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[吉致动态]碳化硅抛光垫选型指南：4道工序如何匹配CMP解决方案？[ 2025-05-02 09:00 ]

在碳化硅衬底的研磨和抛光工艺中，抛光垫的选择需根据工序特性（粗磨、精磨、粗抛、精抛）匹配不同性能的抛光垫。以下是关键要点及吉致电子产品的适配方案：碳化硅抛光垫选型要点一、碳化硅衬底粗磨阶段需求：高材料去除率、强耐磨性。推荐：高硬度复合无纺布抛光垫JZ-1020，压纹/开槽设计增强研磨液流动性，避免碎屑堆积。二、碳化硅衬底精磨阶段需求：平衡表面平整度与中等去除率。推荐：中硬度抛光垫，特殊纤维结构提升表面一致性，减少亚表面损伤。碳化硅SiC衬底研磨垫（JZ-1020粗磨/精磨）三、碳化硅衬底粗抛阶段需求：过渡到低表面

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[吉致动态]吉致电子科普时间：半导体制造中晶圆和衬底的不同应用场景[ 2025-02-28 15:48 ]

在半导体制造领域，衬底和晶圆因自身特性不同，有着截然不同的应用场景。衬底作为半导体器件的基础支撑材料，主要应用于早期工艺环节。在集成电路制造中，它是后续外延生长、薄膜沉积等工艺的起始平台。比如在生产硅基半导体时，硅衬底为生长高质量的外延层提供稳定基底，保证外延层的晶体结构与衬底晶格匹配，从而为晶体管、二极管等器件的构建奠定基础。在光电器件制造方面，如发光二极管（LED），蓝宝石衬底常被使用，它为 LED 芯片的生长提供了合适的晶格结构，有助于实现高效的光电转换。此外，在功率半导体领域，碳化硅衬底因其优良的热导率和电

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[常见问题]影响碳化硅衬底质量的重要工艺参数有哪些[ 2025-01-31 17:33 ]

碳化硅衬底提高加工速率和良品率的主要因素除了用对抛光液和抛光垫，在CMP抛光研磨过程的工艺参数也很重要：抛光压力：适当增加压力可以提高抛光效率，但过高的压力可能导致衬底表面产生划痕、损伤甚至破裂。一般根据衬底的厚度、硬度以及抛光设备的性能，压力范围在几十千帕到几百千帕之间。抛光转速：包括衬底承载台的转速和抛光垫的转速。转速影响抛光液在衬底和抛光垫之间的流动状态以及磨料的磨削作用。较高的转速可以加快抛光速度，但也可能使抛光液分布不均匀，导致表面质量下降。转速通常在每分钟几十转到几百转之间调整。抛光时间：由衬底需要去除

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[行业资讯]碳化硅衬底CMP工艺面临的挑战与解决方案[ 2025-01-23 17:18 ]

SiC CMP抛光液是一种用于对碳化硅衬底进行化学机械抛光的关键材料，通过化学腐蚀和机械磨损的协同作用，实现碳化硅衬底表面材料的去除及平坦化，从而提高晶圆衬底的表面质量，达到超光滑、无缺陷损伤的状态，满足外延应用等对衬底表面质量的严苛要求。目前碳化硅衬底CMP工艺面临的挑战与解决方案：①碳化硅硬度高：碳化硅硬度仅次于金刚石，这使得其抛光难度较大。需要研发更高效的磨料和优化抛光液配方，以提高对碳化硅的去除速率。例如，采用高硬度、高活性的磨料，并优化磨料的粒径分布和形状，同时调整化学试剂的种类和浓度，增强

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[吉致动态]碳化硅衬底CMP工艺流程[ 2025-01-21 16:52 ]

碳化硅衬底CMP工艺流程如下：准备工作：对碳化硅SiC衬底进行清洗和预处理，去除表面的灰尘、油污等杂质，保证衬底表面洁净。同时，检查CMP抛光设备是否正常运行，调整好吉致电子碳化硅专用抛光垫的平整度和压力等参数。抛光液涂覆：通过自动供液系统，按照一定的流量和频率进行参数调整，确保抛光液在抛光过程中始终充足且均匀分布。CMP抛光过程：将SiC衬底固定在抛光机的承载台/无蜡吸附垫，使其与涵养抛光液的抛光垫接触。抛光机带动衬底和抛光垫做相对运动，在一定的压力和转速下，抛光液中的磨料对碳化硅衬底表面进行机械磨削，同时抛光液

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[行业资讯]半导体CMP--碳化硅衬底无蜡吸附垫的特点[ 2025-01-16 16:42 ]

碳化硅SiC衬底在CMP研磨抛光工艺中使用吉致无蜡吸附垫的好处主要体现在以下几个方面：①稳定性与吸附力真空吸附原理优势：利用真空吸附，可在吸附垫与衬底间形成强大负压，使衬底与吸附垫紧密贴合。如在化学机械抛光（CMP）中，能让晶圆衬底在高速旋转和研磨压力下保持原位，避免位移和晃动，确保抛光均匀性。②降低破片率：吉致电子半导体无蜡吸附垫强而稳定的吸附力可均匀分散外力，防止局部受力过大。在超薄晶圆或大尺寸晶圆抛光时，能有效避免因吸附不稳导致的晶圆破裂，提高生产效益。③简化工艺流程无需除蜡环节：传统吸附垫常需涂蜡辅助吸附，

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[行业资讯]衬底与晶圆材料的选择与特性[ 2024-08-15 16:39 ]

衬底材料半导体衬底材料的选择对器件性能有重大影响。常见的衬底材料包括硅、砷化镓、碳化硅等。硅衬底：硅SI是最常见的衬底材料，因其优良的电学、热学和机械特性广泛应用于集成电路和微电子器件。硅衬底具有成本低、加工成熟、易于大规模生产等优点。砷化镓衬底：砷化镓GaAs具有高电子迁移率和良好的光电特性，常用于高频器件和光电器件。虽然成本较高，但在特定领域有无可替代的优势。碳化硅衬底：碳化硅SIC具有高硬度、高热导率和高温稳定性，适用于高温、高功率和高频应用。碳化硅衬底的加工难度较大，但其优异的性能使其在特定领域有着重要应用

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[常见问题]SiC碳化硅衬底加工的主要步骤[ 2024-06-21 15:45 ]

SiC碳化硅衬底加工的主要分为9个步骤：晶面定向、外圆滚磨、端面磨、线切、倒角、减薄、CMP研磨、CMP抛光以及清洗。1.晶面定向：使用 X 射线衍射法为晶锭定向，当一束 X 射线入射到需要定向的晶面后，通过衍射光束的角度来确定晶面的晶向。2.外圆滚磨：在石墨坩埚中生长的单晶的直径大于标准尺寸，通过外圆滚磨将直径减小到标准尺寸。3.端面磨：SiC 衬底一般有两个定位边，主定位边与副定位边，通过端面磨开出定位边。4.线切割：线切割是碳化硅SiC 衬底加工过程中一道较为重要的工序。线切过程中造成的裂纹损伤、残留的亚表面

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[行业资讯]看懂SIC碳化硅衬底研磨加工技术[ 2024-05-20 10:31 ]

碳化硅SiC衬底因其脆硬性特性再叠加大尺寸化、超薄化的放大效应，给现有的加工技术带来了巨大的挑战，被视为典型难加工材料。高效率、高质量的碳化硅衬底加工技术成了当下的研究热点。碳化硅相较于第一、二代半导体材料具有更优良的热学、电学性能，如宽禁带、高导热、高温度稳定性和低介电常数等，这些优势使得以碳化硅为代表的宽禁带半导体材料广泛应用于高温、高频、高功率以及抗辐射等极端工况.作为高性能微电子和光电子器件制造的衬底基片，碳化硅衬底加工后的表面、亚表面质量对器件的使用性能有着极为重要的影响。因

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[行业资讯]碳化硅衬底平坦化使用的是什么工艺？[ 2024-03-12 14:47 ]

碳化硅是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。第三代半导体，由于在物理结构上具有能级禁带宽的特点，又称为宽禁带半导体，主要是以氮化镓和碳化硅为代表，其在半导体性能特征上与第一代的硅、第二代的砷化镓有所区别，使得其能够具备高禁带宽度、高热导率、高击穿场强、高电子饱和漂移速率等优势，从而能够开发出更适应高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的小型化功率半导体器件，可有效突破传统硅基功率半导体器件及其材料的物理极限。化学

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[常见问题]什么是SIC碳化硅衬底的常规双面磨工艺[ 2024-03-07 17:22 ]

碳化硅SIC研磨工艺是去除切割过程中造成碳化硅晶片的表面刀纹以及表面损伤层，修复切割产生的变形。由于SiC的高硬度的特性，CM{研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。碳化硅衬底常规的CMP研磨工艺一般分为粗磨和精磨。SiC衬底常规双面磨工艺双面磨工艺又称DMP工艺，是目前大部分国内碳化硅衬底厂商规模化生产的工艺方案，对碳化硅进行双面研磨(粗磨/精磨)达到一定的表面平整度和光洁度。①粗磨：采用铸铁盘+单晶金刚石研磨液双面研磨的方式该工艺可以有效的去除线割产生的损伤层，修复面型，

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[行业资讯]碳化硅SIC衬底的加工难度有哪些？[ 2024-02-29 17:24 ]

衬底是所有半导体芯片的底层材料，起到物理支撑、导热、导电等作用。有数据显示，衬底成本大约占晶圆加工总成本的50%，外延片占25%，器件晶圆制造环节20%，封装测试环节5%。 SiC碳化硅衬底不止贵生产工艺还复杂，与Si硅片相比，SiC很难处理。SiC单晶衬底加工过程包括单晶多线切割、研磨、抛光、清洗最终得到满足外延生长的衬底片。碳化硅是世界上硬度排名第三的物质，不仅具有高硬度的特点，高脆性、低断裂韧性也使得其磨削加工过程中易引起材料的脆性断裂从而在材料表面留下表面破碎层，且产生较为严重的表

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[吉致动态]碳化硅衬底需要CMP吗[ 2024-01-30 17:17 ]

碳化硅衬底需要CMP吗？需要碳化硅SIC晶圆生产的最终过程为化学机械研磨平面步骤---简称“CMP”。CMP工艺旨在制备用于外延生长的衬底表面，同时使晶圆表面平坦化达到理想的粗糙度。化学机械抛光步骤一般使用化学研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸渍毡型研磨片来实现的。碳化硅晶圆置于研磨片上，通过夹具或真空吸附垫将单面固定。被磨抛的晶圆载体暴露于研磨浆的化学反应及物理摩擦中，仅从晶圆表面去除几微米。吉致电子研发用于SIC衬底研磨抛光的CMP研磨液/抛光液，以及研

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[常见问题]打磨碳化硅需要哪种抛光垫？[ 2023-08-17 16:41 ]

打磨碳化硅需要哪种抛光垫？打磨碳化硅衬底分研磨和抛光4道工序：粗磨、精磨、粗抛、精抛。抛光垫的选择根据CMP工艺制程的不同搭配不同的研磨垫：粗磨垫/精磨垫/粗抛垫/精抛垫吉致电子CMP抛光垫满足低、中及高硬度材料抛光需求，具有高移除率、高平坦性、低缺陷和高性价比等优势。结合硬质和软质研磨抛光垫的优点，可兼顾工件的平坦度与均匀度碳化硅研磨选择吉致无纺布复合抛光垫，提供更快磨合的全局平坦性，提升碳化硅晶圆制程的稳定性与尺寸精密度。压纹和开槽工艺，让PAD可保持抛光

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[常见问题]碳化硅Sic衬底加工流程有哪些[ 2023-08-09 17:14 ]

碳化硅衬底是以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法生长碳化硅晶体，加工制成碳化硅晶片，简单流程可概括为原料合成→晶体生长→。1、原料合成将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合，在 2000C以上的高温下反应合成碳化硅颗粒。再经过破碎、清洗等工序，制得满足晶体生长要求的高纯度碳化硅微粉原料。2、晶体生长以高纯度碳化硅微粉为原料，使用自主研制的晶体生长炉，采用物理气相传输法 (PVT 法) 生长碳化硅晶体将高纯碳化硅微粉和籽晶分别置于单晶生长炉内圆柱状密闭的石墨甘场下部和顶部，通过电磁感应将

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[应用案例]碳化硅SiC抛光工艺[ 2023-04-19 17:08 ]

根据半导体行业工艺不同，CMP抛光液可分为介质层化学机械抛光液、阻挡层化学机械抛光液、铜化学机械抛光液、硅化学机械抛光液、钨化学机械抛光液、TSV化学机械抛光液、浅槽隔离化学机械抛光液等。 SIC CMP抛光液是半导体晶圆制造过程中所需主要材料之一，在碳化硅材料工件打磨过程中起着关键作用，抛光液的种类、颗粒分散度、粒径大小、物理化学性质及稳定性等均与抛光效果紧密相关。近年来，在人工智能、5G、数据中心等技术不断发展背景下，碳化硅衬底应用领域不断扩大、市场规模不断扩大，进而带动

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[应用案例]Sic Slurry 吉致电子碳化硅晶圆抛光液[ 2023-04-11 11:07 ]

吉致电子碳化硅精抛液，适用于Sic碳化硅晶圆衬底精密加工表面平坦化。wafer使用的Slurry具有高度抛光、低粗糙度的特点，SiC碳化硅衬底抛光液抛光后的晶圆表面无划伤、雾等缺陷，碳化硅晶片平坦度高。吉致电子研发的碳化硅抛光液稀释比高、抛光后表面易清洗，被广泛应用于半导体集成电路衬底的制造中。吉致电子SiC Slurry wafer抛光液具有很好的流动性和分散性，不易结晶、易清洗、抛光效率高等优点，可以满足碳化硅晶片的精抛加工要求，也可根据客户工艺调整做定制化硅晶圆(si wafer)

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[行业资讯]碳化硅衬底CMP抛磨工艺流程[ 2022-10-26 14:32 ]

碳化硅衬底CMP化学机械抛光工艺需要用到吉致电子CMP抛光液和抛光垫，抛磨工艺一般分为3道流程：双面抛磨、粗抛、精抛。下面来看看吉致电子小编碳化硅晶圆抛光工艺介绍和抛光产品推荐吧。碳化硅衬底双面研磨：一般使用双面铸铁盘配合吉致电子金刚石研磨液或者碳化硅晶圆研磨液进行加工；主要目的是去除线切损伤层以及改善晶片的平坦度。碳化硅衬底粗抛工艺：针对碳化硅衬底加工采用专门的碳化硅晶圆抛光液配合粗抛垫。既可以达到传统工艺中较高的的抛光速率（与精磨基本相当）又可以达到传统工艺中粗抛后的表面光洁度。碳化硅衬底精抛工艺：SIC晶圆精

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[行业资讯]碳化硅衬底抛光液的特点[ 2022-10-25 16:59 ]

碳化硅半导体晶片的制作一般在切片后需要用CMP抛光液进行抛光，以移除表面的缺陷与损伤。碳化硅（Sic）晶片以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD法）等生成外延片，最后制成相关器件。碳化硅衬底具有碳极性面和硅极性面，因为碳面与硅面的极性不同，所以化学活性也不同，故双面cmp抛光速率具有差异。吉致电子碳化硅衬底抛光液（Sic Slurry）为电力电子器件及LED用碳化硅晶片的CMP化学机械平坦化配制的高精度抛光液。CMP抛光液大大提高了碳化硅晶圆

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[吉致动态]吉致电子CMP抛光液适用设备有哪些？[ 2022-08-23 16:48 ]

吉致电子研发的抛光液产品广泛应用于金属、光电、集成电路半导体、陶瓷、硬盘、面板显示器等材质表面的深度处理。吉致电子CMP抛光耗材产品可广泛应用于各种CMP领域，包括Lapping机台、五轴机台、单面抛光机、双面抛光机等其他研磨抛光机台设备。抛光液升级配方可用于半导体行业硅片硅衬底减薄、碳化硅衬底抛光、蓝宝石衬底抛光。针对性更强的抛光液产品如阻挡层化学机械抛光液，钨化学机械抛光液以及介质层化学机械抛光液、浅槽隔离化学机械抛光液、用于3D封装TSV化学机械抛光液可详细咨询。抛光液的特点是不伤

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