要作用。吉致电子对钼衬底的主要应用场景解析其化学机械抛光（CMP）关键技术，帮助行业客户更好地选择和使用钼衬底抛光液。一、钼衬底的核心优势高温稳定性：熔点高达2623℃，适用于高温环境。优异的热管理能力：高热导率+低热膨胀系数，减少热应力。高机械强度：耐磨损、抗蠕变，适合精密器件制造。良好的导电性：适

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[吉致动态]蓝宝石衬底CMP抛光新视野：氧化铝与氧化硅的多元应用[ 2025-04-11 15:47 ]

在蓝宝石衬底的化学机械抛光（CMP）工艺中，抛光材料的选择直接关系到抛光效果和生产效率。氧化铝和氧化硅作为两种常用的抛光磨料，以其独特的性能优势，在该领域发挥着不可替代的作用。吉致电子凭借深厚的行业积累，为您深入剖析这两种材料在蓝宝石衬底 CMP 抛光中的特性与应用。氧化铝在抛光中的特性硬度匹配优势α-氧化铝的硬度与蓝宝石极为接近，这一特性在抛光过程中具有关键意义。理论上，相近的硬度可能会增加划伤蓝宝石表面的风险，但在实际应用中，只要确保氧化铝磨料的颗粒形状规则、粒径分布均匀，就能有效避免划伤。在抛光压力作用下，凭

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[行业资讯]金刚石研磨液在CMP工艺中的应用与优势[ 2025-04-01 15:37 ]

化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）是半导体、光学玻璃、陶瓷、硬质合金及精密制造行业的关键工艺，用于实现材料表面的超精密平坦化。针对蓝宝石、碳化硅（SiC）、硬质合金等高硬度材料的加工需求，传统研磨液难以满足高精度、低损伤的要求，因此CMP抛光液、CMP抛光垫是满足高精度工件平坦化的重要耗材。其中金刚石研磨液凭借其超硬特性和稳定可控性，通过精准调控化学腐蚀与机械研磨的协同效应（Chemo-Mechanical Synergy）实现实现亚纳米级表面。1. 金刚石CMP研

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[吉致动态]吉致电子半导体CMP抛光液Slurry解析[ 2025-03-26 16:10 ]

在半导体制造工艺中，化学机械抛光（CMP）是实现晶圆表面全局平坦化的核心步骤，而抛光液（Slurry）的性能直接影响芯片的良率和可靠性。随着制程节点不断微缩至5nm、3nm甚至更先进工艺，对CMP抛光液的化学稳定性、材料选择性和缺陷控制提出了更高要求。作为CMP材料解决方案提供商，吉致电子持续优化抛光液技术，助力客户突破先进制程瓶颈。1. 基本组成与功能CMP抛光液由磨料颗粒、化学添加剂和超纯水组成，通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用实现晶圆表面纳米级平坦化。磨料颗粒：SiO?（二氧化硅）：广泛用于氧化物抛光，具有高

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[行业资讯]半导体CMP抛光液Slurry：精密制造的核心材料[ 2025-03-19 10:48 ]

在半导体制造领域，半导体CMP抛光液Slurry是一种不可或缺的关键材料，广泛应用于化学机械抛光CMP工艺中。它通过独特的机械研磨与化学反应相结合的方式，帮助实现晶圆表面的纳米级平坦化，为高性能半导体器件的制造提供了重要保障。什么是半导体CMP抛光液Slurry？半导体Slurry是一种由研磨颗粒、化学添加剂和液体介质组成的精密材料。在CMP工艺中

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[行业资讯]CMP抛光液：从第一代到第三代半导体材料的精密抛光利器[ 2025-03-14 15:21 ]

随着半导体技术的飞速发展，化学机械抛光（CMP）工艺在集成电路制造中的地位愈发重要。CMP抛光液作为这一工艺的核心材料，不仅广泛应用于传统的第一代和第二代半导体材料，如硅（Si）和砷化镓（GaAs），更在第三代半导体材料的抛光中展现出巨大的潜力。CMP抛光液在第三代半导体材料中的应用第三代半导体材料以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石和氮化铝（AlN）为代表，具有宽禁带、高导热率、抗辐射能力强、电子饱和漂移速率大等优异特性。这些材料在高温、高频、大功率电子器件中表现突出，成为5G基站、新能

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[吉致动态]吉致电子解析：磷化铟衬底怎么抛光研磨[ 2025-03-07 15:22 ]

磷化铟（InP）作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的典型代表，凭借其高电子迁移率、宽禁带宽度和良好的光电性能，在光通信器件、激光器和探测器等领域占据关键地位。其精密加工要求严苛，尤其是表面粗糙度需达到纳米级（Ra < 0.1nm），传统机械研磨易导致晶格损伤，化学机械抛光（CMP）技术则成为实现原子级平整表面的核心工艺。吉致电子将系统介绍InP磷化铟衬底CMP抛光从粗磨到精抛的流程及控制要点。一、Inp磷化铟抛光准备工作材料：准备好磷化铟工件，确保其表面无明显损伤、杂质。同时准备吉致电子CMP研磨垫，如聚氨酯抛光垫，其

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[常见问题]半导体铜CMP抛光液：铜互连工艺的核心材料[ 2025-02-25 14:44 ]

半导体铜化学机械抛光液（Copper CMP Slurry）是用于半导体制造过程中铜互连层化学机械抛光（CMP）的关键材料。随着半导体技术的发展，铜CU因其低电阻率和高抗电迁移性能，取代铝成为主流互连材料。铜CMP抛光液在铜互连工艺中起到至关重要的作用，确保铜层平整化并实现多层互连结构，CU CMP Slurry通过化学腐蚀与机械研磨的结合，实现铜层的高精度平整化和表面质量控制。。一、Copper CMP Slurry铜CMP抛光液的组成：主要磨料颗粒（Abrasive Particles）有二氧化硅（

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[行业资讯]突破技术壁垒：国产抛光垫替代Suba800的崛起之路[ 2025-02-14 16:02 ]

国产替代Suba800抛光垫（CMP Pad）的产品在近年来取得了显著的技术进步，逐渐在半导体集成电路市场上占据一席之地。以下是Suba抛光垫国产替代产品的优势和特点：一、Suba抛光垫国产替代产品的优势1.成本优势?国产CMP抛光垫的价格通常比进口产品低，能够显著降低生产成本，尤其适合对成本敏感的企业。?减少了进口关税和物流费用，进一步降低了采购成本。2.供应链稳定?国产化生产避免了国际供应链的不确定性（如贸易摩擦、物流延迟等），供货周期更短，响应速度更快。?国内厂商通常能提供更灵活的CMP抛光耗材订单服务，支持

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[行业资讯]CMP抛光液:精密光学镜头制造的幕后英雄[ 2025-02-12 16:24 ]

CMP（化学机械抛光）技术在光学制造领域确实扮演着至关重要的角色，尤其是在高精度光学元件的加工中。CMP抛光液通过化学腐蚀和机械研磨的结合，能够实现光学玻璃表面的超平滑处理，满足现代光学系统对表面粗糙度和形状精度的严苛要求。吉致电子光学玻璃CMP Slurry的应用领域：①精密光学镜头：在手机摄像头、显微镜、望远镜等光学系统中，通过CMP工艺和抛光液的抛磨可使光学镜头元件在光线折射与散射方面得到有效优化，成像质量大幅提升。确保了镜头的高分辨率和成像质量。②航空航天光学窗口：航空航天光学窗口面临复杂空间环

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[常见问题]影响碳化硅衬底质量的重要工艺参数有哪些[ 2025-01-31 17:33 ]

碳化硅衬底提高加工速率和良品率的主要因素除了用对抛光液和抛光垫，在CMP抛光研磨过程的工艺参数也很重要：抛光压力：适当增加压力可以提高抛光效率，但过高的压力可能导致衬底表面产生划痕、损伤甚至破裂。一般根据衬底的厚度、硬度以及抛光设备的性能，压力范围在几十千帕到几百千帕之间。抛光转速：包括衬底承载台的转速和抛光垫的转速。转速影响抛光液在衬底和抛光垫之间的流动状态以及磨料的磨削作用。较高的转速可以加快抛光速度，但也可能使抛光液分布不均匀，导致表面质量下降。转速通常在每分钟几十转到几百转之间调整。抛光时间：由衬底需要去除

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[行业资讯]吉致电子：SIC碳化硅衬底CMP工艺面临的挑战与解决方案[ 2025-01-23 17:18 ]

SiC CMP抛光液是一种用于对碳化硅衬底进行化学机械抛光的关键材料，通过化学腐蚀和机械磨损的协同作用，实现碳化硅衬底表面材料的去除及平坦化，从而提高晶圆衬底的表面质量，达到超光滑、无缺陷损伤的状态，满足外延应用等对衬底表面质量的严苛要求。目前碳化硅衬底CMP工艺面临的挑战与解决方案：①碳化硅硬度高：碳化硅硬度仅次于金刚石，这使得其抛光难度较大。需要研发更高效的磨料和优化抛光液配方，以提高对碳化硅的去除速率。例如，采用高硬度、高活性的磨料，并优化磨料的粒径分布和形状，同时调整化学试剂的种类和浓度，增强

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[吉致动态]2025碳化硅衬底CMP工艺流程[ 2025-01-21 16:52 ]

碳化硅衬底CMP工艺流程如下：准备工作：对碳化硅SiC衬底进行清洗和预处理，去除表面的灰尘、油污等杂质，保证衬底表面洁净。同时，检查CMP抛光设备是否正常运行，调整好吉致电子碳化硅专用抛光垫的平整度和压力等参数。抛光液涂覆：通过自动供液系统，按照一定的流量和频率进行参数调整，确保抛光液在抛光过程中始终充足且均匀分布。CMP抛光过程：将SiC衬底固定在抛光机的承载台/无蜡吸附垫，使其与涵养抛光液的抛光垫接触。抛光机带动衬底和抛光垫做相对运动，在一定的压力和转速下，抛光液中的磨料对碳化硅衬底表面进行机械磨削，同时抛光液

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25年专注CMP抛光材料研发与生产

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